Патенты с меткой «инжекционных»

Номер патента: 753329

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Жуков, Макрицкий, Сосновский

МПК: H01S 5/00, H01S 5/30

Метки: инжекционных, лазеров, работы, ресурса

...мощности, с другой - дальнейшее увеличение частоты, как правило, вызывает деградаци 1 о инжекционных лазеров.Одной из причин, оказывающих существенное влияние на скорость старения инжекционных лазеров, является взаимодействие генерируемого излучения и инжекти-. руемых носителей заряда с дефектами и неоднородностями, расположенными в канале генерации и на его границах. Это вэаимодействие приводит к возникновению неоднородного поля температур и соответственно к локальному изменению ширины запрещенной зоны, что увеличивает поглощение генерируемого излучения и скорость роста дефектов. Инжекционные лазеры, у которых неоднородности более эффективно взаимодействуют с генерируемым излучением, имеют более низкую частоту /, при которой...

Номер патента: 786796

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Жуков, Макрицкий, Сосновский

МПК: H01S 5/00, H01S 5/30

Метки: инжекционных, лазеров, работы, ресурса

...принимается одинаковым и равным среднему значению ресурса, определенного для 1 - 5 оо образцов,Определение ресурса работы проводят по формуле: Целью изобретения является повышение надежности прогноза и упрощение способа,Поставленная цель достигается тем, что в известном способе, включающем определение энергии активации Е, по результатам ускоренных испытаний нескольких образцов партии при фиксированных значениях температуры окружающей среды, измеряют мощность генерируемого излучения в момент включения постоянного тока и через время, за которое температура активной области достигает своего стационарного значения, для всех образцов партии, для выбранных образцов, имеющих одинаковую температуру перегрева .активной области, определяют...

Номер патента: 935947

Опубликовано: 15.06.1982

Автор: Фурсин

МПК: G06F 7/50

Метки: инжекционных, полусумматор, элементах

...вторым коллектором второго двухколлекторного транзистора, третий коллектор соединен с выходом переноса полусумматора, коллектор первого одноколлекторного транзистора соединен с выходом суммы полусумматора.На чертеже представлена принципиальная схема полусумматора.Полусумматор содержит двухколлекторные транзисторы 1 и 2, одноколлекторные транзисторы 3 и 4 и трехколлекторный транзистор 5. Полу- сумматор имеет входы 6 и 7, выход переноса 8,и выход суммы 9. Базы всех транзисторов соединены с выходами инжектирующих источников тока 10.Данный полусумматор работает в инвертном коде, т.е. сигналу нуля соответствует высокий потенциал, а единице - низкий, При подаче на входы полусумматора двух логических единиц, транзисторы 1 и 2 закрыты, а...

Номер патента: 982124

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Кононенко, Пак, Яшумов

МПК: H01S 5/00

Метки: инжекционных, лазеров, службы, срока

...экстраполяции скорости деградации на температуру, при которой эксплуатируют инжекционные лазеры, определяют срок службы Г 21Недостатком известного способа являеся необходимость проводить испытания при нескольких повьпценных температурах окружающей среды. При этом может произойти смена механизма деградации, изменяются характеристики слоев структуры 1 й инжекционного лазера, быстро ухудшается качество омических контактов, Все это ограничивает возможности известного способа и приводит к большим погрешностям в определении срока службы инжек- И ционных ,лазеров.Цель изобретения - повышение точности определения срока службы инжекционных лазеров при одновременном упрощении способа. .26Поставленная цель достигается тем, что согласно способу...

Номер патента: 1092726

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Громов, Касаткин, Лавров

МПК: H03K 19/08

Метки: инжекционных, интегральных, коллективного, линиями, передачи, пользования, согласования, схем

...с шиной питания, а база - сколлектором транзистора второго типапроводимости, база которого черезвторой резистор соединена с его эмит"тером и шиной питания, управляемыйисточник тока выполнен на третьемтранзисторе первого типа пронодимости, коллектор которого через третийрезистор соединен с шиной питания,змиттер подключен к выходу управляемого источника тока, а база подключена через четвертый резистор кшине питания, к входу управлениясостоянием и базе многоэмиттерноготранзистора первого типа проводимости, коллектор которого через пятыйрезистор соединен с базой транзистора второго типа проводимости, аэмиттеры соединены с информационными входами устройства,На чертеже представлена принципиальная схема предложенного...

Номер патента: 1109740

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Амирханов, Казинов, Криворучко, Рогозов

МПК: G06F 7/50

Метки: двоичный, инжекционных, сумматор, элементах

...соединен с шиной питания сумматора, а эмиттеры всех п-р-п-транзисторов и база миогокол 45 лекторного р-и-р-транзистора подключены к шине нулевого потенциала сумматора, который содержит также седьмой ь-р.-ь-транзистор, база которого соединена с вторым коллектором четвертого п-р-п-транзистора, а коллектор - с базой пятого транзистора23.Недостатком известного сумматора является сложность конструкции.Цель изобретения - упрощение55 конструкции сумматора.Поставленная цель достигается тем, что в двоичный сумматора на 740 1 инжекционных элементах, содержащийв каждом разряде шесть и-р- -транзисторов и многоколлекторный,р- ь-р -транзистор, причем базы и первыеколлекторы первого, второго и третьего, и---транзисторов соединеныс соответствующими...

Номер патента: 1159795

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Абрамов, Антошин, Будкин, Глухов, Илюхин, Киреев, Коекин, Кулезнев, Макаров, Симонов-Емельянов

МПК: B29C 45/77

Метки: инжекционных, литьевых, машин, пластмасс, характеристик

...формы. мером или электросекундомером), строятЦель изобретения - улучшение условий 25 инжекционную характеристику литьевой машины. Она используется для оценки сосНа чертеже изображено устройство, об- тояния литьевой машины (износа и т,д.)определения ее технологических возможноУстройство для определения инжекцион- стей, для расчета форм и т. д.ных характеристик литьевых машин для Кроме того, при помощи предлагаемогопластмасс содержит подвижную 1 и непод- устроиства можно получить график тече 30нвижную 2 полуформы, измеритель давления ния расплава, если продавливать расплаврасплава в виде датчика 3 давления, измери- через один и тот же дросселирующий каналтельный шток которого расположен в кана- известных размеров при разных...

Номер патента: 708862

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Глебов, Грицаенко, Егоров, Тарасов

МПК: H01L 21/8222

Метки: инжекционных, интегральных, логических, схем

...0,2-0,3 мкм. Фотолигографией вскрывают окно, через которое травят в кремнии канавку 5 (фиг. 2) на глубину 0,3-0,4 мкм с одновременным подтравливанием под маску. При ориентации подложки в плоскости (100) или (111) подтравливание происходит на расстояние 0,7-0,8 от глубины канавки, т.е. на 0,2-0,3 мкм. В канавку проводят диффузию бора с разгонкой в окислительной атмосфере. В результате формируют базовую 6 (фиг, 3) и инжекторную 7 области на глубину 1,0-1,2 мкм, покрытие окислом 8 толщиной 0,3-0,35 мкм, Затем фотогравировкой вскрывают в окисле 8 окно 9 (фиг. 4), причем в качестве маски используют фоторезист, а травят вертикально ориентированным пучком ионов без бокового подтравливанияокисла,Фоторезист является маской с одной (двух) сторон...

Номер патента: 1200082

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Жуков, Клямкин, Костенков, Котиков, Матяш

МПК: F23D 14/42

Метки: газовых, индивидуальными, инжекционных, камерами, качества, мундштуков, работы, резаков, смесительными

...Техред И. Верес Корректор М. Самборская Тираж 525 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор А. ШишкинаЗаказ 7853/44 Изобретение относится к машиностроению и найдет применение при изготовлении инжекционных резаков и мундштуков для газовой резки металла.Цель изобретения - обеспечение пожаровзрывобезопасности, а также экономии горючего газа и кислорода при контроле.Способ осуществляется следующим образом.В кислородные каналы испытываемого резака с установленн 11 м в него мундшту ком подают сжатый вбвдух с заданным давлением кислорода, а трубопровод, соединенный с каналами горючего газа, опускают в...

Номер патента: 986236

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Волынчикова, Красницкий, Савотин

МПК: H01L 21/82

Метки: инжекционных, интегральных, схем

...диф,фузии сквозь диэлектрическую илии ную маску создают сначала пф -области эмиттерного контакта 3 и эмиттерных охранных колец,4, а затем в об;ф. ластях базы 5, инжектора 6 и резистора 7 формируют л -слой (см. Фиг. 1).Далее методом имплантации или диффузии, используя диэлектрическую, резистивную или комбинированную маску, формируют р -пассивную базу 8,-инжектор 9 и р -охранные кольца к резисторам, 10 (см, фиг. 2). После этого в маске, закрывающей поверхность элементов, одновременно лито- графически создают контактные окна к коллекторным и базовым областям и резисторные окна, в которые методом имплантации или диффузии вводят примесь О -типа проводимости низкой концентрации и формируют л -области ,коллекторов 11 и л -резисторов 12....

Номер патента: 1275430

Опубликовано: 07.12.1986

Автор: Журкин

МПК: G06F 7/50

Метки: инжекционных, одноразрядный, сумматор, элементах

...1 О переноса, На чертеже показаны также контрольные точки 11-19. Пороговые детекторы и токовые отражатели выполнены/на и-р-и"транзисторах с инжекционным питанием в цепь базы, При этом на выходе 9 реализуется функция 1 сзначной суммы трех операндов, а на выходе 10 - функция двузначного переноса. Два из трех входных операндов являются Е-значными, а третий, в качестве которого подается входной перенос, - двузначным.При произвольном К в базы транзисторов, образующих токовые отражатели 15 Одноразрядный сумматор для К 4 работает следующим образом. Входные сигналы операндов на входах 1 и 2 принимают значения из ал фавита Е = ( 0,1,2,3), а на входе 3,обозначающем перенос из предыдущегоразряда, принимают значения из Е==0,1 . Тогда...

Номер патента: 1277096

Опубликовано: 15.12.1986

Автор: Журкин

МПК: G06F 7/50

Метки: инжекционных, одноразрядный, сумматор, элементах

...питанием н цепь базы.При 1-4 в базы транзисторов образующих токовые отражатели 4-6 и пороговые детекторы 7 и 8, инжектируются токи, соответствующие 7, 3, ,4. 4и 1 единицамПри произвольном к в базы транзисторов должны инжектироваться токи,соответствующие 21 к, 1-1, 1 с, К иединицам,Для насыщения соответствующеготранзистора необходим входнои ток35в одну единицу При этом токовыйотражатель своим выходом может отводить инжекционныи ток с входа последующего элемента, равный току, поступающему на его вход, а открытый4 впороговый детектор может отводитьвесь инжекционный ток с входа по"следующего элемента,Одноразрядный сумматор для Кработает следующим образом.45На входах 1 и 2 операнцы принимают все возможные значения из множества Е...

Номер патента: 1305673

Опубликовано: 23.04.1987

Автор: Журкин

МПК: G06F 7/552

Метки: инжекционных, интегральных, квадратор, логических, четырехзначных, элементах

...первый и второй выходы шестого токового повторителя соединены с выходами девятого и десятого источников эталонного тока с весами три и "один" соответственно и с входами третьего и четвертого пороговых элеентов соответственно, первый выход етвертого порогового элемента подлючен к выходу одиннадцатого источика эталонного тока с весом один"к входу пятого порогового элемента, ервый выход которого соединен с выодом шестого порогового элемента ивыходом двенадцатого источника этаонного тока с весом два", вход шесого порогового элемента соединен с выходом четырнадцатого источника эталонного тока с весом один", входы восьмого и седьмого токовых повторителей соединены с выходами тринадцатого и пятнадцатого источников эталонного тока с весами...

Номер патента: 1593966

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Новоселов, Шарина

МПК: B29B 17/00, B29B 9/10, B29C 45/17 ...

Метки: инжекционных, литьевых, машин, цилиндров

...образом создается давление, необходимое для впрыскивания расплава в фильерирующее устройство 8. Сначала изцилиндра 9 удаляются остатки массы, а затем основная масса, поступающая из бункера 1, Материал прогоняют через цилиндр 3и фильерирующее устройство 8 до тех пор,пока он не станет пригодным для литья деталей, т,е, будет содержать посторонниевключения. Следовательно, за счет тогр, чтоматериал, поступающий иэ бункера 1 в обогреваемый инжекционный цилиндр 3 при непрерывном вращении червяка, 4, врасплавленном состоянии непрерывно прогоняется через цилиндр 3, обогреваемоесопло 9 и дополнительно через необогреваемое фильерирующее устройство 8 для фильерирования расплавленной массы в жгутымалого сечения (0,8-1,2 мм) с...

Номер патента: 1195814

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Володина, Миронос, Смирнов, Субботин

МПК: G03G 5/08

Метки: инжекционных, слоев

Способ получения инжекционных слоев путем термического испарения в вакууме фотопроводника на нагретую подложку с использованием облучения мощностью 104 - 106 Вт при скорости конденсации пара 103 - 108 нм/с, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности, темнового электрического сопротивления, чувствительности к видимой области спектра и светопропускания слоев, фотопроводник испаряют на подложку, нагретую до 25 - 80oC при длительности импульса облучения 10-8 - 10-6 с.