Способ формирования пленки нитрида кремния

19) (1) СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1 21/31 ИЕ ИЗОБРЕ ОПИ Е ВТОРСКОМ ИДЕТЕЛЪСТВ(57) Изобретение относится к технологии обработки и производству сверхбольших интегральных схем, Оно может быть использовано для плазменного осаждения пленки нитрида кремния. Целью изобретения является повышение качества пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений. Цель достигается . тем, что после осаждения пленки нитрида кремния толщиной 50-200 нм проводят дополнительную обработку в плазме аммиака в течение 2-10 мин, затем осаждают пленку до заданной толщины при первоначальных условиях, Осаждение пленки нитрида кремния проводят в плазме смеси моносилана (1 7 ч), аммиака (4 - 8 г), азота (15 - 5 О г) при плотности мощности 30 - 60 мВт/см . 1 табл.2 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР 1(56) Коз 1 ег Я;, Епде 6. 1 РСЧО - Турс. Разп)а епЬапсеб берозИ 1 оп Яузтеа., Зо 1, Злате Тес 1)по 1, 1979, ч.22, р. 88-92.Ча 111 еб 1. Ргерагабоп апб сЬагасТег 1 зат 1 оп о 1 р 1 азп)а сЬегл 1 са 1 чарог берозетеб зПсоп п 1 тг 1 бе апб охуп 11 г 1 бе Вез.,1, Час, Зс 1 апб ТесЬпо 1 оду 1987, %4, р, 1675-1679. 54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ. ПЛЕНКИНИТРИДА КРЕМНИЯ Изобретение относится к технологии электронной техники, в частности ктехнологии осаждения пленки нитрида кремния хи-. мическим осаждением из газовой фазы ,активированной плазмы и может быть использовано для создания межуровневого диэлектрика и пассивирующих покрытий. при изготовлении сверхбольших интеграль.- ных схем,Для создания СБИС необходима новаЮ технологическая база, характеризующаяся разработкой низкотемпературных процес- . сов наряду с созданием прецизионных методов литографии, травления, Повышение качества осажденных пленок достигается за счет повышения их электрической прочности, снижения дефектности, повышения стабильности свойств диэлектриков для обеспечения высокого выхода годных кристаллов и воспроизводимых параметров элементов с субмикронными размерами.Известен способ осаждения пленки нитрида кремния, включающий размещение кремниевых подложек с активными и пассивными элементами в реакторе, откачку реактора до .необходимого остаточного давления; нагрев подложек до 3600 С в потоке инертного газа, зачистку поверхности подложек в плазме инертного газа, вакуумирование реактора, введение в реактор смеси моносилана,с аммиаком при соотношении ингредиентов 1: (5,1 - 8,2) в плазме ВЧ-разряда с частотой 450 кГц приплотности мощности 20 мВт/см при пони- женном давлении.Данному способу присущи следующие недостатки; высокое содержание водорода в осаженной пленке нитрида кремния, ибо осаждение проводится при частоте 450 кГц при соотношении Омн,/Оин, = 1(5,1-8,2): трудность управления свойствами пленки и уровнем механических напряжений в них из-за того, что в системе с емкостным разрядом при изменении соотношения ингредиентов происходит изменение емкости и плотности мощности, а также высока чувствительность к флуктуациям процесса; из-за различия в энергии диссоциации моносилана и аммиака происходит формирование подслоя нитрида кремния с аномально большой концентрацией кремния, что обуславливает повышение дефектности пленки, снижение ее электрической прочности и возрастание механических напряжений, их стабильность по величине, а также ухудшение их зарядовых характеристик. Данные недостатки не позволяют использовать способ осаждения пленки нитрида кремния химическим осаждением из газовой фазы активированной плазмы при изготовлении сверхбольших интегральных схем.Наиболее близким по технической сущности является способ осаждения пленки нитрида кремния, включающий размещение кремниевых подложек со сформированными активными и пассивными элементами в реакторе, откачку реактора до необходимого остаточного давления, нагрев подложек до 250-380 С в потоке инертного газа, зачистку поверхности подложек в плазме инертного газа, вакуумирование реактора, введение в реактор смеси моносилана с аммиаком при соотношении ингредиентов 1- (5.8: 7,3) и осаждение пленки нитрида кремния в плазме ВЧ-разряда с частотой 40 кГц при плотности мощности 30-60 мВт/см при пониженном давлении,Однако известный способ не лишен недостатков, Высокая. чувствительность системы с емкостным разрядом к соотношению ингредиентов из-за сопуствующего изменения емкости и плотности мощности обуславливает сложность управления свойствами пленки при высокой чувствительности характеристик пленок к флуктуациям процесса осаждения. Относительно высокое содержание водорода в осажденных пленках нитрида кремния из-за того, что осаждение проводится в системе 81 Н 4-ЙНз, обуславливает снижение качества пленок.Из-за того, что энергия диссоциации моносилана ниже. чем аммиака (3,1 и 3,6 эВ соответственно) происходит формирование 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 подслоя нитрида кремния с аномально большой концентрацией кремния, который определяет механические свойства системы, способствует повышению дефектности пленки нитрида кремния и снижению ее электрической прочности. Обогащение кремнием слои рыхлые, содержат большое количество дефектов, таких как оборванные 31-связи, 31-8-связи, группы 31-Н, образующих локализованные состояния в запрещенной зоне и играющих роль ловушечных и/или рекомбинационных центров в нитриде кремния, что приводит к ухудшению диэлектрических свойств: увеличению пористости, токов утечки, снижению пробивного напряжения, ухудшению зарядовых характеристик. Неоднородность пленки плазмохимического нитрида кремния по глубине за счет образования обогащенного кремнием подслоя существенно влияет на электрические свойства пленки и их механические напряжения, Недостатки ограничивают использование известного способа осаждения пленки нитрида кремния при изготовлении сверхбольших интегральных схем.Целью изобретения является повышение качества пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений.Согласно способу осаждения пленки нитрида кремния, включающему размещение кремниевых подложек со сформированными активными и пассивными элементами в реакторе, откачку реактора до необходимого остаточного давления, нагрев подложек до 250-380 С в потоке инертного газа; зачистку поверхности подложек в плазме инертного газа, вакуумирование реактора, введение в реактор смеси моносилана с аммиаком и осаждение пленки нитрида кремния заданной толщины в плазме ВЧ-разряда при плотности мощности 30-60 МВт/см при пониженном давлении, обработку подложек в плазме аммиака, дополнительно к смеси моносилана с аммиаком в реактор вводят азот при соотношении ингредиентов 1:(4-8): (15-50) и осаждают подслой нитрида кремния толщиной 50 - 200 нм, прекращают подачу моносилана с азотом, затем проводят обработку подслоя в аммиаке в течение 2-10 мин при плотности мощности 30-60 мВт/см и давлении 33-120 Пе, после чего доращивают пленку нитрида кремния до заданной толщины из смеси моносилан - аммиак - азот при соотношении ингредиентов 1; (4-8): (15-50),Предлагаемый способ отличается от известного тем, что дополнительно к смеси моносилана с аммиаком в реактор вводят азот при соотношении ингредиентов 1; (4- 8): (15-50) и осаждают подслой нитрида 5 кремния толщиной 50-200 нм, прекращают подачу моносилана с азотом, затем проводят обработку подслоя в аммиаке в течение 2-10 мин при плотности мощности.30-60 мВт/см и давлении 33-120 Па, после чего 10 доращивают пленку нитрида кремния до заданной тоЛщины из смеси моносилан - аммиак - азот при соотношении ингредиентов 1;(4-8): (1 5-50).-При осаждении пленки нитрида крем ния в плазме ВЧ-разряда в смеси моносилан - азот необходимы соотношения ингредиентов больше или равные 10 - 10г .3 для обеспечения большого избытка азота с целью избежания образования обогащен ной кремнием пленки, так как энергия диссоциации азота в трое больше энергии диссоциации ИНз и составляет 9,83 эВ, При этом из-за высокого суммарного потока реагентов, необходимости использования 25 плотностей мощности 0,8 - 1,2 Вт/см укаг занный процесс невозможно осуществить в промышленном горизонтальном трубчатом реакторе с емкостным возбуждением плазмы и осаждение пленок осуществляется,в 30 лабораторных реакторах, что обуславливает практическую невозможность использования данной смеси для серийного изготовления плазменной пленки нитрида кремния. Кроме того, из-за высоких плотностей мощ ности плазмы наблюдается сильная деградация характеристик МДП-структур, тонких диэлектрических пленок из-за радиационных. повреждений, что обуславливает снижение выхода годных и неприменимость 40 способа при производстве сверхбольших интегральных схем.Повышение качества пленки нитрида кремния, осаждаемой в плазме ВЧ-разряда, обусловлено,следующим: так как сначала 45 осаждают подслой нитрида кремния из смеси 9 Н 4 - ННз - йг при соотношении ингредиентов. 1: (4-8); (15-50), обеспечивается снижение чувствительности системы с емкостным разрядом к изменению содержа ния 9 Н 4 и МНз в смеси, что обуславливает снижение чувствительности к флуктуациям процесса осаждения, повышение воспроизводимости зарядовых характеристик пленок, снижается концентрация водорода в 55 осаждаемой пленке из-за бомбардировки. поверхности подложки ионами азота и нейтральным азотом, что облегчает элимирование водорода и способствует снижению концентрации дефектав типа 9-9-связей,оборванных связей, а также повышению -. плотности пленок.Обработка подслоя толщиной 50-200 нм в аммиаке в течение 2-10 мин при плотгности мощности 30-60 мВт/см и давлении 33-120 Па позволяет провести насыщение оборванных связей азотом и сократить количество нестабильных 51 Н,- 9-9- связей в подслое. Адсорбция азотсодержащих радикалов происходит в первую очередь по порам, как по активным центрам, с образованием 9-й-связей с эффективным уменьшением 31 - Я и оборванных связей, При этом уменьшается количество избыточного кремния, 51-В и 9 Н-связей, увеличение плотности пленок, что приводит к улучшению качества пленки нитрида кремния, улучшению зарядовых характеристик, снижению дефектности при уменьшении механических напряжений. Затем доращивают пленку до заданной толщины при отношении ингредиентов (51 Н 4-ИНз-йг) как при осаждении подслоя. При этом происходит закупорка пор, что обуславливаетувеличение электрической прочности и снижение дефектности.Выбор режима и толщины при формировании подслоя нитрида кремния, режимов обработки в аммиаке и доращивание пленки до заданной толщины сделан на основании экспериментальных результатов, При толщине подслоя менее 50 нм условия процесса нестационарные и свойства пленок .нитрида кремния нестабильны, Обработка подслоя данной толщины в аммиаке не позволяет существенно уменьшить уровень механических напряжений в пленках и улучшить их зарядовые характеристики, что обуславливает снижение качества нитрида кремния. При толщине подслоя более 200 нм не удается провести выравнивание свойств пленки по всей толщине, т.е. примыкающий к подложке слой обогащен 31, следовательно, ухудшаются диэлектрические свойства: снижается электрическая прочность (уменьшаются пробивные напряжения), ухудшаются зарядовые характеристики при повышенных механических напряжениях, В конечном итоге указанные пленки характеризуются низким качеством.При осаждении подслоя из смеси 9 Н 4 - МНз - Иг при соотношении меньше, чем 1: 4; 15, наблюдается осаждение пленок с повышенным содержанием оборванных 9-. связей, 9 - 31-связей, ухудшение диэлектрических свойств, ухудшение зарядовых характеристик и. следовательно, снижение качества пленки нитрида кремния.При осаждении подслоя из смеси 51 Н - ИНз - йг при соотношении более 1: 8; 50из-за увеличения суммарного потока ухудшается стабильность работы вакуумной системы, происходит увеличение привносимойдефектности, ухудшается качество пленкинитрида кремния,При обработке подслоя в плазме аммиакав течение менее 2 мин, плотности мощностименее 30 м Вт/см и давлении менее 30 Па непроисходит полное залечивание оборванныхР-связей, уменьшение В-Н-связей, что обуславливает увеличение дефектности, снижение пробивных напряжений приповышенных механических напряжениях иухудшение зарядовых характеристик.При обработке подслоя в плазме аммиака в течение более 10 мин, в плотностимощности более 60 мВт/см и давлении более 120 Па не происходит дальнейшего качества пленок нитрида кремния. Наоборот.увеличение давления способствует ухудшению десорбции водорода и эарчдовых характеристик.При доращивании слоя из смеси 9 Н 4 -ИНз - И при соотношении меньше, чем 1:4: 15, наблюдается снижение электрической прочности и ухудшение зарядовых характеристик из-за повышениячувствительности к флуктуациям процессаосаждения и увеличения Я - оборванныхсвязей,При доращивании слоя из смеси ЯН 4 -ИНз - Иг при соотношении 1: 8: 50 из-эаувеличения суммарного потока реагентовухудшается стабильность работы вакуумнойсистемы, происходит увеличение привносимой дефектности и ухудшается качествопленки,Например, осаждение пленки плазмохимического нитрида кремния осуществляют на установке Ладас горизонтальнымтрубчатым реактором и горячими стенкамии вводом мощности сзади. Используют ва. куумный агрегат ЯЯЧ - 500(фазапзе 1), Величину давления поддерживают путем подачирегулируемого потока азота на вход насоса. В таблице представлены примеры осуществления способа осаждения пленки нитрида кремния,Электродная система состоит из шести графитовых электродов, Электроды объеди, нены через один и подключены к генератору плазмы с частотой 40 кГц (примеры 1-22 и 45) и 465 кГц (примеры 23 - 44 и 46), Соседние графитовые пластины изолированы одна от другой при помощи керамических изоляторов, Подложки, прошедшие цикл изготовления кристалла К 56 РУ 5 до блока формирования пассивации, крепятся к электродам при помощи штырьков с использованием пинцета. Суммарный поток газовой смеси не превышает 2500 см /мин. Температура осаждения пленки во всех примерах составляет 30012 С,Количество одновременно обрабатываемых пластин в зависимости от используемой многоэлектродной системынодложкодержателя изменяется в пределах40 - 80 шт. диаметром 100 мм. Толщина плен 10 ки нитрида кремния составляет 0,4 мкм,Осаждение пленки нитрида кремния осуществляют при пониженном давлении (примеры 1-11 и 23-33 при давлении 99 Па, апримеры 12-22 и 34-44 при давлении 22515 Па), Конструктивно генератор позволяетосуществлять управление мощностью припомощи микропроцессора в диапазоне 2580 мВт/см, Конструкция реактора позволяет осуществлять его встроенную20 самоочистку и подачу реагентов спереди исо стороны откачки, Используют азот электронного класса чистоты, моносилан - концентрат ТУ 6 - 02-1163 - 79, жидкий аммиакособой чистоты ТУ 113 - 17 - 27 - 515 - 89.25 Процесс включает загрузку подложек награфитовые электроды и размещение их вреакторе, откачку реактора до остаточногодавления не более 13,3 Па, нагрев подложекв потоке аргона или азота, зачистку поверх 30 ности подложек в плазме азота (аргона), откачку - вакуумирование реактора, плавноеувеличение потока И 2, ИНз, ЯНа и их стабилизацию, включение генератора и осаждение подслоя нитрида кремния (в примере,35 соответствующем известному, всей пленкинитрида кремния), прекращение подачи И 2,Я Н и обработку подложек в плазме, плавное увеличение потока И, Я 1 Н, их стабилизацию и доращивание пленки до заданной40 толщины, обработку пленки в плазме аммиака, одинаковую для всех процессов осаждения, откачку, продувку реактора азотом,прекращение откачки и напуск реактораазотом до атмосферного давления и выгруз 45 ку подложек с осажденной пленкой кремния.Толщина осаждаемой пленки составляет 0,4 м м, Толщина пленки определяетсянеразрушающим способом при помощи50 прибора МРЧ-ЯР(Ф 1 ейз),Исследование распределения ЯИ потолщине пленки нитрида кремния проводятметодом резерфордовского обратного рассеяния, Для анализа используются ионы55 Не+ с энергией 1,5-2,0 МэВ. Энергия обратно рассеянных ионов регистрируется полупроводниковым поверхностно-барьернымдетектором с энергетическим разрешением11,9 кэВ. Энергетическое разрешение спектрометрического тракта составляет 17 кэВ,Амплитудный анализ импульсов проводится многоканальным анализатором с встроенным регистраторам лмпульсов. Относительные концентрации элементов определяются с точностью расчета 2,5, Элек трическая прочность определяется по формуле прЕпр = - -б 10 где Е - напряженность пробоя. характеризующая электрическую прочность:Опр - пробивное напряжение;б - толщина пленки нитрида кремния, 15Показатель преломления определяется при помощи лазерного эллипсометра, плотность дефектов - при напряженности поля 5 мВ/см по формуле20- и ( -- )и й О= ---- ,и 25 где- -- даля годных структур, не пробиМтых при данной напряженности поля:и - количество пробитых конденсаторов;й - количество измеренных конденса торов:я - площадь тестовой структуры. Площадь тестовой структуры для контроля дефектности составляет 16 мм . Меха нические напряжения о ( МПа) измеряют при помощи рентгеновского дифрактометра типа Дрон 1,5, плотность поверхностных состояний й (см) - при помощи системы 4061 А, Прирост привносимых дефектов 40 (Ьотн.ед.) определяют при помощи прибора Зог 1 сап - 4500 как разницу между количеством частиц размером более 0,5 мкм после осаждения и на исходных подложках диаметром 100 Фм и нормируют к приросту при вносимых дефектов для известного способа.Примеры 1 - 3, 12 - 14, 23 - 25 и 34-36 в таблице иллюстрируют предлагаемый способ осаждения пленки нитрида кремния. В 50 примерах 4-11, 15-22. 26-33, 37-44 технологические параметры при осаждении подслоя, его обработке в аммиаке и при доращивании пленки до заданной толщины выходят за пределы, указанные в предлага емом способе. В примере 45 и 46 приведены результаты известного способа,Результаты, приведенные в таблиЦе показывают, что предлагаемый способ(примеры 13, 12 14. 23 25 и 34 -36) позволяет повысить качество пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снлжения дефектности и механических напряжений. При этом электрическая прочно. сть возрастает в 1.3-2,8 раз, плотность поверхностных состояний уменьшается в 3,0-4,4 раз, плотность дефектов уменьшается в 1.9 раэ, а механические напряжения - в 3,2 р,Из таблицы очевидна нецелесообразность использования способа осаждения пленки нитрида кремния, при реализации которого технологические режимы при формировании подслоя, его обработке в аммиаке и доращивании пленки до заданной толщины выходят за предлагаемые пределы. 8 примерах 45 и 46 (известный) напряженность пробоя составляет 7,2 (7,8) МВ/см, плотность поверхностных состояний 7,2 (7,8) . 1011 смплотность дефектов-г,0,35 (0,38) смг, величина механических напряжений 2,56-(2,85) МПа.Полученные результаты свидетельствуют, чта по сравнению с известным предлагаемый способ позволяет повысить качество пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности; улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений. При этом электрическая прочность возрастает в 1,32,8 р, плотность поверхностных состояний уменьшается в 3,0 - 4,4 раз, плотность дефектов уменьшается в 1,9 раз, а механические напряжения в 3 раза.Формула изобретенияСпособ формирования пленки нитрида кремния, включающий размещение кремниевых подложек со сформированными структурами в реакторе, откачку реактора, нагрев подложек до 250 - 380 С в потоке инертного газа, зачистку подложек в плазме инертного газа, осаждение пленки нитрида кремния в плазме смеси моносилана с аммиаком при плотности мощности 30-60 мВт/см, обра 2 ботку пленок в плазме аммиака, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения качества пленки за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений, в плазмообразующую смесь моносиланэ с аммиакомдобавляют азот., процесс осаждения проводят при рабочем давлении 70-266 Па и соотношении компонентов в смеси моносилана -часть аммиака - 4 - 8 частей азата 15-502-10 мин при плотности мощности 30-60 мВт(смрабочем давлении 33 - 120 Па, после чего продолжают осаждение пленки нитрида кремния до заданной толщины припервоначальных условиях,л ма ф ф ф ф фв в е о о о о о- а м ОЪ ОЪ ОЪ в во о о ф со л с с о оСО ОЪ в с о о 1 1 1 а 1 фво 1 а ъо м счОъ Оъ4 4В С ю Ф Ф О О а ф сч а43 ФО а . ОСч СФЪМСО ОЪво о ф мо с с ФОъо ав И ЪО- ф 4о в е с с се11 Ч1 счв1 о1111111о11 М-ао1 О- - в1111 ХЕС С-,.Ра о о о м о ОЪ ОЪ ОЪ М ОЪ о о о ОЪ СЧ ОЪ о о ОЪ Ч о м ОЪ М О О О ОЪ ОЪ ОЪ о о а ОЪ МоФ мФ. а оаФФ о о о м м м Фе ФФ ее а а а о о сЧ а 44 а ам 1 со а о м -Фв в в 4 с в вСЧ сЧМ М М Ч сч сЧ сч М СФЪ сч Ч сЧ Ч М СЧ + + + + + + +1 + + + +3 +1 Н + +1 +3, +1 сч 0 ч . со - а м м ъо й ф СО ф СО СО Со Л ОЪ ОЪ ОЪ СО Со4 с4 е 4 в в еье е О О О О О О О О О О О О О а а а а а О а О а а а а а ЪО -З а Д - М -1 ъо 3 - сЧ 0 .016 1718302 15 1 фе 1 С 3 1 Эсоеее ь е аь СО И л л . л л с. л аа а а аО О О О О О О СЧ СЧ СььЪСО Л С Л Л а а ьР О О Ь О Л Л ф О ь в в О Ь О" еЛ С Л в а в а О О О О Ла 1О а-0 И й,Ф ф сеЪ О й СО ф ф ф фь а В а а ьО О О О ОО с 0 СЧ О е в ЪО ОЪ СЧ фОЪ3 в ИМ ъО М И фа сЧ сЧсЪ СО СЧ ссЪ И Л И - СЧ СЧь ааа МЪ СОМ еМ в а а аО аа в аО Оа ьСс М СЧ а а О О М еь СеЪ СЧ СЧ 3 Ч в вЬ И СеЪф й М СЧ а еь О О ЪО 0 СЧ М вО О 3,43 ф СЧ СЧ СЧ Оьа ю ьв еееЬеМ ОЪ СО1МЪ Л СО О О О ОЪ СеЪа в 00 ОЪ 1 а СсЭ 11 3 1 И3 й 11 ф 1 ОЪ СО аЛ ф М СЧ ъО а 1 в СЧ М И ссЪ И а в ССЪ СсЪ чОЧ ЧсО Ье 0ОЪ СЧ 0Ч Ю Че О, О О О ч Ф О О О Оь ЧО1. СЧ И СОь й ваОЪ ф Л МЪ-3 И а 1ф й а" СО ОСЧ ъО СО4в аа" ОЪ И И а ф й 13 сс 3 0 1Й 3311 11 11 1 ОС31 1 1 11 й 1 ЭЭ 1 В Е й 1 С 1 йЭЭФ 1аао 1 01 1-3Ь О И И ОО О О О ОМ М СЧ СЧеИ ОИ е О О СЧ М СЧйф Ф Ф СеЪ а 0 3 а 3 сс 1;а фЗС 1 Сс И И О О О Ь М М ОЪ ОЪ 0 Ъ й О О СЧ О О ООЪ ОЪ О И ОЪ М сЧ ОЪ аЬ 1 3Р И 1 1 Ф5 3 Оеар 1 1 1 а 31 0 еС 1 С 1й 1 аЭР 1 фО 1 0 МЪО О О О ИСЧ СЧ М МЪМЪ О ЬСЧ счООМЪ И й О О О Ое МЪ ОМ ИИеО МСЧИ -0 1МЪеее1 3 1 Э 1 1-ао О сч Ь О Ь сч О О О СЧ М М И О О СЧ М СЧев МЪ ОМ СЧСЧ О О 11 1 1 1 11ф1 О 11 ф 011 ".У Х а ф й РсЧ МСеЪ СсЪ 3 0 0 МЪ ъ 0 СЧ СЧ СсЪ Сес1 1 1 1 вам 1 11 1 11 0 1 К . 1 1 1 1 1С ЪО ъ 0О 4 Ч 3а а а а 1ССЪ М М СЧ СЧ М СЧ М М СЧ СЧ ССЪ ССЪ СсЪ СЧ М СЧ СЧ СЧ