Бродзели

Номер патента: 1122140

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Бродзели, Гилельс, Давыдов, Деканозишвили, Елигулашвили, Карпачева, Мавренкова, Хорошилова

МПК: G03C 1/72

Метки: голографии, композиция, светочувствительная

СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ГОЛОГРАФИИ, включающая полимерное связующее, ароматический амин, галогенуглеводород и органический растворитель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения дифракционной эффективности, голограмм при записи излучением с длиной волны = 440 нм и восстановлении излучением с длиной волны = 633 нм, в качестве полимерного связующего используют соединение, выбранное из ряда: полистирол, поливинилхлорид, поливинилацетат, сополимер винилиденхлорида, акрилонитрила и метилметакрилата общей формулыгде x: y:...

Номер патента: 528824

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтанюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе

МПК: H01L 31/14

Метки: изображения, полупроводниковый

...усиления выходного изображения.Это достигается тем, что междуслоями полупроводника и диэлектрикарасположен излучающий электроннодырочный переход, толщина которого 40больше диффузионной длины неравновесных носителей, что позволяет значительно улучшить быстродействие устройства и увеличить коэффициент усиления изображения за счет накопления.45На чертеже представлен предлагаемый преобразователь изображения.Он содержит прозрачные электродь,1, прозрачные слои диэлектрика 2,слой 3 высокоомного полупроводника 50с концентрацией носителей не более10 см , нанесенные эпитаменей низкоомные слои 4 и 5 р и П -типа, образующие излучающий переход в -п-переход,и клемм б и 7 для подключения импульсного или синусоидального напряжения пгтания. При...

Номер патента: 580778

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтанюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе, Чилая

МПК: H01L 31/04

Метки: изображения

...к границам раздела полупроводник - диэлектрик, и так как их недостаточно для экранирования, в полупроводник проникает сильное поле и возникает обедненная область во всей толще полупроводника. В таком состоянии основная часть напряжения садится на слой полупроводника и величина напряжения на слое жидкого кристалла меньше порога динамического рассеяния. При подаче со стороны оптического входа изображения из области спектральной чувствительности полупроводника в слое 3 происходит фотогенерация носителей пропорционально освещенности каждой точки,. которые под воздействием поля в полупроводнике дрейфуют к границе раздела полупроводник -.диэлектрик, экранируя при этом частьнапряжения в полупроводнике. Этоприводит к перераспределению...

Номер патента: 506243

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтонюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе

МПК: H01L 31/14

Метки: изображения, оптоэлектронный, полупроводниковый

...полем, приведут к тому, что между этими точками имеет место эффект локального вытеснения внутреннего поля из полупроводника, которое распределится между точками 12 и 10 диэлектрика и точками 11 и 13 электролюминофора. Это в свою очередь приводит к увеличению падения напряжения в слое электролюминофора между точками 11 и 13 и его загоранию, Таким образом, в точке 13, лежащей на одной прямой с токами 9, 12, 10, 11, 13, наблюдается преобразованное изображение.При питании прямоугольника импульсами памяти МДПДМ-структуры позволяет заполнить сформированное и преобразованное изображение на время действия одного импульса питающего напряжения. Это свойство позволяет также суммировать ряд изображений, отделенных друг от друга временным...

Номер патента: 680462

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Бродзели, Сихарулидзе, Чавчанидзе

МПК: G02F 1/015, G02F 1/03

Метки: изображения, электрооптический

...экранирования, в полупроводник проникает сильное поле и возникает обедненная область по всей толще полупроводника. В таком состоянии основная часть напряжения распределена на слое Полупроводника, и величина напряжения на слое электрооптического материала мала для модуляции его оптических характеристик.При подаче со стороны оптического входа изображения из области спектральной чувствительности полупроводника, в слое полупроводника 3 происходит фотогенерация носителей, пропорциональная освещенности каждой точки. Носители под воздействием поля в полупроводнике дрейфуют к границе раздела полупроводник-диэлектрик за время10 - 10 с, экранируя при этом часть напряжения в полупроводнике и перераспределяя его на электрооптический слой, Это...

Номер патента: 1049855

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Бродзели, Гилельс, Елигулашвили, Махарадзе

МПК: G03C 1/72

Метки: изображений

...длительного еевзаимодействия с парами кислоты,Затем обработанные такнм образомбумагу или картон проьввают водой,что. необходимо для удаления обра-.зовавшейся при взаимодействии амина с парами соляной кислоты соликоторая в дальнейшем диссоциируетподдействием имеющейся в воздухевлаги.П р и м е р 1, Готовят растворыследующего.состава:1. 0,15 г Ж-нафтиламнна, 1 л этилового спирта;2, 0,15 г О-нафтиламина, 1 л этилового спирта;3., 0.,232 г и- фенил-й-нафтиламина,1 л этилового спирта;4. 0,112 г л-фенилендиамина, 1 лэтилового спирта 15. 0,192 г бензидина, 1.л спирта.Раствор:1 поливают на бумагупо ГОСТ 7277-.67 иэ расчета 5 мпна 1 дмКомпозицию 2 поливаютна картон по ГОСТУ 7950-56. В образце 3 пропитывают бумагу по ГОСТУ597-56, В образце .4...

Номер патента: 699931

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Бархударов, Березовский, Бродзели, Гилельс, Елигулашвили, Махарадзе, Тактакишвили, Челидзе

МПК: G03H 1/02

Метки: голограмм, записи, инфракрасных, материал

...- расширение класса применяемых для записи инфраФормула изобретения НИИПИираж 4 филиал ППП г. Ужгород Проектная 3"6999 красных голограмм материалов и расши. рение применяемых при записи плотностей энергий излучения лазера, в частности снижение нижней границы этого интервала, 5Цель достигается применением триацетатцеллюлозы в качестве регистрирующего материала для записи инфракрасных голограмм.Оптическая система, предназначен- О ная для записи инфракрасных голограмм (см, чертеж) представляет собой обычную двухлучевую схему и состоит из импульсного СО -лазера 1 с двойным поперечным разрядом, свето З делителя 2, плоских зеркал 3-5, регистрирующего материала 6. В качестве регистрирующего материала использовали промышленные...

Номер патента: 876694

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Айолло, Бродзели, Модебадзе

МПК: C09D 13/00

Метки: надписей, нанесения, тиглеограф

...натрия 5В нагретый до 150 С разжиженныйопарафин малыми порциями -добанляетсяпорошок двусернистого олова (выпус"каемый промышленностью для изготовле.ния красок, имитирующих позолоту), иполученную массу тщательно перемешивают, затем, в таком же режиме добавляют измельченный кварцевый песок и;полисульфид натрия.Из полученной массы изготовляюттиглеограф в виде карандаша, например, с диаметром 10 мм,и длиной до20 мм, который можно подточить. скраев и обвернуть металлической фольгой или,цругим декоративным материалом. Нанесенные тиглеографом на кераМические поверхности надписи характеризуются золотистым .цветом, посленагрева выше 300".С парафин выгорает и надпись. приобретает металлический блеск. Выше 540 С золотистый цвет постепенно...

Номер патента: 808398

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Алимбарашвили, Бродзели, Калыгина, Кикачеишвили, Модебадзе

МПК: C03C 3/30

Метки: стекло

...стойкостью, повышенной термической устойчивостью и возможностьюизменения окраски путем термическойи др. обработки, при котором светопропускание в видимой части спектра сни- ожается На 10-40 Ъ. Температура варкистекла 900-1250 С, продолжительность варки 0,2-1,5 ч, температураразмягчения 330-530 С, температураобжига 310-520 С.П р и м е р 1. Стекло, содержащее, вес,Ъ: В О 5; СаО 15; В 20 75;оВ(204 5, варят при 980 С в алундовых тиглях в слабоокислительной средеПродолжительность варки 0,8 ч, температура обжига 380 С. Пластинки из 20укаэанного стекла прозрачны в видимой части спектра с максимумом светопропускания при 670-720 нм; в процессе обжига стекло не кристаллизу -ется и не меняет светопропускание.Из стекла изготовляются...

Номер патента: 767040

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Бродзели, Гватуа, Мгебришвили, Медведев, Модебадзе, Шворнева

МПК: C03C 3/08

Метки: стекло

...1тельности термообработки и лежит в пределах 40 от 10 - 20 до 40 - 50%, Термообработку производят при температурах близких к температуре размягчения стекла в течение 0,4 - 1,2 ч,Чем выше температура; тем меньше время термообработки, При нарушении эксперименталь.45 но установленного режима термообработки качество пленки ухудшается, оно становится матовым и незеркальным.При температурах выше 700 С образующаяся оксиднометаллическая пленка исчезает.Удаление пленки возможно также обработкой раствором 1 н. соляной и других кислот, а также лазерными лучами а энергией 30 МВт/смДля записи информации на светоотражающей поверхности стекла в системах постоянной 55 оптической памяти (ПЗУ) требуется лазерный луч с энергией 150.200 МВт/см, (беэ...

Номер патента: 729153

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Бродзели, Мгебришвили, Модебадзе

МПК: C03C 3/14

Метки: стекло

...между никелевыми электродами 100 мкм с электрическим сопровтивлением б 10 ом при пороговомнапряжении 150 В происходит переходэлемента в устойчивое состояниефпамять, Изменение сопротивления дпри этом составляет 104 ом. При подаче электрического импульса тока самплитудой 150 мм происходит восстаиовленйе первоначального состояния.Пленочный элемент с никелевымиэлектродами с толщиной сте 1 кла 5 мкмпереключается за время 10 сек принапряжении 30 В с изменением сопротивления порядка 10 З ом, Монолитныйобразец не кристаллизуется при300 С за.время 10 и более часов, ноза 0,2-0,3 ч кристаллизуется при550 о Химическая стойкость относительно к воде - 1 гидравлический класс, гОП р и м е р 2, Стекло, содержащее, вес,З:ВО . 35Я 10 5А 1 гО 1Сао 25Я...

Номер патента: 659540

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Бродзели, Мгебришвили, Модебадзе, Накашидзе, Чичинадзе

МПК: C03C 3/08

Метки: стекло

...распыления, так иметодом выдувания, а более толстыепластинки - с толщиной более 0,1 мм, 40шлифовкой и полировкой, В последнемслучае спаивание целесообразно проводить с применением вакуумной устанонки при давлении 10 -10 мм рт,ст.Изобретение поясняется примерами, 45П р и м е р 1. Стекло содержащее(в вес. Ъ): 8102 -551 ВО -15; Ь 1 э 0-6,А 1 аОз 10 ЕгО -4; ХО -2; К 20 -5;НаО -3 варят в алундовых тигляхемкостью 100 мл в силитовой печи притемпературе 1400 С; продолжительностьварки 3,5 час., среда - слабо восстановительная, Окислы лития, калия инатрия в шихту вводят в виде карбона 1 ав, ВО - в виде борной кислоты,остальйые компоненты в виде окислов 55марки "г" или "гЭА".При 1400 С производят отлив стеклав специальные...

Номер патента: 527386

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Бродзели, Модебадзе

МПК: C03C 3/10

Метки: металлом, спаивания, стекло

...С д между велиСтекло для спаивания с металлом, включающееЯ 10 г, А 1 гОз ЕгОг, ВгОз ВаО, ЯгО, МагО, КгО,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью спаиваниястекла с медью и серебром, оно дополнительносодержит БгО, а дополнительные компоненты взяты в следующих количествах (в вес.%): Я 10 г 51,5- 52,5; А 1 гОз 1,2 - 23; ЕгОг 1,2 - 2,1; ВгОз 1,3 -- 2,5; ВаО 10,2 - 10,8; ЯгО 1 2 -1 Маг О 14,2 -15,5; КгО 10,2 - 13,4; ЫгО 3,2 - 5,3,положени жуточное и серебр енном с и занимеет промчинами КТР медиПри одноври серебром ма серебро вразница в Кдопустимых аивании стекла с медь в состоянии растяжения, жатия. Из-за того, что металлов не превышает никшие при этом напряедь находится состоянии ТР стекла и пределов, воИзобретение относится к составам...

Номер патента: 523510

Опубликовано: 30.07.1976

Авторы: Бродзели, Торошелидзе

МПК: H03F 17/00

Метки: усилитель

...подключен к положительному полюсу источника питания и к базе транзистора 7, эмиттер которого подключен к положительному полюсу источника питания, а коллектор, являясь выходом схемы формирователя, через резистор 14 подключен к эмиттеру транзистора 6, к которому через резистор 15 подключен отрицательный полюс источника питания,В исходном положении в коллекторах транзистора 1 и 2 проходят токи, соответствующие своим базовым смещениям (класса А), Они выбраны таким образом, чтобы процессы, вызванные изменениями окружающей температуры и изменением напряжения питания на переходах транзисторов 1 и 2, были одинаковыми, но противоположными по знаку. При одинаковых номиналах резисторов 8 и 10 падения напряжений на них одинаковы, примерно равны и...

Номер патента: 520333

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Бродзели, Модебадзе

МПК: C03C 3/04

Метки: стекло

...Заявлен 2229 33 и с присоеди (23) Приори осударстееииыи комитетСоаета Миииотроа СССРпо делам иэооретеиийи открытий т 5.07.7(71) Заяви Инсппут кибернетики АН Грузинской ССР 4) СТ 1 ся к составам стекол, исполод драгоценные камни,ль(достигается тем, что стекло ержит Ъ 10 а,бтО,Мтт Оа отношении компонентов (в вес.%):Поставленнаядополнительно сопри следующемсо Изобретение отно зуемых дпя имитации,Ъ, 1.1 0 ЬттО КС ОС о.ОВ 0СТО А Наиболее аву является стекло,астях красного, желсодержит Ь,О,Ы О ЬттО С,тт,Лег, лизким по сом цветом в бцвета, которо, с вар того руемь синего О варки стекла 1150 ооС,сзмягчения 550 - 650 С, температураОоС.Целью изобретения является получениме стекла рубинового тона с узорчатыми ами разных цветов. ь из химически "нли...

Номер патента: 501468

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Бродзели, Торошелидзе

МПК: H03K 3/42

Метки: детектор, излучения, релаксационный

...через резистор 9 подключен к отрицательному полюсу источника питания, База транзистора 5 подключена к эмиттеру лавинного транзистора 1 и через резистор 8 к отрицательному полюсу источника питания. База лавинного пранзистора 1 через фотодиод 2 подключена к его коллектору, а через фотодиод 3, зашунтированный резисторами 7, к отрицательному полюсу источника питания. Анод люминисцентного диода 4 через резистор 6 подключен к положительному полюсу источника питания.В исходном состоянии лавинный транзистор 1 закрыт, и в его коллекторной цепи протекает ток утечки У,ч 0, который вызывает в транзисторе 5 коллекторный ток Ув. При освещении фотодиода 2 или при подаче на входную шину 10 положительного сигнала транзистор 1 открывается, в его...

Номер патента: 485094

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Бродзели, Модебадзе

МПК: C04B 35/01

Метки: надписей, нанесения, огнеупорных, паста

...интервале температур от 0 до 2400 С. Известные пасты выгорают при температурах выше 1000 С, содержат дорогостоя-.ощие реактивы или находятся в жидком состоянии и плохо сцепляются с шамотными, фарфороными и кварцевыми материалами. Н лабораторных условиях, например для надписей и нумерования тиглей и стаканов, а такжедля нумерования образцов стекла на керамических подставках, часто применяют водный раствор красной окиси железа, наносимый на поверхность с помощью кисви, Такая паста характеризуется тем, что до вжигания надпись осыпается и загрязняет изготовляемую шихту (например при высыпании взвешенной шихты для перемешивания). Кроме того, жидкий раствор неудобен для пользования.1 с:.Бель предлагаемого изобретения - повышение канества...

Номер патента: 420579

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Бродзели, Модебадзе

МПК: C03C 3/064, C03C 8/24

Метки: »к, гу, стеклоffar

...изобретения - улучшить качество оная.Достигается это тем, что оно содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес. %:ЬЮ, 35,2 - 39,3В 90 з 18 2 - 20,1ВаО 61 - 71и, кроме того,БгО%0 зУгОр П р и м е р ы. Предлагаемое стекло содержит следующие компоненты, вес, %: 1 П ЗЮ 39 36,2 В 20 з 20 18,2 ВаО 61 6,1 ЬгО 82 9,1 Иа 20 17,1 19,1 А 1 еОз 1,2 2,1 К 20 6,1 7,2Оз 1,3 1,1УгОз 1,2 1,7Температура варки стекла 1110 - 1150 С.Температура размягчения 540 - 620 С.5 Температура отжига стекла и полученногоопая с никелем 490 - 520 С.Предложенное стекло боросиликатное иимеет КТР, близкий к никелю:,а стекла 12,1 - 10 13,3 10 -град -(а никеля 13,3 10- град -винтервале 20 - 200 С) .Предложенное стекло характеризуется хорошей адгезией к никелю,...

Номер патента: 357627

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бродзели, Гурциев, Елигулашвили, Институт, Керцман, Накашидзе

МПК: H01L 21/28

Метки: паста, электропроводящая

...с Известньребра, соддля изготоввых приборобладаютмогут бытьдов, инжекгого знака. ретения - создание электрода,щего дырки в органические полу т. е. получение выпрямляющего инжекционными своиствами состоит из следующих компонентов, %: Такой состав позволяет значительно упростить технологию нанесения инжектирующих электродов, в отличие от всех известных составов, которые либо наносятся вакуумным напылением, либо требуют создания жидких электродов.При создании активных элементов (диодов) широкозонные полупроводники (в том числе и некоторые органические вещества) играют роль искусственного запорного слоя с малой плотностью носителей, а если его проводимость увеличивать инжекцией носителей одного из электродов (другой электрод...

Номер патента: 333142

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бродзели, Модебадзе, Прангишвили

МПК: C03C 3/062, C03C 8/24

Метки: 333142

...а именно, к составам стекол,Известны стекла, содержащие 810 з, Т 10 з,Ма 20, А 1,0 з, ВаО,С целью соединения стекла с алюминиемоно содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес, о/с:ЯО, 38 - 41Т 10 в 7,5 - 8,5ХазО 21 - 24А 190 з 2 - 3ВаО 5 - 6и, кроме того,КзО 19 - 21Стекло является силикатным и имеет близкий к алюминию коэффициент термическогорасширения (а стекла = 19,2 10- - 21,410-о град - , а алюминия 22,4 10-о град - 1).Предлагаемое стекло относится к числулегкоплавких с очень высоким содержаниемщелочных окислов (40 - 45 вес. с/о),Стеклообразование протекает бурно. Дляпредупреждения потерь стекломассы следуетпроводить варку в больших тиглях или засыза малыми пор 200 С. Темперапать шихту в тигле ция ми. Те мпер...

Номер патента: 277844

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бродзели, Институт, Керцман, Малкин, Чавчанидзе

МПК: G11C 11/42, H03K 23/78

Метки: библ10тена, техническая

...работы схемы.На чертеже изображена схема триггера.Он содержит импульсный источник оптического сигнала 1, электролюминесцентную ячейку 2 на основе СдЯе или СЮ, представляющую собой конденсатор, одной обкладкой которого является токопроводящее стекло, а другой - металлический электрод, между которыми помещен люминофор, диспергирован ный в лаке ВС. Фоторезисторы 3 - 5 изго.товлены на основе СЮе илп СЖФоторезистор 3 соединен последовательно с 5 ячейкой 2 и находится с ней в оптическом контакте, а фоторезисторы 4 и 5 присоединяются параллельно ячейке 2. Напряжение подается от генератора синусоидальных колебаний на клеммы б и 7.О При освещении фоторезисторов 3 и 5 импульсным источником света сопротивление фоторезистора 3 падает не сразу...

Номер патента: 277843

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бродзели, Горбушина, Институт, Керцман, Малкин, Чавчанидзе

МПК: G11C 11/42, H03K 23/78

Метки: оптикоэлектронный, триггер

...вызванную разбросом характеристик фото- резисторов, повысить надежность и устойчивость работы триггера.На чертеже дана схема бистабильного триггера,люминофор, диспергирои фоторезисторы 4 - 7,ве Сд 5 или СЮе.Триггер имеет два плеча из элементов 4 и 3,5 2 и 7, находящихся в оптическом контакте.Два дополнительных фоторезистора Б и 6триггера служат для блокировки не работающего в данный момент плеча. Напряжение подается от генератора синусоидальных колеба 1 О ний на клеммы 8 и 9.Устройство работает следующим образом,Благодаря импульсу света, попадающему надва фоторезистора (например, на 4 и 5), со.противление последних падает и электролюми 15 несцентный конденсатор 8 начинает светиться,а конденсатор 2 оказывается зашунтированным...

Номер патента: 265571

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бродзели, Донадзе, Мачавариани, Чавчанидзе

МПК: G06G 7/00

Метки: реактивный, электроосмотический, элемент

...цилиндры,укрепленные на наружной поверхности стеклянной трубки сосуда,Емкость между обкладками конденсатора зависит от положения инородного тела 5, выполняющего роль третьего электрода, Положение последнего определяется величиной приложенного управляющего напряжения и временем его действия. В качестве инородного тела может быть использован ртутный столбик или же столбик 10 из другого металла, При помещении такогостолбика в стеклянную трубку он перемещается под воздействием полярной жидкости аналогично поршню.Принцип действия элемента заключается в 15 следующем.При подаче управляющего напряжения наэлектроды 3 полярная жидкость перемещается через пористую перегородку 2 и двигаетинородное тело б. Перемещение же инородно го тела вызывает в...

Номер патента: 252455

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бродзели, Гозалйшвили, Институт, Пачкори, Швелидзе

МПК: H01F 21/00

Метки: всесоюзядм

...б - медный электрод, 7 - тонкий никелевый электрод толщиной 0,03,и,я, 8 - переключатель, 9 - источник постоянного тока.Принцип работы прибора основан на экранированип магнитного потока, возникающего между двумя обмотками трансформатора, медью, осаждаемой на никелевом экранирующем электроде, укрепленном на одной из обмоток трансформатора пли расположенном между обмотками в случае использования Ш-образного сердечника,Использование ферритовых сердечников обусловлено тем обстоятельством, что экранирующее действие медной пленки эффективнее на высоких частотах, а введение никелевого электрода в промежуток между катушками практически не оказывает никакого влияния на начальное значение коэффициента трансформации.При подаче управляющего...

Номер патента: 185573

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бродзели, Джорджишвили, Институт, Мучиаури, Шаповалова, Элизбарашвили

МПК: G06F 7/50

Метки: двоичный, комбинационный, сумматор

...разряда, 185573На другой вход схемы 8 ИЛИ линии па 1 аллельного переноса подается сигнал с выхода элемента 3 ЗАПРЕТ переноса схемы 6равнозначности.Окончательная сумма формируется при помощи схемы 9 окончательной суммы, котораясостоит из двух элементов 10, 11 ЗАПРЕТи схемы 12 ИЛИ.На меченый вход элемента 10 подводится сигнал с выхода схемы 8 ИЛИ младшего разряда - линии параллельного переноса, на запретный вход того же элементавыход элемента 7 ЗАПРЕТ данного разряда линии параллельного переноса. На запретный вход элемента 11 ЗАПРЕТ подводитсявыход схемы 8 ИЛИ данного разрядалинии параллельного переноса; на меченыйвход того же элемента - выход схемы 13ИЛИ, входы которой соединены с единичными выходами триггеров 1 и 2 регистров....