Полупроводниковый оптоэлектронный преобразователь изображения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 506243
Авторы: Бродзели, Ковтонюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН ЯО 506 4 1/14(5)4 Н 0 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Институт кибернетики АН ГССР (53) 621.382 (088.8)(54)(57) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ,выполненный в виде фоточувствительной структуры металл - диэлектрик -полупроводник - диэлектрик - металл,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью получения видимого изображениябез воспроизводящего источника света, на стороне оптического выходаслой диэлектрика выполнен из электролюминофора.506243прямой с точкой 9 (область между точками 10 и 11). Захваченные сильным полем в полупроводнике неравновесные носители разводятся к точкам 10 и 11, образуя узкий канал поляризационного тока. Учитывая, что скорость дрейфа носителей в сильном поле много больше скорости диффузии, растеканием неравновесного заряда в направлении, перпендикулярном полю, можно пренебречь. Таким образом, обеспечивается пространственное соответствие между точками 9, 10 и 11 (все они лежат на одной прямой). Генерации неравновесного заряда, возникшие вследствие светового воздействия и разведения его к точкам 10 и 11 электрическим полем, приведут к тому, что между этими точками имеет место эффект локального вытеснения внутреннего поля из полупроводника, которое распределится между точками 12 и 10 диэлектрика и точками 11 и 13 электролюминофора. Это в свою очередь приводит к увеличению падения напряжения в слое электролюминофора между точками 11 и 13 и его загоранию, Таким образом, в точке 13, лежащей на одной прямой с токами 9, 12, 10, 11, 13, наблюдается преобразованное изображение.При питании прямоугольника импульсами памяти МДПДМ-структуры позволяет заполнить сформированное и преобразованное изображение на время действия одного импульса питающего напряжения. Это свойство позволяет также суммировать ряд изображений, отделенных друг от друга временным интервалом. Кроме того, накопление светового воз действия за время действия импульса напряжения приводит к росту коэффициента усиления.Оптоэлектрический преобразователь изображения может быть изготовлен на МДПДМ в структу с полупроводниковым слоем кремния (10 ф Ом см) . Диаметр кристалла "20 мм, толщина 200 мкм. С одной стороны кристалла нанесен слой двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм, с другой - слой электролюминофора типа ЭЛМ толщиной л 10 мкм. Слой диэлектрика покрыт прозрачными проводящими слоями. В качестве блока управления можно использовать в случае питания синусоидальным напряжением звуковой генератор ГЗ-ЗЗ, а в случае питания506243 Техред Т.Фанта Корректор В.Гирняк Редактор О.Юркова Заказ 5771/4 Тираж 679 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 475Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 прямоугольными импульсами - генератор Г 5-7 А. Амплитуда напряжения под.бирается такой, чтобы при отсутствии изображения не происходило загорания электролюминоФора (порядка 10 В). В качестве оптической системы, Формирующей и проектирующейизображение, можно использовать осветитель ОИи объектив от микроскопа МИН.
СмотретьЗаявка
1945624, 19.07.1973
ИНСТИТУТ КИБЕРНЕТИКИ АН ГССР
БРОДЗЕЛИ М. И, ЧАВЧАНИДЗЕ В. В, КОВТОНЮК Н. В, ПОЛЯН Р. А, СИХАРУЛИДЗЕ Д. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 31/14
Метки: изображения, оптоэлектронный, полупроводниковый
Опубликовано: 30.08.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-506243-poluprovodnikovyjj-optoehlektronnyjj-preobrazovatel-izobrazheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый оптоэлектронный преобразователь изображения</a>