H01L 23/04 — отличающиеся формой

Номер патента: 168800

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всг, Гьх, Невежин, Онуприенко, Поспелов

МПК: H01L 23/02, H01L 23/04, H01L 23/08 ...

Метки: корпус, металло-стеклянный, полупроводниковых, приборов

...с проходным стеклянным изолятором и с тремя электрическими выводами, фланец которой имеет тарельчатую форму, и баллона, герметично соединенного с фланцем ножки, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности корпуса и надежности металло- стеклянного спая, сплошное отверстие для выводов прибора во фланце ножки имеет форму треугольника со скругленными углами. одписная группа М 97 Известны металло-стеклянные корпуса для полупроводниковых приборов, состоящие из ножки с проходным стеклянным изолятором и с тремя электрическими выводами, фланец которой имеет тарельчатую форму, и баллона, герметично соединенного с фланцем ножки.Предложенный металло-стеклянный корпус для полупроводниковых приборов отличается от извесвных тем, что...

Номер патента: 186567

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Дроздов, Зотов, Ленин

МПК: H01L 23/02, H01L 23/04

Метки: полупроводниковых, фланец, элементов

...фланец для полупроводниковых элементов имеет меньший вес и позволяет локализовать нагрузки, возникающие при холодной сварке, Нижняя поверхность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртикаНа чертеже изображен предлагаемый фланец,Монтаж полупроводниковых переходов осуществляется на плоскости 1 фланца. Фланец имеет разгрузочную канавку 2 и сварочный буртик 3. Поверхность 4 разгрузочной кана ки и поверхность 5 сварочного буртика и раллельны одна другой, и расстояние межд ними не превышает 0,1 толщины буртика. Предмет изобретенияФланец для полупроводниковых элементовс плоскостью для монтажа полупроводниковых переходов, содержащий разгрузочную ка навку...

Номер патента: 341114

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранное, Иностранцы, Йири, Чехословацка

МПК: H01L 23/04

Метки: полупроводниковый, прибор

...изоляционная деталь и меньше внутреннего диаметра прижимной пружины,По окружности фланца трубчатой изоляционной детали между обеими плоскими изоля нионными деталями установлена плоскаяпрокладка в форме круглого кольца такой же высоты, как фланец трубчатой изоляционной детали. Внутренний диаметр металлической прокладки, через которую передается 30 усилие ппижима, меньше внешнего диаметра341114 3 ласт массы. 45 пзобретенп Предмет1. Полупроводник типа с прижимными между контактными выи прибор штырев ого сонтактамп, содержащий пружинами и электроСоставитель Г. Корнило;ктор Л, 0 атып кред Т, Ускова Корректор Т Китаева аказ 1929/11 Изд.798 Тираж 448 Лодписно ЦНИИПИ Когнитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР...

Номер патента: 845810

Опубликовано: 07.07.1981

Автор: Мичислав

МПК: H01L 23/04

Метки: полупроводниковое

...вверхлапки 14 и 15,Устройство также содержит куполообразное тело 17 выполненное из изоляционного упругого и гибкого материала,например из силиконовой резины. Внутренний диаметр куполообразного тела 17примерно равен наружному диаметруполупроводниковой пластины 1,так чтопоследняя может быть ;становлена вкольцо 17 до сборки, Наружный диаметр6при необходимости, поворотно регулируются в отверстии кольца 17.Затем для закрепления друг,с другом и создания уплотнения зацепляющиеся лапки 14, 15 и кромки фланца5 и секции 16 соединяются соответствующей контактной сваркой,Во время закрывания устройстваверхним электродом устранена опасность повреждения полупроводниковойпластины 1 и хрупкого управляющеговывода 19.После сварки...

Номер патента: 961006

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Малков, Ребизов, Федоров

МПК: H01L 23/04

Метки: интегральной, корпус, микросхемы

...сварки в объем З 0 ,корпуса.Указанная цель достигается тем,что в корпусе для интегральной микросхемы, содержащем диэлектрическоеоснование, выполненное в виде полого цилиндра с коммутационными выводами, и .крышку с сечением Т-образнойФормы, в торце боковой стенки основания выполнена Б-образная кольцевая канавка на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки непревышающем ширины сварного шва меж Оду основанием и крышкой,Наличие разделительной канавки вторце боковой стенки позволяет осуществлять надежную герметизацию засчет полного проваривания шва от канавки до внешней поверхности боковойстенки основания, и в то же времясохранить широкую опорную контактнуюплощадку для крышки, что увеличива-ет прочность корпуса. 20Кроме того,...

Номер патента: 585772

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Воронин, Скакодуб, Щербаков

МПК: H01L 23/04, H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...затврра, а также тем, что токовыводы стока и истока расположеныперпендикулярно токовыводу затвора, 30или тем, что токовыводы стока и истока расположены параллельно и направлены в противоположную сторонутоковыводу затвора.Кристаллодержатель также может 35быть изготовлен из других материалов,таких как лейкосапфир, окись магнияили .окись берилдия.На фиг, 1 и 2 схематично даны дваварианта конструкции полевого транзистора, разрез и вид сверху.Полевой транзистор содержитполупроводниковую структуру 1, кристаллодержатель 2, токовывод 3 истока, токовывод 4 стока, токовывод 5 45затвора. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде ступенчатой .Фигурнойпланки (см. Фиг. 1), токовывод затвора установлен по оси симметриипланки, а токовыводы истока.и...

Номер патента: 858493

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Галузо, Матсон

МПК: H01L 23/04, H01L 29/76

Метки: полупроводниковый, прибор

...напряжении на электроде, смещаюшем р-и-пе 40реход стока 3 - подложка в прямом направлении, в результате сужения области .пространственного заряда этого р-п-перехода область канала 8 открывается ипо нему течет выходной ток по цепи45электрод 11 - область стока 7 - областьканала 8 - область истока 6 - электрод9. В то же время, поскольку р-и-переход область стока 3 - подложка смещается в прямом направлении, то по цепиэлектрод 10 - область истока 2 - об 50ласть канала 4 - область стока 3 - область канада 8 - область стока 7, также течет ток, При этом величина напряжения, смещвющего р-п-переход областистока 3 - подложка в прямом направлении, определяется напряжением, прикладываемым к электройу 10 области истока2 и зависит от...

Номер патента: 1554150

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Ботнарь, Гречнев

МПК: H01L 23/04, H05K 7/00

Метки: интегральная, микросхема

...кристалла и корпуса, повышаетэксплуатационную надежность ИИС вусловиях механических воздействийза счет сужения диапазона резонансных частот выводов. При этом уменьшение длины диагональных выводовобеспечивает смещение границы диапазона вверх. Испытания показали, что для ИМС с золотыми проволочными выводами нижняя граница диапазона может быть смещена вверх на несколько килогерцПовышение технологичности конструкции корпуса И 11 С определяется обеспечением наиболее благоприятных условий для автоматизированной разварки выводов, Сокращаются ошибки прзиционирования и техпотери в зависимости от оборудования на 0-457., сроки технологической подготовки производства и затраты на усложнение сварного оборудования.Форма монтажной площадки в виде...

Номер патента: 1619359

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Абраров

МПК: H01L 23/04

Метки: кристаллы, ориентированного, пластины, полупроводниковой, разделения

...материала.Плотность силы разламывания пластинОна кристаллы в ячейке в первом случаеопределяют из выражения(4) Поскольку наиболее ответственным участком при разделении пластины является ячейка с зазором (Е + д) и именно параметры этой ячейки обуслов- ливают процесс беспрепятственного разламь,вания пластины на кристаллы, то необходимую напряженность электрического поля и плотность силы раэламывания определяют из выражений (2) и (4).При этом толщинаи диэлектрическая проницаемость Е пленочного материала известны. Например, для материала полиэтилентерефталат ПЭТФ толщина пленок составляет 10-12 мкм, Я = = 3, 1, для фторлона ФБА 10 мкм, Е = = 8,6. Задаваясь, например, напряжением питания устройства в 1,6 кВ, определяют необходимую...

Номер патента: 1721667

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Варданян, Манасян

МПК: H01L 23/04

Метки: полупроводниковый, силовой, узел

...транзисторной структурой 2, эмиттер которой соединен через молибденовую кольцевую шайбу 3 с медным электродом 4, на выступе которой закреплена низковольтная быстродействующая транзисторная структура 5, при этом соединяющая шина 6 базы силовой транзисторной структуры расположена в отверстии 7, выполненном в боковой части медного электрода 4, диодную цепь 8, закрепленную через изолятор 9 на внешней поверхности кольцевого упора 10, установленного с помощью болтов 11 через изолирующую шайбу 12 и пружину 13 на основании 1, при этом пружина 13 расположена между кольцевым упором 10 и изолирующей шайбой 12, установленной в проточке электрода 4.Используя в качестве обьекта серийно выпускаемые силовые транзисторные и диодные структуры типа ТК и...