Интегральная микросхема в матричном корпусе

3 172 пусом единой структуры, что приводит в процессе эксплуатации к опасности отслоения теплоотвода и невозможности выполнения своих функций.Наиболее близкой к предлагаемой является интегральная микросхема, содержащая нижнее диэлектрическое основание, монтажные слои межсоединений с рисунком металлизации, матричной сеткой выводов, вырезом для установки полупроводникового кристалла, медный теплоотвод по размеру отверстия в нижнем диэлектрицеском слое, кристалл, смонтированный в вырезе на поверхности теплоотвода, соединения со слоями межсоединений, герметизирующий слой 131-.Однако известная схема имеет следующие недостатки: необходимо изготовление дополнительного нижнего диэлектрического слоя и отдельного теплоотвода для каждой микросхемы, что снижает производительность при производстве интегральных микросхем, уменьшает теплорассеивающую площадь теплоотвсда, не реализуется возможность группового метода изготовления.Целью изобретения является повышение надежности и технологичности микросхемы,В интегральной микросхеме в мат. ричном корпусе, содержащей полупро- .водниковый кристалл, размещенный в корпусе, проволочные перемычки, соединяющие контактнь;е площадки кристалла с контактными площадками корпуса, пакет металлизированных монтажных слоев, теплоотвод и выводы, размещенные в отверстиях монтажных слоев; теплоотвод выполнен составным, одна часть которого выполнена в виде металлической пластины, площадь которой равна площади пакета монтажных слоев, а другая выполнена в виде металлизированной монтажной площадки кристалла и соединена с металлической .пластиной через металлизированнье отверстия в монтажных слоях, отверстия для выводов выполнены сквозными,проходящими через монтажные слои и пластину теплоотвода,диаметр отверстий в пластине теплоотвода выбран превышающим диаметр выводов,) при этом зазоры между стенками от" верстий и выводами заполняются ди 52944электриком, поверхность которого состороны отверстий металлизирована. Предлагаемая интегральная микросхема в матричном корпусе отличаетсяот известной тем, цто теплоотвод выполнен составным, одна часть котороговыбрана равной площади монтажных сло 1 Оев, матричная сетка отверстий в немзаполнена диэлектриком и сквозныеотверстия, предназначенные для установки штырьковых выводов, имеют металлизацию, связанную с монтажнымислоями межсоединений, при этом конструкция теплоотвода позволяет проводить изготовление матрицных корпусов, сверление отверстий .в монтажныхслоях, их металлиэацию, а также се 2 О лективное нанесение покрытий наконтактные площадки корпуса и монтажные площадки для установки полупроводниковых кристаллов, установку кристаллов и разварку перемычек группод вым способом, что увеличивает произ"водительность при изготовлении интегральных микросхем.Известны интегральные микросхемыв матричном корпусе, которые содержат основание из органицеской смолыс металлизированным рисунком межсоединений, выемкой для размещения полупроводниковых элементов в центреподложки, полупроводниковый кристалл,соединения его со схемой межсоединений и слой отвержденного герметика.Однако в указанных схемах не предусмотрена возможность получения корпуса интегральной микросхемы в од 40ном пакете совместно с теплоотводом,площадь внешней части которого выбрана равной площади монтажных слоев,На фиг.1 представлены составныечасти пакета; на фиг, 2 - интеграль 4ная микросхема в матричном корпусе всборе, разрез,Интегральная микросхема содержитплоский теплоотвод 1 (фиг.1) иэ ме 50 таллицеского, например медного илиалюминиевого, листа с матричной сеткой отверстий 2, диаметр которыхвыбран превышаюшимдиаметр металлизированных отверстий. 3 (фиг,2) под55штырьковые выводы 4, монтажные слои5 фиг.1) с рисунком металлизациимежсоединений, прокладки слоев стеклоткани 6, пропитанной эпоксиднойсмолой (препрег), Слои 1, 5 и 651 состабляют пакет 7 (фиг. 1 и 2).Интегральная микросхема содержит также заполняющий полимером эпоксидной смолы препрега отверстия 2 матричной сетки общего теплоотвода электроизоляционный слой 8 (Фиг.2), металлизированные отверстия 9, обеспечивающие межсоединения монтажных слоев, металлизированные отверстия 10 соединительных дорожек общего теплоотвода 1 (Фиг.1 и 2) и тепло-. отводов монтажных площадок кристал" лов 11 (Фиг.2), слой 12 металли" зации отверстий 3, 9 и 10, контакт" ные площадки 13 наружного металлиэированного слоя 5 (Фиг.1 и 2) селективные контактные покрытия 14 (фиг,2), в частности из никеля " золота, полупроводниковый кристалл 15, проволочные перемычки 16, соединяющие контактные площадки 17 кристаллов 15 и контактные площадки 13 монтажных слоев 5, Контактные площадки 13, кристалл 15, перемычки 1 Ь и отверстия 10 загерметизированы эпоксидным герметиком 18.Использование предлагаемой интегральной .микросхемы по сравнению с известными повышает производительность изготовления интегральных микросхем в матрицных корпусах за счет прессования последних в одном пакете совместно с теплоотводом, создает электроизоляционный слой в сетке отверстий теплоотвода. Конструкция позволяет одновременно получать в пакете отверстия под штырьковые выводы, межсоединения монтажных 725294слоев и соединительные дорожки общего теплоотвода и теплоотводов монтажных площадок кристаллов, совме 5 стно проводить их последующую металлизацию. Кроме того, обеспечивается групповая сборка интегральных микросхем с матричными корпусами.Формула изобретенияИнтегральная микросхема в матричном корпусе, содержащая полупроводниковый кристалл, размещенный в кор пусе проволочные перемычки, соединяющие контактные площадки кристалла с контактными площадками корпуса,пакет металлизированных монтажныхслоев, теплоотвод и выводы, разме щенные в отверстиях монтажных слоев,о т л и ч а .ю щ. а я с я тем, что,с целью повышения надежности.и технологичности, теплоотвод выполненсоставным, при этом одна часть еговыполнена в виде металлической пластины, площадь которой равна площадипакета монтажных слоев, а другаяцасть выполнена в виде металлизированной мотажной площадки кристалла 30 и соединена с металлической пластиной через металлизированные отверстия в монтажных слоях, причем отверстия для выводов проходят черезпластину теплоотвода с диаметром, 35 превышающим диаметр выводов, а зазоры между стенками отверстий и выводами заполнены диэлектриком, поверхность которого со стороны вывода металлизирована.1725291 1с сРоз ставительТехред и.дид Редактор И.Шулл орректор И.Самборскаятет теттттттт т 3 к т т,е В иэобрет Раущс роизв ский комбинат "Патент", г.уагород, ул. Гагарин енно"иэда т ее ве Е т вте ве ее ве в Заказ 1180 Тираж НИИПИ Государственного комитета по113035, Москва, Ж-З Подписноеиям и открытиям при ГКНТ СС я наб., д. 4/5