Шмарцев

Номер патента: 644211

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Вул, Петросян, Фистуль, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 31/00, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...к освещаемой поверхности, контакты которого расположены вплоскости, перпендикулярной направлению градиента.Фотогальваномагнитный датчик работает следующим образом.При,помещении пластины полупроводника в магнитное поле, перпендикулярное направлениюосвещения датчика,наконтактах, расположенных в плоскости, перпендикулярной направлению градиента ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитная ЭДС, величинакоторой зависит от,напряженности магнитного поля,Известные фотогальваномагнитныедатчики не позволяют измерять величину магнитного поля с достаточновысокой чувствительностью.Цель изобретения - повышение чувствительности к магнитному полю.Это достигается тем, что градиентширины запрещенной зоны дЕ выбраниз условия: 2Т "...

Номер патента: 606475

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Вул, Петросян, Сайдашев, Шмарцев

МПК: H01L 31/08, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...полупроводника (например п-типа), помещеннойв магнитное поле, со стороны широкозонной области на контактах, располо 5 женных в плоскости, перпендикулярнойнаправлению изменения ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитнаяЭДС,Использование в качестве фотогальваномагнитного датчика пластиныполупроводника с переменной ширинойзапрещенной зоны расширяет функциональные возможности датчика, поскольку в этом случае амплитуда и знак фотомагнитной ЭДС зависят от длины волны падающего света,Действительно, при варизоннойструктуре датчика свет разных частотпоглощается в разных точках полупроводниковой пластины. Так, например,свет с энергией фотонов Ь), 3 Ео(Е, - максимальная ширина запрещенной зоны полупроводниковой пластиныу передней,...

Номер патента: 1190315

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Гореленок, Мамутин, Полянская, Приходько, Рождественский, Шмарцев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости

...вектора СВЧ-шумового сигнала. При этом используют специальное приспособление для измерения СВЧ-шума, в котором образец размещается над сильно излучающей четвертьволновой щелью.При переводе образца в низкоомное состояние в последнем возникает эффект локализации тока по какому-то 1 определенному направлению, т.е. появляется шнур тока.Экспериментально было установлено,что наличие двумерной проводимостиприводит к таким ограничениям на расширение шнура тока, что зависимость/температуры шума от тока, измеренная при ориентации плоскости образца, совпадающей с направлением10 вектора СВЧ-шумового сигнала, отличается от той же зависимости, снятой при ориентации образца в плоскости ортогональной вышеуказанной.Возможен также перевод образца...

Номер патента: 1059031

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Голубев, Новиков, Шмарцев

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...более тугоплавкого компонента, вкладыш выполнен в форме цилиндра, диаметр которого меньше диаметра.токоподвода подложкодержателя.Кроме того, с целью получения слоев с уменьшающейся концентрацией более тугоплавкого компонента, вкладыш выполнен в форме цилиндра с отверстием в центре й диаметром, равным диаметру токоподвода.Наличие диэлектрического вкладыша позволяет создат неоднородный контакт к .подложке - токоподвод тем самым осуществляют лишь к участкам, находящимся вне вклацыша. Это в свою очередь позволяет перераспределить рабочий ток по площади подложки и, следовательно, получить изменение состава по поверхности слоя. В частности, для достижения дополнительных целей токоподвод осуществляют к подложке с помощью кольцевого либо...

Номер патента: 588851

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Геворкян, Голубев, Каряев, Шмарцев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводниковых, структур

...подложка пропускают импульсы пост оян ного электрического тока, имеющего такое направление, что на границе разде 20 ла источник - растворасплав выделяет", ся тэйло Пельтьеу а цю. 1"анице раствор расплав - подложка поглощается такое же количество тепла. Под .действием теп- ла Пельтье происходит растворение слоя 25 источника, толщина которого определяется количествам выделившегося тепла, т. е. величиной и длительностью импульса тока, В то же время на другой границе раздела температура понижается и раст- ЗО вор расплав оказывается нересьпценным относительно компонент, насыщавших жидкую фазу (компоненты твердого раствора А 6, бо, ЬЬ .). На подложке начинаетси, кристаллизация слоя твердого рствора, ЗЮ причем концентрация...

Номер патента: 472601

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Добрякова, Сайдашев, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 29/20

Метки: оптоэлектронная, пара

...связан с необходимостью преодоления энергетическогобарьера высотой 9, и, следовательно,Оиреяеияеося иосооиииой времеви Й сир(ф8 сиду этого проводимость образца,определяемая концентрацией электроновв массе образца, ниэкоомной даже приЗЛщациокарной подсветке, будет медпенно(в случае У О КТ) репаксировагь с характерным временем Г . Величине Сопределяегся только параметрами ИО -перехода и может быть сделана поэтому достаточно большой в соответствии с величиной т.е. выбором концентрации,Чктипом пегирующей примеси ипи гемпературой.Для попучения эпеменга, реагирующего на действие света неограниченноечисло раэ, использовано излучение с глубиной проникновения больше толщины обраэца и с достагочн малой экспозициЕйе 50Для создания образца...

Номер патента: 508687

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Вул, Сайдашев, Тищенко, Шик, Шмарцев

МПК: G01K 7/14

Метки: вчастоту, температуры

...33 и контактов 34, 35,Преобразователь работает следующим образом,На границе и+-слоев 32 и и-слоев 33 двухслойной структуры чувствительного элемента2 о возникает и+а-переход, Освещение )г+-слояприводит к изменению концентрации электронов гг+-слое, а следовательно к измене ппо сопротивления и+-слоя.Бремя т установления равновесн состоя 30 пия электронов, а следовательно корость508687 Составитель В, Куликов Текред Г. Андреева едактор Т, Рыбалов Корректор Л, Орлов аказ 1951/2 Изд.1347 Тираж 790 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СС по делам изобретении и открытий 113035, Москва, )К, Раушская наб., д, 4/5одписно ография, пр. Сапунова, 2 изменения сопротивления, экспоненциально зависит от температуры(где То - , 1.О"...

Номер патента: 394093

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Голубев, Корнеев, Шмарцев

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллических, полупроводниковых, структур

...или не дают возможности получать большое количество слоев в структуре, или ведутся при температурных режимах, которые не препяч ствуют взаимной диффузии материалов близлежащих слоев, Известен способ получения ,п-р и-;-структур на германии, основанный на использовании эффекта Пельтье при пропускании импульсов постоянного тока через систему "твердое-расплав- твердое.2394093 Составнтелв д ГолубевРедактор Техред КорректорКиШапаурова И.Карандашова Н.Стельмах ЗасдоЯЗЦ Идд до Ю 6 Торси 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 3такой, чтобы на границе раздела твердый -раствор-расплав ,обеспечить...