Полупроводниковый преобразователь изображения

, 528 4 НО ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН овтанюкзе и АН ГССР 1 Й ПРЕОБРА- основе мнол-диэлекттрик.в металл, ГОСУДАРСТВЕННЫИ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54)(57) ПОЛУПРОВОДНИКОЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ нагослойной структуры метрик-полупроводник-диэле полупроводниковый слой которой выполнен из высокоомного материала с концентрацией свободных носителей)2 -5не более 10 см , о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью увеличения быстродействия и коэффициента усиления изображения, между слоями полупроводника и диэлектрика расположен излучающий электроннодырочныи переход, толщина которого больше диффузионной длины неравновесных но сителей.Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и можетбыть применено в системах отображения и обработки оптической информа -ции. 5Известно устройство для преобразования изображения, содержащееструктуру металл в диэлектрик в полводник-диэлектрик-металл, считывание изображения в котором осуществляется с помощью лазера. Недостаткомэтого устройства является его сложность,Известен полупроводниковый преоб.разователь изображения, содержащий 15структуру металл-диэлектрик-полупро.водник-диэлектрик-металл, полупроводниковый слой которой выполнениз высокоомного материала с концентрацией свободных носителей не более 2010 см . Визуанизация изображения внем достигается использованием в качестве диэлектрика слоя электролюминофора.Инерционность электролюминофора 2510 - 10. с, является фактором, ограничивающим быстродействие устройст -ва, и соразмерность этого временисо временем накопления входногоиэображения приводит к незначительно" 30му усилению за счет накопления,,что является недостатком известногоустройства.Цель изобретения - увеличениебыстродействия и коэффициента усиления выходного изображения.Это достигается тем, что междуслоями полупроводника и диэлектрикарасположен излучающий электроннодырочный переход, толщина которого 40больше диффузионной длины неравновесных носителей, что позволяет значительно улучшить быстродействие устройства и увеличить коэффициент усиления изображения за счет накопления.45На чертеже представлен предлагаемый преобразователь изображения.Он содержит прозрачные электродь,1, прозрачные слои диэлектрика 2,слой 3 высокоомного полупроводника 50с концентрацией носителей не более10 см , нанесенные эпитаменей низкоомные слои 4 и 5 р и П -типа, образующие излучающий переход в -п-переход,и клемм б и 7 для подключения импульсного или синусоидального напряжения пгтания. При подключении импульса напряжения к клеммам 6 и 7 основная частьнапряжения падает на высокоомном слое 3. Под воздействием этого напряжения носители слоя 3 разводятся к обкладкам, и так как их недостаточ. но для экранирования, в полупроводник 3 проникает сильное поле и возникает обедненная область. Если со стороны электрода 1 подано изображение, оно вызывает Фотогенерацию носителей, пропорциональную в каждой точке интенсивности падающего излучения, и возникшие неравновесные носители разводятся полем в полупроводнике 3 к обкладкам, где хранятся в течение действия импульса питающего напряжения. После снятия импульса питающего напряжения накопленный заряд разряжается через слой-П-перехода, что вызывает его свечение, в каждой точке пропорциональное интенсивности записанного изображения. Следует отметить, что геометрия устройства и амплитуда питающего напряжения выбрана так, чтобы свечение, вызываемое темновым током разря. да, было мало. Минимальная толщина слоев- П-перехода превышает диффузионную длину неравновесных носителей во избежание инжекции носителей из- п-перехода, Такое устройство при меньшей инерционности, определяемой временем излучательной рекомбинации (например, 10 в случае р -и-перехода из СаАБ), обладает всеми функциональными возможностями известного устройства: усилением за счет накопления, сложением изображения в течение действия импульса питающего напряжения. В известном устройстве значительного усиления за счет накопления не происходит, вследствие того, что время накопления и время высвечивания электролюминофора соразмерны (10 - 10 с).В предлагаемом устройстве при-3 том же времени накопления 10 с, накопленная энергия высвечивается за время 10 с, что дает значительное усиление с коэффициентом трансформации1 О