Волцит

Номер патента: 1188810

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Волцит, Нечаев, Павлов, Чернявский, Шварц

МПК: H01L 23/48

Метки: кристаллодержатель, свч

...20с первой контактной площадкой 3 вторая и третья контактные площадки 7и 8, при этом на второй контактнойплощадке 7 размещен кристалл 6, стоккоторого и второй внешний вывод 5 г 5подключены к третьей контактной площадке 8 при этом длина и ширина па 1й.эа соответственно равны длине и ширине изолятора 2, а глубина паза. равнасуммарной толщине изолятора 2 и крис талла 6,Для увеличения широкололосностикристаллодержателя СВЧ частотныеограничения, вносимые его паразитнымиэлементами, уменьшены путем уменьше- цния самих паразитных элементов. Такуменьшение индуктивности в истокекристалла 6 достигается путем максимального сближения соединяемых по-верхностей или применения параллельных заземлений, уменьшением контактных площадок до 0,1-0,01 мм 2 и...