Патенты с меткой «р-п-структур»

Способ выращивания карбидкремниевых р-п-структур политипа 6н

Загрузка...

Номер патента: 1726571

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дмитриев, Рендакова, Челноков

МПК: C30B 19/00, C30B 29/36, H01L 21/208 ...

Метки: выращивания, карбидкремниевых, политипа, р-п-структур

...они, по-видимому, иг- давления 3 10 мм рт.ст. последовательнорают роль фактора, увеличивающего 25 ротационным и цеолитовым насосами, авероятность образования ЗС-ЮС, Другой затем втечение 15 мин продували очищенс ественный недостаток метода - невоз- ным водородом. Величину расхода водоможность получать эпитаксиальные слои, рода устанавливали 2 д /ущз,содержащие акцепторную примесь с необ- Осуществляли нагрев тигля с навесками доходимой концентрацией. Это связано стем, .30 500 С, затем в течение 1 ч осуществлялиочто используемый в качестве растворителя отжиг при 500 С,для жижидкостной эпитаксии Оа входит в расо -зПосле отжига увеличивали нагревотущий материал на уровне 10 см и его тигля до 1200 С и в течение 0,5 ч выдерсодержание не...