Патенты с меткой «р-типа»

Номер патента: 1624537

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Ахвен, Эпик

МПК: H01B 1/06

Метки: проводящего, р-типа

...производят дополнительную термообработку полученного материала в среде инертного газа или в воздухе при температуре до 250 С. Конкретнее температуру термообработки выбирают не ниже требуе- в мой рабочей температуры материала.П р и м е р 1. Проводят легирование полип арафенилена с мол. мас, 624-1084 у.е. описанным методом, В качестве легирующей примеси используют йод. Температура легирования 400 С, Легирование проводят в течение 50 ч, Электропровод 9 имость стабилизируется на уровне 3 10 См/см. Концентрация примеси достигает 0,01 моль наз 1 О 20 40 60065700 иоф 1,О 1 Составитель Ю.МещеряковРедактор Л,Веселовская Техред М.Моргентал Корректор И,Муска Подписноео изобретениям и открыти35, Раушская наб., 4/5 4 ГКНТ СС Ужгород, ул...

Номер патента: 1711272

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Джиоев, Ичкитидзе, Кавокин, Флейшер

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, полупроводниках, проводимости, р-типа, электронов

...необходимо выполнениеб улярно поля- условия бмаксе При выполнении этого о илк при возбуждении циркуля н им пове хности слоя, при условия можно пренебречь вкладом в люмичем Яо и Ак должны удовлетворятьусловию несценцию электронов, достигших второйДля исключения влияния поверхностПространственная неоднородностьб ии необходимо, чтобы по 30 ве ть бразца была пассивирована.нт а ииэлект онов и ной реком инации не плотности их спи р д и пинап иво иткзависимости верхность оВн енние слои многослойных полупростепе ц РУ Р пени и к ля ной поляризации люми- нутрводниковых структур имеют пассивированнесценции от длины волны (фиг,2). На фиг.2 в треугольникам о ознпассивированной поверхности ( Раницы 35 ОаАз-баААз), а кружками - для свободной на длине...

Номер патента: 1554671

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Болтунов, Иванов, Никеенко

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, низкоомных, омических, проводимости, р-типа, теллуриду, цинка

...Облуцение образца со стороны металлической пленки не приводитк положительному результату. Источником излучения служил лазер на неодимовом стекле, работающий в импульсном режиме с длительностью импульса0,5 мс и энергией кванта, меньшешириНы запрещенной эоны теллуридацинка (1 1, =1,1 эВ, Г (300 К)2,25 эБ). Лазерное излучение Фокусировалось на образце с помощьюлинзы, Плотность мощности излученияизменялась от 1,8 до 2,8 10 Втсм2путем перемещения линзы относительнообразца.Выбор нижнего предела плотностимощности излучения обьясняетсл тем,что при меньших мощностях облученияположительньй результат не достигается. При значениях плотности мощности больше 2,8 10 Вт/см наблюдалосьйразрушение передней поверхности...