Пьезоэлектрический керамический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ нижение диэлекти повышение пьеГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Рижский технический университет(56) Авторское свидетельство СССРМ 729167, кл. С 04 В 35/00, 1980,Авторское свидетельство СССРМ 1512954, кл. С 04 В 35/00, 1989,(54) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИСКИЙ МАТЕРИАЛ Изобретение относится к пьезотехникеи может быть использовано для высокочастотных акустических преобразователей.Известные пьезокерамические мате-.риалы со слоистой перовскитоподобнойструктурой имеют относительно высокиезначения диэлектрической проницаемости ( е выше 100), Так у керамики,содержащей оксиды К 20, В 120 з, Т 102. иЧЧОз, диэлектрическая и рон ицаем остьравна 105. Пьезокерамика, содержащая окСиды К 20, В 120 З, Т 102, И/ОЗ и/или йЬ 206,Та 205, имеет е - 110 - 140, У материала,содержащего РЬО, В 120 з, Т 102, МЬ 205 иЮОз, диэлектрическая проницаемость равна 150,Наиболее близким техническим решеьием к предлагаемому является пьезокерамический материал, содержащий мас.ф:РЬО 24,45, В 120 з 51,04, Т 102 8,75 и МоОз15,76. К недостатку этой керамики относит.,Ы 1728189 А 1(57) Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических высокочастотных акустических преобразователей. Для снижения диэлектрической проницаемости и повышения пьезомодуля бзз пьезоэлектрический керамический материал содержит дополнительно Та 20 Б и Сг 20 з при следующем соотношении компонентов, мас,: В 120 з 47,76 - 52,17; МоОЗ 11,78 - 13,98; РЬО 11,41 - 13,34; Та 20 Б 22,24 - 26,82 и Сг 20 з 0,2 - 0,3, полученный следующим способом: синтез при 700 С, 4 ч: спекание при 940-945 С, 1 ч; материал имеет следующие характеристики: е 40 - 50; 19 д 0,004 - 0,006; бзз 9,1 - 10,3 10 Кл/Н, 2 табл. ся относительно высокое значение диэлектрической проницаемости (80 на частоте 10 Гц),Цель изобретения - срической проницаемостизомодуля бзз.Поставленная цель достигается тем, что пьезокерамический материал, включающий РЬО, В 120 з, МоОЗ, содержит дополнительно Та 205 и Сг 20 з при следующем соотношении компонентов, мас,0:РЬО 11,41 - 13.34 В 120 з 47,76 - 52,17 МоОз 11,78 - 13,.98 Та 205 22,04 - 26,82 С г 205 0,2-0,3,Известно использование Сг 20 з с целью повышения пьезомодуля бзз.Керамику получают методом, обычной керамической технологии из оксидов свинца, висмута, тантала, молибдена и хрома( все марки ч.д.а.). Смешивание и измельчение компонентов осуществляют в яшмовом барабане в среде изопропилового спирта., время помола 20 ч. Шликер высушивают при 150 С, запрессовывают в брикеты под удельным давлением 800 кг/см и синтезизруют при 700 4 ч, После измельчения в течение 24 ч в среде изопропилового спирта высушенный шликер в диски диаметром 12 мм толщиной 2 мм. В качестве связки используют 3-ный водный раствор поливинилового спирта. Спекание проводят при 940 - 945 ОС, выдержке 1 ч. На сошлифованйые диски наносят электроды методом напыления алюминия в вакууме. Поляризацию осуществляют в полисилоксановой жидкости при 150 С и напряженности поля 50-70 кВ/см.Химический состав материалов, разработанных по описанной технологии, приведен в табл,1, Определенные по стандартным методикам керамические (ГОСТ 473.1-81) и электрические (ГОСТ 12370-80) свойства материалов и прототипа(ПР) даны в табл.2. По сравнению с прототипом, значение диэлектрической проницаемости предлагаемого материала снижено5 почти вдвое. При этом несколько повышенозначение пьезоэлектрического модуля бзз,Предлагаемый материал может найти применение в качестве высокочастотных акустических пьезопреобразователей. Материал10 испытан и дал положительные результаты,Формула изобретенияПьезоэлектрический керамическийматериал, включающий В 20 з, МоОз и РЬО,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью15 снижения диэлектрической проницаемостии повышения пьезомодуля бзз, он содержитдополнительно Та 205 и Сг 20 з при следующем соотношении компонентов, мас;В 203 47,76 - 52,17;20 МоОз 11,78 - 13,98;РЬО 11,41-13,34;Тд 205 22,24 - 26,82;СггОз . 0,2-0.3,
СмотретьЗаявка
4838202, 03.05.1990
РИЖСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
КОРЗУНОВА ЛЮДМИЛА ВАСИЛЬЕВНА, ГОРДИЕНКО ИРИНА ВЯЧЕСЛАВОВНА, НОВИКОВА ЗОЯ ПАВЛОВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/00, H01L 41/18
Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический
Опубликовано: 23.04.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1728189-pezoehlektricheskijj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Пьезоэлектрический керамический материал</a>
Способ калибровки и аттестации измерителя диэлектрической и магнитной проницаемостей материалов
Номер патента: 1705727
Опубликовано: 15.01.1992
МПК: G01N 22/00
Метки: аттестации, диэлектрической, измерителя, калибровки, магнитной, проницаемостей
...с требованияли заказчика обусловливается диап;зон значений электромагнитных параметров и задаются величины р ие, для конкретных1,частот и толщин образцов материалов. Для заданных,и,ие,е расчетным пултем определяются величины перемещений поршней 4 и 5 для резонатора 2 с образцом 7 и без в режимах короткого замыкания и холостого хода, равнозначные и такие же, 1705727как если бы в тракт был помещен реальный образец с указанными параметрами, т, е, решается задача по определению изменения резонансной длины коаксиального резонатора 2, Разность резонансных длин 1, 1 2 дает возможность рассчитать значения ,ие ),аЬъ Л 1 - значея,и (е )соответственно в опытах короткого замыкания и холостого хода, Полученные значения перемещений поршней 4 и 5...
Вакуумплотный керамический материал
Номер патента: 150047
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: C04B 35/20
Метки: вакуумплотный, керамический, материал
...по весу: окиси магния - 39,7; талька - 49,5; химически чистого углекислого бария - 7,0 и бентонита - 3,8,Керамический 1 материал предложенного состава обладает более,высокими диэлектрическим и термохимическим свойствами и может быть изготовлен известным способом горячего литья,под давлением. В процессе изготовлен 1 ия изделий массу размалывают в шаровой мельнице до остатка от 0,1 до 0,3% и на сите 270, после чего обжигают на спек при температуре от 1270 до 1300. Спек вторично размалывают до удельной поверхности 6000 - 6500 см/г с добавлением 0,7% олеиновой кислоты в качестве поверхностного активного вещества, В размолотый спек вводят от 10 до 12% парафиновой связки. Приготовленный спек вакуумируют и используют для изготовления...
Переплетный материал и способ его получения
Номер патента: 1067113
Опубликовано: 15.01.1984
Авторы: Аким, Белкания, Боев, Гольденберг, Журавлев, Зайонц, Левечева, Овчинников, Пацация, Рудик
МПК: D21H 1/28
Метки: материал, переплетный
...Глицерин 84,5ОП0,8 П р и м е р 4. Берут бумагу-ос-нову массой 170 г/м, наносят лице 45 вой слой следующего состава, мас,ЪгНитромастика61,2Суховальцованнаяпаста состава(нитроцеллюлоза,пигмент, пластификатор 10) 2,9Касторовое масло 1,8Дибутилфталат 1,8Диметилолмочевина 0,36Хлористый магний 0,04Этилацетат 10,15Этиловый спирт 21,7Приготовленный состав наносят на машине с жестким шабером, сушат при90 С, затем материал тиснят на ка 60 ландре. На обратную сторону бумагинаносят иэнаночный слой, содержащий те же компоненты, что и в примерах 1-3, но в другом соотношении,Сушат материал после нанесения из 65 наночного слоя при 80 фС. После высыхания слоев материала имеет следующий состав, мас.Ъ:Лицевой слой 30,0Иэнаночный слой б., 0Бумага -основа 6...
Антенна для измерения диэлектрической и магнитной проницаемостей многослойных листовых материалов
Номер патента: 1083131
Опубликовано: 30.03.1984
Авторы: Адамчук, Морозов, Прохода
МПК: G01R 27/26
Метки: антенна, диэлектрической, листовых, магнитной, многослойных, проницаемостей
...содержащая основной отрезок прямоугольного волновода, открытый конец которого контактируетс исследуемьпч многослойным лиСтовымматериалом, а другой конец являетсявходом для подсоединения генератора СВЧ 2 . 10152030 прямоугольного волновода являетсяцентральным излучателем плоскойфазированной решетки, фазовый сдвигв Н-плоскости сканирования равено о180 , а в Е-плоскости - ОПри числе излучателей не менее 5 х 5=25 законы отражения отприкладываемого листа магнитодиэлектрика практически совпадаютс законом отражения для бесконечнобольшой решетки с бесконечно боль-.шим приложенным листом магнитодиэлектрика,При этом известно, что для устройства бесконечно больших размеров законы отражения совпадают сзаконом отражения, который получается, когда в...
Способ изготовления структур кремниевых интегральных схем с диэлектрической изоляцией компонентов
Номер патента: 1222149
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер
МПК: H01L 21/74
Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...
Предыдущий патент: Способ изготовления строительной керамики
Следующий патент: Периклазоуглеродистая торкретмасса
Случайный патент: Устройство для крепления труб с изоляционным покрытием на транспортном средстве