Патенты с меткой «инжекционных»
Способ определения ресурса работы инжекционных лазеров
Номер патента: 753329
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Жуков, Макрицкий, Сосновский
Метки: инжекционных, лазеров, работы, ресурса
...мощности, с другой - дальнейшее увеличение частоты, как правило, вызывает деградаци 1 о инжекционных лазеров.Одной из причин, оказывающих существенное влияние на скорость старения инжекционных лазеров, является взаимодействие генерируемого излучения и инжекти-. руемых носителей заряда с дефектами и неоднородностями, расположенными в канале генерации и на его границах. Это вэаимодействие приводит к возникновению неоднородного поля температур и соответственно к локальному изменению ширины запрещенной зоны, что увеличивает поглощение генерируемого излучения и скорость роста дефектов. Инжекционные лазеры, у которых неоднородности более эффективно взаимодействуют с генерируемым излучением, имеют более низкую частоту /, при которой...
Способ определения ресурса работы инжекционных лазеров
Номер патента: 786796
Опубликовано: 07.02.1982
Авторы: Жуков, Макрицкий, Сосновский
Метки: инжекционных, лазеров, работы, ресурса
...принимается одинаковым и равным среднему значению ресурса, определенного для 1 - 5 оо образцов,Определение ресурса работы проводят по формуле: Целью изобретения является повышение надежности прогноза и упрощение способа,Поставленная цель достигается тем, что в известном способе, включающем определение энергии активации Е, по результатам ускоренных испытаний нескольких образцов партии при фиксированных значениях температуры окружающей среды, измеряют мощность генерируемого излучения в момент включения постоянного тока и через время, за которое температура активной области достигает своего стационарного значения, для всех образцов партии, для выбранных образцов, имеющих одинаковую температуру перегрева .активной области, определяют...
Полусумматор на инжекционных элементах
Номер патента: 935947
Опубликовано: 15.06.1982
Автор: Фурсин
МПК: G06F 7/50
Метки: инжекционных, полусумматор, элементах
...вторым коллектором второго двухколлекторного транзистора, третий коллектор соединен с выходом переноса полусумматора, коллектор первого одноколлекторного транзистора соединен с выходом суммы полусумматора.На чертеже представлена принципиальная схема полусумматора.Полусумматор содержит двухколлекторные транзисторы 1 и 2, одноколлекторные транзисторы 3 и 4 и трехколлекторный транзистор 5. Полу- сумматор имеет входы 6 и 7, выход переноса 8,и выход суммы 9. Базы всех транзисторов соединены с выходами инжектирующих источников тока 10.Данный полусумматор работает в инвертном коде, т.е. сигналу нуля соответствует высокий потенциал, а единице - низкий, При подаче на входы полусумматора двух логических единиц, транзисторы 1 и 2 закрыты, а...
Способ определения срока службы инжекционных лазеров
Номер патента: 982124
Опубликовано: 15.12.1982
Авторы: Кононенко, Пак, Яшумов
МПК: H01S 5/00
Метки: инжекционных, лазеров, службы, срока
...экстраполяции скорости деградации на температуру, при которой эксплуатируют инжекционные лазеры, определяют срок службы Г 21Недостатком известного способа являеся необходимость проводить испытания при нескольких повьпценных температурах окружающей среды. При этом может произойти смена механизма деградации, изменяются характеристики слоев структуры 1 й инжекционного лазера, быстро ухудшается качество омических контактов, Все это ограничивает возможности известного способа и приводит к большим погрешностям в определении срока службы инжек- И ционных ,лазеров.Цель изобретения - повышение точности определения срока службы инжекционных лазеров при одновременном упрощении способа. .26Поставленная цель достигается тем, что согласно способу...
Устройство согласования интегральных инжекционных схем с линиями передачи коллективного пользования
Номер патента: 1092726
Опубликовано: 15.05.1984
Авторы: Громов, Касаткин, Лавров
МПК: H03K 19/08
Метки: инжекционных, интегральных, коллективного, линиями, передачи, пользования, согласования, схем
...с шиной питания, а база - сколлектором транзистора второго типапроводимости, база которого черезвторой резистор соединена с его эмит"тером и шиной питания, управляемыйисточник тока выполнен на третьемтранзисторе первого типа пронодимости, коллектор которого через третийрезистор соединен с шиной питания,змиттер подключен к выходу управляемого источника тока, а база подключена через четвертый резистор кшине питания, к входу управлениясостоянием и базе многоэмиттерноготранзистора первого типа проводимости, коллектор которого через пятыйрезистор соединен с базой транзистора второго типа проводимости, аэмиттеры соединены с информационными входами устройства,На чертеже представлена принципиальная схема предложенного...
Двоичный сумматор на инжекционных элементах
Номер патента: 1109740
Опубликовано: 23.08.1984
Авторы: Амирханов, Казинов, Криворучко, Рогозов
МПК: G06F 7/50
Метки: двоичный, инжекционных, сумматор, элементах
...соединен с шиной питания сумматора, а эмиттеры всех п-р-п-транзисторов и база миогокол 45 лекторного р-и-р-транзистора подключены к шине нулевого потенциала сумматора, который содержит также седьмой ь-р.-ь-транзистор, база которого соединена с вторым коллектором четвертого п-р-п-транзистора, а коллектор - с базой пятого транзистора23.Недостатком известного сумматора является сложность конструкции.Цель изобретения - упрощение55 конструкции сумматора.Поставленная цель достигается тем, что в двоичный сумматора на 740 1 инжекционных элементах, содержащийв каждом разряде шесть и-р- -транзисторов и многоколлекторный,р- ь-р -транзистор, причем базы и первыеколлекторы первого, второго и третьего, и---транзисторов соединеныс соответствующими...
Устройство для определения инжекционных характеристик литьевых машин для пластмасс
Номер патента: 1159795
Опубликовано: 07.06.1985
Авторы: Абрамов, Антошин, Будкин, Глухов, Илюхин, Киреев, Коекин, Кулезнев, Макаров, Симонов-Емельянов
МПК: B29C 45/77
Метки: инжекционных, литьевых, машин, пластмасс, характеристик
...формы. мером или электросекундомером), строятЦель изобретения - улучшение условий 25 инжекционную характеристику литьевой машины. Она используется для оценки сосНа чертеже изображено устройство, об- тояния литьевой машины (износа и т,д.)определения ее технологических возможноУстройство для определения инжекцион- стей, для расчета форм и т. д.ных характеристик литьевых машин для Кроме того, при помощи предлагаемогопластмасс содержит подвижную 1 и непод- устроиства можно получить график тече 30нвижную 2 полуформы, измеритель давления ния расплава, если продавливать расплаврасплава в виде датчика 3 давления, измери- через один и тот же дросселирующий каналтельный шток которого расположен в кана- известных размеров при разных...
Способ изготовления инжекционных логических интегральных схем
Номер патента: 708862
Опубликовано: 23.09.1985
Авторы: Глебов, Грицаенко, Егоров, Тарасов
МПК: H01L 21/8222
Метки: инжекционных, интегральных, логических, схем
...0,2-0,3 мкм. Фотолигографией вскрывают окно, через которое травят в кремнии канавку 5 (фиг. 2) на глубину 0,3-0,4 мкм с одновременным подтравливанием под маску. При ориентации подложки в плоскости (100) или (111) подтравливание происходит на расстояние 0,7-0,8 от глубины канавки, т.е. на 0,2-0,3 мкм. В канавку проводят диффузию бора с разгонкой в окислительной атмосфере. В результате формируют базовую 6 (фиг, 3) и инжекторную 7 области на глубину 1,0-1,2 мкм, покрытие окислом 8 толщиной 0,3-0,35 мкм, Затем фотогравировкой вскрывают в окисле 8 окно 9 (фиг. 4), причем в качестве маски используют фоторезист, а травят вертикально ориентированным пучком ионов без бокового подтравливанияокисла,Фоторезист является маской с одной (двух) сторон...
Способ контроля качества работы инжекционных газовых резаков и мундштуков с индивидуальными смесительными камерами
Номер патента: 1200082
Опубликовано: 23.12.1985
Авторы: Жуков, Клямкин, Костенков, Котиков, Матяш
МПК: F23D 14/42
Метки: газовых, индивидуальными, инжекционных, камерами, качества, мундштуков, работы, резаков, смесительными
...Техред И. Верес Корректор М. Самборская Тираж 525 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор А. ШишкинаЗаказ 7853/44 Изобретение относится к машиностроению и найдет применение при изготовлении инжекционных резаков и мундштуков для газовой резки металла.Цель изобретения - обеспечение пожаровзрывобезопасности, а также экономии горючего газа и кислорода при контроле.Способ осуществляется следующим образом.В кислородные каналы испытываемого резака с установленн 11 м в него мундшту ком подают сжатый вбвдух с заданным давлением кислорода, а трубопровод, соединенный с каналами горючего газа, опускают в...
Способ изготовления инжекционных интегральных схем
Номер патента: 986236
Опубликовано: 23.01.1986
Авторы: Волынчикова, Красницкий, Савотин
МПК: H01L 21/82
Метки: инжекционных, интегральных, схем
...диф,фузии сквозь диэлектрическую илии ную маску создают сначала пф -области эмиттерного контакта 3 и эмиттерных охранных колец,4, а затем в об;ф. ластях базы 5, инжектора 6 и резистора 7 формируют л -слой (см. Фиг. 1).Далее методом имплантации или диффузии, используя диэлектрическую, резистивную или комбинированную маску, формируют р -пассивную базу 8,-инжектор 9 и р -охранные кольца к резисторам, 10 (см, фиг. 2). После этого в маске, закрывающей поверхность элементов, одновременно лито- графически создают контактные окна к коллекторным и базовым областям и резисторные окна, в которые методом имплантации или диффузии вводят примесь О -типа проводимости низкой концентрации и формируют л -области ,коллекторов 11 и л -резисторов 12....
Одноразрядный сумматор на инжекционных элементах
Номер патента: 1275430
Опубликовано: 07.12.1986
Автор: Журкин
МПК: G06F 7/50
Метки: инжекционных, одноразрядный, сумматор, элементах
...1 О переноса, На чертеже показаны также контрольные точки 11-19. Пороговые детекторы и токовые отражатели выполнены/на и-р-и"транзисторах с инжекционным питанием в цепь базы, При этом на выходе 9 реализуется функция 1 сзначной суммы трех операндов, а на выходе 10 - функция двузначного переноса. Два из трех входных операндов являются Е-значными, а третий, в качестве которого подается входной перенос, - двузначным.При произвольном К в базы транзисторов, образующих токовые отражатели 15 Одноразрядный сумматор для К 4 работает следующим образом. Входные сигналы операндов на входах 1 и 2 принимают значения из ал фавита Е = ( 0,1,2,3), а на входе 3,обозначающем перенос из предыдущегоразряда, принимают значения из Е==0,1 . Тогда...
Одноразрядный сумматор на инжекционных элементах
Номер патента: 1277096
Опубликовано: 15.12.1986
Автор: Журкин
МПК: G06F 7/50
Метки: инжекционных, одноразрядный, сумматор, элементах
...питанием н цепь базы.При 1-4 в базы транзисторов образующих токовые отражатели 4-6 и пороговые детекторы 7 и 8, инжектируются токи, соответствующие 7, 3, ,4. 4и 1 единицамПри произвольном к в базы транзисторов должны инжектироваться токи,соответствующие 21 к, 1-1, 1 с, К иединицам,Для насыщения соответствующеготранзистора необходим входнои ток35в одну единицу При этом токовыйотражатель своим выходом может отводить инжекционныи ток с входа последующего элемента, равный току, поступающему на его вход, а открытый4 впороговый детектор может отводитьвесь инжекционный ток с входа по"следующего элемента,Одноразрядный сумматор для Кработает следующим образом.45На входах 1 и 2 операнцы принимают все возможные значения из множества Е...
Квадратор на четырехзначных интегральных инжекционных логических элементах
Номер патента: 1305673
Опубликовано: 23.04.1987
Автор: Журкин
МПК: G06F 7/552
Метки: инжекционных, интегральных, квадратор, логических, четырехзначных, элементах
...первый и второй выходы шестого токового повторителя соединены с выходами девятого и десятого источников эталонного тока с весами три и "один" соответственно и с входами третьего и четвертого пороговых элеентов соответственно, первый выход етвертого порогового элемента подлючен к выходу одиннадцатого источика эталонного тока с весом один"к входу пятого порогового элемента, ервый выход которого соединен с выодом шестого порогового элемента ивыходом двенадцатого источника этаонного тока с весом два", вход шесого порогового элемента соединен с выходом четырнадцатого источника эталонного тока с весом один", входы восьмого и седьмого токовых повторителей соединены с выходами тринадцатого и пятнадцатого источников эталонного тока с весами...
Способ очистки инжекционных цилиндров литьевых машин
Номер патента: 1593966
Опубликовано: 23.09.1990
МПК: B29B 17/00, B29B 9/10, B29C 45/17 ...
Метки: инжекционных, литьевых, машин, цилиндров
...образом создается давление, необходимое для впрыскивания расплава в фильерирующее устройство 8. Сначала изцилиндра 9 удаляются остатки массы, а затем основная масса, поступающая из бункера 1, Материал прогоняют через цилиндр 3и фильерирующее устройство 8 до тех пор,пока он не станет пригодным для литья деталей, т,е, будет содержать посторонниевключения. Следовательно, за счет тогр, чтоматериал, поступающий иэ бункера 1 в обогреваемый инжекционный цилиндр 3 при непрерывном вращении червяка, 4, врасплавленном состоянии непрерывно прогоняется через цилиндр 3, обогреваемоесопло 9 и дополнительно через необогреваемое фильерирующее устройство 8 для фильерирования расплавленной массы в жгутымалого сечения (0,8-1,2 мм) с...
Способ получения инжекционных слоев
Номер патента: 1195814
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Володина, Миронос, Смирнов, Субботин
МПК: G03G 5/08
Метки: инжекционных, слоев
Способ получения инжекционных слоев путем термического испарения в вакууме фотопроводника на нагретую подложку с использованием облучения мощностью 104 - 106 Вт при скорости конденсации пара 103 - 108 нм/с, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности, темнового электрического сопротивления, чувствительности к видимой области спектра и светопропускания слоев, фотопроводник испаряют на подложку, нагретую до 25 - 80oC при длительности импульса облучения 10-8 - 10-6 с.