Патенты с меткой «примесного»

Номер патента: 1114262

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Колчанова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: глубокого, ионизации, оптической, полупроводнике, примесного, симметрии, типа, центра, энергии

...носителей тока, создаваемых светом из рассматриваемой области энергии фотона (дырка, электрон). Эти сведения могут быть 0 Далее по формулам (4-8), приведенным ниже, строятся расчетные кривые спектральной зависимости сечений фотоионизации б , учитывающие зону проводимости / д /, зону тяже лых дырок /И 1, /, зону легких дырок/ Ве /, зону спин-орбитального расщепления / б 6 / для каждого типа симметрии /Г 6, Г, Гз /. Сечение фо тока определяют зарядовое состояние исследуемого центра после фотоионизации, экспериментальные зависимости фотопроводимости или коэффициента поглощения сопоставляют с расчетными кривыми, величину оптической энергии иойизации глубокого примесного центра с и тип его симметрии определяют по значениям параметров...

Номер патента: 1693512

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Потапов

МПК: G01N 27/22

Метки: газа, концентрации, примесного

...устройство 2 для извлечения )-гокомпонента газовой смеси к опорной ячейке 3 дифференциального измерителя ДП,ячейка 3 и измерительная ячейка 4 дифференциального измерителя ДП подключенык устройству 5 для измерения разности ДПи к устройству 6 для измерения ДП сжатогогаза. Дроссель 7 редуцирует высокое давле.ние до заданного. Измерительная ячейка 8 10для газа при нормальных условиях(при низком давлении) подсоединена к устройству 9для измерения ДП газа при нормальных условиях.Сжатый газ (например, от баллона) поступает на вход устройства 1 для установления "нуля" прибора. устройство 1представляет собой газовук схему, с помощью которой на его выходе формируетсягаз с заданной плотностью либо тот же газ, 2 Оно с выделенным (например, с...