Кристаллодержатель свч

(51)( Н 01 1, 23/48 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ; ) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 7 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54)(57) КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЬ СВЧ, содержащий металлическое основание,изолятор, первую контактную площадку,которая размещена на изоляторе ик которой подключен первый внешний,вывод, второй внешний вывод и кристалл, исток которого соединен с металлическим основанием, а затвор сое"динен с первой контактной площадкой,о т л и ч а ю щ и й.с я тем, что,с целью увеличения широкополосности,в металлическом основании выполненпаз, в котором размещен изолятор, на .изоляторе дополнительно установленысоосно с первой контактной площадкойвторая и третья контактные площадки,при этом на второй контактной площадке размещен кристалл, сток которогои второй внешний вывод подключенык третьей контактной площадке, приэтом длина и ширина паза соответственно равны длине и ширине изолятора,а глубина паза равна суммарной толщине изолятора и кристалла.11888 ль В.РощинКикемезей Корректор В.Бутяга Заказ 6750/54Тираж 678 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к электронике СВЧ и может быть использованов транзисторной электронике.Целью изобретения является увеличение широкополосности кристаллодержа"теля СВЧ,. На чертеже представлена конструкция кристаллодержателя СВЧ.Кристаллодержатель СВЧ содержитметаллическое основание 1, изолятор 2,10первую контактную площадку 3, .котораяразмещена на изоляторе 2 и к которойподключен первый внешний вывод 4,второй внешний вывод 5 и кристалл 6,исток которого соединен с металличесЗким основанием 1, а затвор соединенс первой контактной площадкой 3,.В металлическом основании 1 выполненпаз, в котором размещен изолятор 2,на изоляторе 2 установлены соосно 20с первой контактной площадкой 3 вторая и третья контактные площадки 7и 8, при этом на второй контактнойплощадке 7 размещен кристалл 6, стоккоторого и второй внешний вывод 5 г 5подключены к третьей контактной площадке 8 при этом длина и ширина па 1й.эа соответственно равны длине и ширине изолятора 2, а глубина паза. равнасуммарной толщине изолятора 2 и крис талла 6,Для увеличения широкололосностикристаллодержателя СВЧ частотныеограничения, вносимые его паразитнымиэлементами, уменьшены путем уменьше- цния самих паразитных элементов. Такуменьшение индуктивности в истокекристалла 6 достигается путем максимального сближения соединяемых по-верхностей или применения параллельных заземлений, уменьшением контактных площадок до 0,1-0,01 мм 2 и соответствующим уменьшением входных емкостей до 10 -10 Ф.4 15Дальнейшее увеличение широкополосности кристаллодержателя СВЧ осуществляется путем компенсации входныхи выходных емкостей кристалла 6 индуктивностями, выполненными в видеСоставитеРедактор М.Бандура ТехредА,10 гтонких проволочек располагаемых в непосредственной близости от кристалла 6 и являющимися выводами его электродов.При использовании кристаллодержателя СВЧ в усилителях в режиме оптимизации по усилению компенсация входной реактивности достигается индуктивностью, равной 1/Юо С , где Стерв емкость затвор-исток кристалла 6. На выходе достаточная широкополосность реализуется с помощью схемы с последовательной индуктивностью в стоке, равной С Р/( 1+си С ,1 К), где сд- центральная (круговая) частота рабочего диапазона, С,1 и К -емкость и сопротивление сток-исток кристалла 6.При использовании кристаллодержателя СВЧ в усилителях в режиме оптимизации по минимуму коэффициента шума величина индуктивности на входе находится в пределах 1/ю,С/ы,СйОптимизация вещественных составляющих сопротивлений источника сигнала и выходной нагрузки может быть осуществлена с помощью элементов, внешних по отношению к кристаллодержателю, либо с помощью трансформаторов, располагаемых на первой и третьей контактных площадках 3 и 8 и имеющих длину, равную 1/4 эффективной длины волны в изоляторе 2 на частоте Ю .Выполнение паза в металлическом основании 1 и размещение в нем изолятора 2 с кристаллом 6 обеспечивает максимальную широкополосность кристаллодержателя СВЧ, поскольку при этом обеспечивается минимальная длина выводов .электродов кристалла 6, в частности выводов истока, при этом ширина кристалла 6 также выбираетсяравной ширине паза в металлическом основании 1. Изолятор 2 в паземожет быть выполнен единым или, еслитребуется дополнительный теплоотводот кристалла 6, в виде отдельныхпластин.