Патенты с меткой «вырождения»

Номер патента: 1098466

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Пономарев, Приходько

МПК: H01L 21/66

Метки: вырождения, глубоких, квантомеханического, полупроводнике, фактора, центров

...разделаполупроводник в диэлектр с учетомтемпературного размытия, функции Ферми и по взаимному сдвигу полученныхспектров определяют квантомеханичес- З 5кий фактор вырождения глубоких центров,Способ осуществляют следующим образом.На поверхности исследуемого полупроводника, содержащего мелкую легирующую примесь, формируют слой туннельно непрозрачного диэлектрика,т,е. слой с толщиной, превышающейо100 А. При формировании этого слоя 45создают условия, обеспечивающие получение пассивированной границы разделаполупроводник-диэлектрик, в случаеиспользования в качестве исследуемогополупроводника кремния слой диэлектрика формируют окислением поверхности кремния в сухом кислороде с последующим отжигом в азоте, что дает плотность поверхностных...

Номер патента: 1699252

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бойко, Кадлубович, Кишкин, Шаманин

МПК: G01N 23/00

Метки: акустическую, волны, вырождения, глубины, твердых, телах, ударной

Способ определения глубины вырождения ударной волны в акустическую в твердых телах, заключающийся в воздействии на исследуемые мишени высокоэнергетических импульсных пучков излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения номенклатуры исследуемых материалов, на мишени различной толщины воздействуют ионным пучком, измеряют время прохождения вызываемой волны от поверхности воздействия до противоположной и глубину вырождения определяют путем сравнения отношений приращений толщин мишеней к приращениям времени прохождения волны в материалах мишеней и установления толщины мишени, при котором указанное отношение становится отличным от скорости звука, причем воздействие начинают с мишени,...