H01L 21/8222 — технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах

Номер патента: 773793

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Дубинин, Кружанов, Овчинников, Сафронов

МПК: H01L 21/8222

Метки: биполярных, интегральных, полупроводниковых, схем

...окна для загонки примеси во вторые области,например области р+. При загонкеримеси во вторые области открытыкна, вскрытые как для загонки в перФвые, так и для загонки во вторыеобласти, и примесь попадает в те идругие области. Это накладывает требование на последовательность операций эагонки. Первой должна производиться загонка той примеси, концентрация которой в изготавливаемой конструкции должна быть больше, В этомслучае вторая загонка не изменяеттип проводимости в первых областях.Если, например, конструкция такова,что концентрация в областях и+ должна быть больше, чем концентрация вобластях р+, то первой из двух указанных операций загонки должна производиться эагонка донорной примесив области и+.Разгонку акцепторной и...

Номер патента: 594838

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Болдырев, Гайдук, Малейко, Савотин, Степанов

МПК: H01L 21/8222

Метки: интегральной, схемы

...сформированными областями скрытого слоя, разделения, глубокого подлегирования коллекторных контактов и ниэкоомной области базовых контактов транзистора с одновременно изготовленным твердотельным резистором; на фиг.2 - структура пластины со сформированными слоями активной базы и эмиттера транзистора; на Фиг.3- структура пласт 1 пщ со вскрытыми контактами к областям транзистора и резистора и сформированными металлическили электродами.П р и м е р. На кремниевой пластине, состоящей из подложки 1, скрытого слоя 2 и эпитаксиальной пленки 3 соответствунией требованиям ЕТО.035.058.ТУ, термическим окислением выращивают пленку двуокиси кремния (Б 10 1 толщиной 0,35 мкм. Методом фотолитографии вытравливают в Б 10 . дорожки разделяющие компоненты...

Номер патента: 912065

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Зигфрид, Хорст

МПК: H01L 21/8222

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

...маскирующем покрытии.1 я П р и м е р, На кремниевой подложке 1(фиг, 1) с эпитаксиальной пленкой 2 наносятпервое диэлектричесКое покрытие 3, напримериз двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм,Затем проводят вскрытие всех окон 4 яц (фиг, 2) методом фотолитографии дпя созда.ния областей базы, областей управления базойи областей подключения базовых областей, т.е.инжекторы, вторичные инжекторы. Далее про.водят легирование примесью р-типа, например 2 Ь бором 5 .(фиг. 3) методом диффузии или1 Н 1 И 111 :Мкад 1 379/54 Гираж 758 одпигное 1 фичнаи 11 ПЦ "1 Ьфсни", г. Ужгород, ул. Проектная,з 9120ионного легирования, создавая области Р 1, Р 2и РЗ, оследующим окислением выращиваютокиссл 6 в окнах толщиной порядка 0,1 мкм,вновь наносят изолирующее...

Номер патента: 708862

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Глебов, Грицаенко, Егоров, Тарасов

МПК: H01L 21/8222

Метки: инжекционных, интегральных, логических, схем

...0,2-0,3 мкм. Фотолигографией вскрывают окно, через которое травят в кремнии канавку 5 (фиг. 2) на глубину 0,3-0,4 мкм с одновременным подтравливанием под маску. При ориентации подложки в плоскости (100) или (111) подтравливание происходит на расстояние 0,7-0,8 от глубины канавки, т.е. на 0,2-0,3 мкм. В канавку проводят диффузию бора с разгонкой в окислительной атмосфере. В результате формируют базовую 6 (фиг, 3) и инжекторную 7 области на глубину 1,0-1,2 мкм, покрытие окислом 8 толщиной 0,3-0,35 мкм, Затем фотогравировкой вскрывают в окисле 8 окно 9 (фиг. 4), причем в качестве маски используют фоторезист, а травят вертикально ориентированным пучком ионов без бокового подтравливанияокисла,Фоторезист является маской с одной (двух) сторон...