Гореленок

Способ диагностики двумерной проводимости в полупроводниковых материалах

Загрузка...

Номер патента: 1483409

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Гореленок, Мамутин, Приходько

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости

...а затем ортогонально ему (вектор СВЧ-поля направлен перпендикулярно длине щели вдоль плоскости волновода). К образцу прикладывается постоянное электрическое поле. При этом образец 11 переходит в низкоомное состояние, что определяется из вольт-амперной характеристики, затем снимаются токовые зависимости СВЧ-шума в диапазоне токов 0,1 - 0,5 А при двух различных ориентациях образца 11 относительно щели, Анализ зависимостей, снятых для образца твердого раствора 1 по,гдГдаолтАв изорешеточного с 1 п Р, выращенного на полуизолирующей подложке 1 пР(Ге) кристаллографической ориентации (100), показывает, что первая носит монотонно возрастающий характер, вторая - насыщается. Первая зависимость показывает, что шнур либо расширяется в плоскости...

Способ преобразования импульсов напряжения

Загрузка...

Номер патента: 1386945

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Гореленок, Мамутин, Приходько

МПК: G01R 31/26, H02M 5/20

Метки: импульсов, преобразования

...ви"ирсщ - соответственно время задержки, время спада, время включения низкоомного состояния, времяпреобразуемого импульса и длительность преобразованного импульса.На фиг,4 изображены осциллограммыпадающего (преобразуемого) импульса:а) отраженного импульса без магнитного поля; б) отраженного импульса вмагнитном поле, выпрямляющем (формирующем) плоскую вершину импульса;в) при приложении к образцу постоянного напряжения ЦЦ,На фиг.5 показана осциллограммаизменения формы отраженного импульсапри изменении магнитного поля: а)В = 0; б) В = 0,7 Тл; в) В=1,35 Тл,На фиг. б представлена иллюстрациянахождения требуемой величины магнитного поля для выпрямления (формирования)плоской вершины импульса, С- времяСЦспада импульса при В = О, 1, -...

Способ диагностики двумерной проводимости в полупроводниковых материалах

Загрузка...

Номер патента: 1190315

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Гореленок, Мамутин, Полянская, Приходько, Рождественский, Шмарцев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости

...вектора СВЧ-шумового сигнала. При этом используют специальное приспособление для измерения СВЧ-шума, в котором образец размещается над сильно излучающей четвертьволновой щелью.При переводе образца в низкоомное состояние в последнем возникает эффект локализации тока по какому-то 1 определенному направлению, т.е. появляется шнур тока.Экспериментально было установлено,что наличие двумерной проводимостиприводит к таким ограничениям на расширение шнура тока, что зависимость/температуры шума от тока, измеренная при ориентации плоскости образца, совпадающей с направлением10 вектора СВЧ-шумового сигнала, отличается от той же зависимости, снятой при ориентации образца в плоскости ортогональной вышеуказанной.Возможен также перевод образца...

Способ получения р «-переходов

Загрузка...

Номер патента: 196177

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гореленок, Царенков

МПК: H01L 21/368

Метки: переходов

...образом, На пластинку арсенида галлия, смоченную галлием, наносят дополнительное количество галлия, необходимое для растворения слоя пластинки арсенида галлия заданной толщины, Пластинку помещают в кварцевую ампулу. В ампулу закладывают также мышьяк, чтобы не было диссоциации арсенида галлия, и легирующую примесь: донорную (Те, Яе и п.т.) либо акцепторную Хп, Сс 1 и т. п.), в таком количестве, чтобы в ампуле было насыщенное давление паров примеси в течение всего процесса. Ампулу откачивают до 10-д - 10 6 мм рт. ст, и запаивают, чтобы процесс создания эпитаксиального р - и-перехода происходил в замкнутом объеме. Затем ампулу помещают в печь.При этом пластина арсенида галлия, покрытая галлием, находится при температуре 800 - 850 С,...