Способ финишной полировки полупроводниковых пластин

(57) Использование: обработка полупро никовых подложек для изготовления и лий электронной техники, Сущно трехстадийная химико-механическая поли ка полупроводниковых пластин. Абрази суспензия на основе алюмосиликатного полнителя, Первая стадия - предварител химико-механическая полировка. Втор третья стадии - финишная полировка - пр дятся на одном полировальнике при ра режимах, Вторая стадия; рН суспензии 1 10,8, третья стадия: рН 6,0-8,0, давлени пластины 0,05 10 -0,11 10 Па, время2 - 5 мин. Выход годных увеличив , - 2,0%. ет Наиболее близким к предлагаемому ехническому решению является способ фиишной полировки полупроводниковых ластин, включающий двухстадийную химико-механическую полировку пластин на двух полировальниках с использованием водных абразивных суспензий, причем первую стадию (предварите)Гьную полировку) проводят при водородном показателе рН абразивной суспензии в пределах от 11.5 до 12,4, а вторую стадию при рН = 9,0 - 10,0.Недостатком этого способа является наличие на их рабочей поверхности остаточных механических дефектов в виде рисок и царапин, Это связано с тем, что в известном способе обработки из-за сравнительно низкого водородного показателя рН суспензии удаляемый на второй стадии полировки с поверхности пластин слой кремния является недостаточным: механические дефекты поверхности, оставшиеся после первой стадии полировки, полностью не удаляются,Недостатком ется наличие мат сти пластин пос повышенной хим меняемой суспен показатель рНизвестного способа являовости рабочей поверхное обработки,.связанной с ической активностью призии, имеющей водородный 10,0. ОСУДАРСТВЕ ННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССР М 1119537, кл. Н 01 1 21/302, 1983.Операционная карта технологического процесса Г 90,032.2211 К, Химико-механическая полировка. Лист- 12, Киев, 1985 (54) СПОСОБ ФИНИШНОЙ ПОЛИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Изобретение относится к злетронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых пластин, в частности при их химико-механической полировке.Известен. способ финишной обработки полупроводниковых пластин, включающий двухстадийную химико-механическую полировку пластин на полировальнике с использованием водной абразивно суспензии, причем на второй стадии полировки давление на пластины и температуру полировальника снижают, а расход абразивной суспензии увеличивают в 1,5-3,0 раза без изменения ее состава. вод- здесть; роввная наьная ая и ово- эных10 15 20 25 30 35 40 50 55 Повышение съема кремния на второй стадии полировки с целью увеличения выхода годных путем увеличения показателя рН суспензии, давления на пластины, температуры полировэльника и продолжительности обработки приводят к появлению такого вида дефектов, как матовость рабочей поверхности пластин (растравливание),Цель изобретения - повышение выхода годных за счет улучшения качества полированной поверхности.Поставленная цель достигается тем, что в способе финишной полировки полупроводниковых пластин, включающем многостадийную химико-механическую полировку пластин на двух полировальниках с использованием водных абразивных суспензий, полировку на.второй стадии проводят при водородном показателе рН абразивной суспензии 10,2 - 10,8 и дополнительно проводят третью стадию полировки при водородном показателе рН абразивной суспензии 6,0-8,0 в течение 2-5 мин и давлении на пластины(0,05 - 0,11) 10 Пэ, причем вторую и третью стадии проволдят на одном полировальнике,Предлагаемый режим обработки на второй стадии полировки имеет следующее обоснование,При выборе водородного показателя рН абразивной суспензии меньше, чем 10,2, например 9,7-9,8, резко снижается производительность процесса, для удаления остаточных механических дефектов пластин требуется увеличить. продолжительность полировки на втооой стадии до 12 - 16 мин в то время кэк при соблюдении рекомендуемого режима продолжительность обработки составляет в среднем 6-10 мин.При выборе водородного показателя рН абразивной суспензии больше. чем 10,8, например 11,0-11,2, нарушается сбалансированность скоростей механического съема и химического травления кремния в процессе химико-механической полировки, начинает преобладать скорость химического травления, в результате чего наблюдается растравливание поверхности пластин. Предлагаемые режимы обработки на третьей стадии полировки имеют следующие обоснования.При выборе водородного показателя рН абразивной суспензии меньше, чем 6,0, например 5,7-5,8, происходит практически полное прекращение процесса травления кремния, что приводит кпреобладанию скорости механического съема и появлению на полированной поверхности пластин дефектов в виде рисок и царапин,При выборе водородного показателя рН абразивной суспензии больше. чем 8,0, например 8,4-8,6, резко снижается производительность процесса, для удаления матовости рабочей поверхности пластин требуется увеличить продолжительность третьей стадии полировки до 8 - 12 мин, в то время как при соблюдении рекомендуемых режимов продолжительность третьей стадии составляет 2 - 5 мин При поддержании давления на пластины большего, чем 0,11 10 Па, скорость ме 5ханического съема преобладает над скоростью химического травления кремния, что приводит к появлению на рабочей поверхности пластин дополнительного количества рисок и царапин. Поддержание давления на пластины меньшего, чем 0,05 10 Па, например 0,0410 Па, затрудняется по техническим причинам, связанным с конструктивными особенностями установок для химико-механической полировки. При продолжительности третьей стадии полировки меньшей, чем 2 мин, например 1,5 мин, съема кремния оказывается недостаточно для удаления матовости рабочей поверхности пластин, а при продолжительности третьей стадии большей, чем 5 мин,например 5;5 мин, появляются дефекты в виде рисок и царапин,Необходимость проведения второй и третьей стадий обработки на одном полировальнике имеет следующее обоснование.При проведении второй и третьей стадии на одном полировальнике в процессе третьей стадии полировки происходит постепенное снижение химической активности полирующей среды. создаваемой в зоне обработки пластин при введении второй стадии полировки, при этом наличие на поверхности пластин окисного слоя препятствует образованию механических дефектов кремния. Проведение же третьей стадии полировки на отдельном полировальнике характеризуется преобладанием скорости механического съема, что прйводит к ухудшению качества пластин по рискам и царапинам.П р и м е р 1, Кремниевые пластины диаметром 100 мм марки КДБ 10 (111), прошедшие после резки слитка кремния на пластины операции формирования фаски, двусторонней шлифовки и травления, подвергают химико-механической полировке суспензиями на основе алюмосиликатного наполнителя на станках типа Ю 1 М 3,105.004.На первой стадии, проводимой на полировальнике из синтетической кожи, используют суспензию с рН = 11,6 при следующих режимах: давление на пластины 0,2 10 Па, температура полировальника 48 й 1 С, расход суспензии 60 - 70 мл/мин время обработки 34 мин, С поверхности 5 пластин на первой стадии полировки удаляют припуск не менее 25 мкм.Вторую стадию ведут с использованием суспензии с рН = 10,2 при следующих режимах:давление на пластины 0,05 10 Па,тем пература полировальника 351 С, расход суспензии 110 - 120 мл/мин, время обработки 8 мин. В качестве полировальника применяют синтетическую замшу.На третьей стадии на том же полиро вальнике пластины, полируютсуспензиейс. рН = 6,0 при следующих режимах: давление на пластины 0,05 10 Па, температура полировальника 30 + 1 С, расход суспензии 120 - 130 мл/мин, время полировки 2 мин. 20.По окончании полировки прекращают подачу суспензии и проводят промывку деиониэованной водой в течение 1 мин. Затем пластины отделяют от подировальных блоков и подвергают химической очистке в ки пящих перекисно-аммиачных растворах, гидромеханической отмывке и сушке на центрифуге.Контроль качества проводят с помощью микроскопа МБСпри увеличении не ме нее 16", Риски и царапины отсутствуют на 99пластин. Матовость рабочей поверхности пластин также не обнаружена.П р и м е р 2. Осуществляют полировку кремниевых пластин диаметром 100 мм 35 марки КДБ 40(100).Предварительную обработку и первую стадию полировки проводят при режимах, указанных в примере 1, На второй стадии используют суспензию с рН = 10.8 при сле дующих режимах; давление на пластины 0,11 10 Па, температура полировальника 35+1 С, расход суспенэии 110 - 120 мл/мин, время обработки 6 мин. В качестве полировальника используют синтетическую замшу. 45На третьей стадии на том же полировальнике ведут полировку пластин суспензией с рН = 8,0 при следующих режимах: давление на пластины 0,11 10 Па, темпера- тура полировальника 32 + 1, расход сус пензии 130. - 140 мл/мин, время обработки 5 мин.Очистку и контроль качества пластин проводят, как указано в примере 1, риски, царапины, матовость рабочей поверхности 55 отсутствуют на 100; пластин.П р и м е р 3. Осуществляют полировку кремниевых пластин диаметром 76 мм марки КДБ 4,5(100). Полировку на первой стадии ведут суспензией с рН = 11,8 при следующих режимах: давление на пластины 0,22 10 Па. темпеоатура полировальника 45 й 1 С, расход суспензии 60-70 мл/мин, время обработки 20 мин, На первой стадии с поверхности пластин удаляют припуск не менее 15 мкм, в качесте полировальника используют синтетическую кожу.На второй стадии применяют суспензию с рН = 10,5 при следующих режимах: давление на пластины 0,08 Ю Па, температура полировальника 34 ч. 1 С, расход суспензии 120 - 130 мл/мин, время обработки 10 мин. В качестве полировальника используют синтетическую замшу.Третью стадию ведут на том же полировальнике суспензией с рН = 7,0 при следующих режимах: давление на пластины 0,08 10 Па, температура полировальника530 + 1 С, расход суспензии 130-140 мл/мин, время обработки 3,5 мин.Дальнейшую очистку и контроль пластин проводят, как указано в примере 1 риски и царапины отсутствуют на 99,5пластин, матовость рабочей поверхностипластин не обнаружена.Предлагаемый способ обеспечивает увеличение выхода годных пластин на операции химико-механической полировки на 1,0 - 2,0 по сравнению с известными способами за счет улучшения качества полированной поверхности - практически отсутствуют такие дефекты как риски, царапины, растравливание поверхности.Формула изобретенияСпособ финишной полировки полупроводниковых пластин, включающий многостадийную химико-механическую полировку полупроводниковых пластин надвух полировальниках с использованием водных абразивных суспенэии, причем на первой стадии водородный показатель суспензии поддерживаютот 11,5 до 12,4, о тл и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения качества полированной поверхности, химико-механическую полировку на второй стадии проводят при водородном показателе рН абразивной суспензии 10,2-10,8 и допол нительно проводят третью стадиюхимико-механической полировки при водородном показателе рН 6-8 в течение 2 - 5 мин и давлении на полупроводниковые пластины от 0.05 10-0,11 1 фПа, причем вторую и третью стадии проводят на одном полировальнике,