C30B 33/00 — Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

Номер патента: 280450

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ангерт, Баранов, Толчинска, Фарштендинер

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: 280450

...монодоменных кристаллов .ЮЬО, 0ориентации, являющегося материалом дляквантовой электроники,Известеп способ получения монодоменныхкристаллов .1 ХЬОз 0 ориентациями, заключающийся в том, что выращивание кристалловведут в электрическом поле, когда затравка ирасплав находятся .под постоянным напряжением.Однако известным способом получать круп:ные кристаллы сложно. Кроме того, выходконечного продукта низкий.С целью увеличения кристаллов и повышения выхода конечного продукта, выращенныйдо нужных размеров кристалл отжигают при1160 - 1180 С в течение 30 - 60 мин под напряжением 15 - 25 в. Затем кристалл охлаждают до 1075 - 1125 С при снижении напряжения на 25 - 40% с последующим охлажденнем кристалла со скоростью 26 - 30...

Номер патента: 284981

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Акуленок, Багдасаров, Байков, Говорков, Ильин, Институт, Классен, Лобачев, Рогов, Специальное, Федоров, Хаимов, Чернышева, Яшин

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: корунда, кристаллов, механически, обработанных, повышения, прочности

...из них изделий.Однако во время дальнейшего иапользования полученных изделий, например в качестве часовых камней, наблюдается большой покол их вследствие образования на поверхности при механической обработке аморфного наклепанного,слоя, содержащего царапины и микротрещины, которые значительно снижают ,прочность изделий из кристаллов корунда.Для повышения выхода качественньох механически обработанных изделий из кристаллсв корунда предлагается термообработку последних проводить в замкнутом объеме жаростойкого контейнера, например из лейкосапфира при 1200 - 1300 С в течение 0,5 - 1 час со скоростью нагрева и охлаждения 400 - 500 град/час при вакууме приблизительно 5 10 з мм рт. ст.П р и м е р. Механически обработанные изделия из...

Номер патента: 291874

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Золотухин, Короленко, Цветков, Шустов

МПК: C30B 29/16, C30B 33/00

Метки: двойников, исправления, механических

...по спайности из кристаллов.Описываемый способ позволяет исправить 10 двойники в заготовках, не ограниченных плоскостями спайности, пригоден для выправления объема с множеством двойниковых пластин.Это достигается тем, что сжатие осущест вляют в направлении оптической оси.Сжатие производят в слабо пластичных прокладках, например асбестовых, до полного исчезновения двойников, которое наступает при давлениях порядка 30 в 1 кг/сл. 20Например, из кристалла оптического кальцита вырезают заготовку в форме куба с ребром 20 для на поляризационную призму системы Глана, Две противоположные грани куба являются базовыми - они нормальны оптиче ской оси кристалла.Базовые грани заготовки подвергают сжатию гидравлическим прессом силой 400 кг,...

Номер патента: 815091

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Плотников, Федоров, Финкель

МПК: C30B 33/00

Метки: двойникующихся, кристаллах, поверх-ностей, ювенильных

...цель достигается тем, что в способе получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах, включающем упругое деформирование образца, сосредоточенную механическую нагрузку прикладывают к двум естественным граням кристалла, являющимся его плоскостями спайности. Ве-. личина нагрузки, необходимой для обоазования полости, равна Р где Р - нагрузка в направлейии двойникования;- угол между нормалью к плоскости спайности и направлением двойникования.П р и м е р, Получают ювенильные поверхности в кристалле исландского шпата. Схема получения поверхностей приведена на чертеже.Берут кристалл 1 исландского шпата размером 10 х 10 х 5 мм, ограненный естественными гранями.К двум противоположным граням 2 размером 10 х 10 мм, являющимся...

Номер патента: 823475

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Гиндин, Метолиди

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристалловиодистого, термообработки, цезия

...иодистого цезия, а - более 2 ч приводитк существенному образованию соеди-Янений, содержащих 804 и НОэ , ухудшающих оптические свойства.На Фиг. 1 показана зависимостьпредела текучести от режима охлаждения при сжатии вдоль направления110 и 111 на фиг, 2 - изменение предела текучести в образцах после отжига от 600 С при сжатии вдольнаправлений 110 и 111; иа фиг. 603 - спектры поглощения контрольного(кривая 2) и отожженных после закалки при 100 С в течение 10 мин (кривая 3), 15 мин (кривая 4) и 30 мин 65(кривая 5) монокристаллических образцов иодистого цеэия,П р и м е р . Способ опробованприменительно к обработке монокристал.лов иодистого цезия выращенных.методом Стокбаргера в вакуумных кварцевых ампулах, Иэ полученного монокристального...

Номер патента: 593349

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Авдиенко, Березина, Богданов, Мастихин, Сапожников, Шелопут

МПК: C30B 33/00

Метки: галогенидов, монокристаллов, растворов, таллия, твердых, термообработки

...при повышенной температуре. Отжиг кристаллов, содержащих 42 Т 0 Вг и 58 Те 1, проводится при 330 С на воздухе в течение 3-4 ч 11. Указанный способ преследует цель избавиться от термических напряжений, возникающих в кристаллах в процессе роста и обработки.Однако кристаллы твердых растворов галогенидов таллия, например кристаллы состава, ТССЕ ТЕ 1 (КРС-б) ТЕВг Т 11 (КРС) имеют еще и микронеоднородности, обусловленные Флуктуациями в процессе кристаллизации. Такие кристаллы нельзя использовать в качестве звукопроводов для акустооптических устройств, так как неоднородности приводят к,дополиительному механизму значительного затухания звука,(71) 3 Институт Физики полупроводников Сибирского отделенияЗаявительАН. СССРф 59 3349 Формула...

Номер патента: 881158

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Насыров

МПК: C30B 33/00

Метки: металлов, монокристаллов, травитель, тугоплавких

...(111) и(100) монокристалловниобия и молибдена, а также болееподробно выявлять субграницы в.иссле. дуемых кристаллах,Формула изобретения Составитель В. РыцаревРедактор И. Мнтровка Техред Ж,Кастелевич Корректор Г. Назарова Тираж 336 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 9879/44 Филиал ППП "Патент", г. ужгород, ул. Проектная, 4 серной кислоты 46, 70 -ной азотнойкислоты 17, 48%-ной фтористоводородной кислоты 29, фторида,калия 5,2,остальное вода. Время травления 4045 с, температура 20-25 фС, Шлифы,отполированные и промытые в воде,переносят в травитель со смоченнойповерхностью. На протравленной поверхности хорошо выявляются дислокации, а также...

Номер патента: 912778

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Зайончковский, Кудряшова, Левина, Лихолетов, Мосевич

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, полировки, стронция, титаната, химической

...кристалла и не п достигать высокой чистоты обра верхности. Цель изобретения - повышение чистотьобработки поверхности.Поставленная цель достигаетсятем, что хямическую полировку монокрксталлов титаната стронция с плоскостью ф ориентации (100) осуществляют 7087 вес.%-ньтм водным раствором ортофосфорной кислоты, нагретым до 180200 оС, в течение 20-25 мин при вращении 70-80 об/мкн.П р к м в р. Проводят полировку поверхности монокристалла титанатв строяция сплоскостью ориентации 100) фос- форной кислотой разной концентрации при180 200 С, время обработки 20 25 мин.3Заметноепол иров ание 242 211 Удовлетворительпол ированиеХорошее полирование 0,170 0,135 0,165 0,105 Способ кристаллов тью ориент работкупо ортофосфор о т и я ч ацелью...

Номер патента: 912779

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Быков, Ивченко, Кузнецов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

....выдержать кристалл без растрескивания. Недостатком . гндроэкструзии является трудность первоначального уппотнения очка матрицы, особенно при сложном профиле экструдата.Известно устройство, реализую способ получения поликристалличес сцинтилляторов иэ ионных монокристаллов 21.В этом устройстве монокристаллическую заготовку помещают в канал контейнера, имеющего на одном конце матрицу, а на другом - жесткий плуни.ер. Нагретая до высоких температур заготовка под действием жесткого плунжера выдавливается через матрицу меньшего поперечного сечения. Полученное методом горячей экструзии иэделие имеет прочность по крайней мере вдвое превышаю. щую исходную, а оптические свойстваЬ 91277гаемом устройстве под действием жидкости высокого давления,...

Номер патента: 926089

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Зильберман, Исаков, Савинцев

МПК: C30B 33/00

Метки: ионных, контактного, кристаллов, плавления

...электростатического поля для системы ЕМО-Маей.Цилиндрические образцы из кристаллов ИаМО и КМО помещают в термостат и приводят в контакт. Образцы располагают между двумя плоскими 20 электродами, служащими для полученияоднородного электростатического поля.Электроды подключают к высоковольтному стабилизированному выпрямителю, Между образцом и электродом остав- р 5 ляют воздушный промежуток 1-2 мм. После прогрева до заданной температуры 2800 С с появлением жидкой фазы включают электростатическое поле. Наблюдение за процессом ведут с помощью микроскопа через наблюдвтельное окошко термостата. Изменяя величину напряженности электростатичес, кого поля, можно изменять и скорость протекания самого процесса.35При наличии внешнего...

Номер патента: 927863

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Макарова, Николаев, Парамонов, Яремчук

МПК: C30B 33/00

Метки: галлий-гадолиниевого, граната, подложек, полировки, химической

...приповерхностной вязкой пленке за счет постоянного подвода свежей порции раствора, обеспечить тем самым лучшие условия диффузии продуктов травления и обеспечить воспроизводимость результатов.Применение для быстрого охлаждения орто.или пирофосфорной кислот при 70 - 100 С позволяет облегчить отмывку подложек от продуктов травления при одновременной ликвидации термоудара; применение температуры ниоЗО же 70 С не всегда компенсирует термоудар - подложки имеют тенденцию к растрескиванию, при температуре выше 100 С может наблюдаться растравливание дефектов.Использование частоты вибратора в пределах 20-200 Гц обусловлено тем, что при более низких пределах вязкая пленка не разрушается, а более высокие пределы не оказывают влияния на...

Номер патента: 941433

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Касяненко, Матвеева, Скропышев

МПК: C30B 33/00

Метки: исландского, кристаллов, обесцвечивания, окрашенных, природных, шпата

...в процентах от наи"более мощной линии в ультраФиолете).50При использовании известного способа основная энергия излучениясконцентрирована в линии 253,7 нм.При использовании предлагаемогоспособа ( в данном конкретном примере использованы лампы ДРШ с фильтром) исключены линии с )260 нм.В качестве фильтра используют частьоптической системы спектрометра СДЛ 3 4Конкретный вид фильтра не важен, гла вное, чтобы от с екали с ь ли нии с длиной волны, меньшей 260 нм. В частности, подобных результатов можно добиться при использовании стандартного фильтра, выделяющего только линию 312,6 нм.Обработке подвергают розовые кристаллы исландского шпата одинаковой толщины ( 10 мм), имеющие одинаковый спектр поглощения в исходном состоянии (фиг. 2, кривая 1)...

Номер патента: 941434

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Головей, Мудрый, Некрасова, Тешнеровский

МПК: C30B 33/00

Метки: выявления, дислокаций, монокристаллах, состав, тройных, халькогенидных

...в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый аммоний. 3Двухромовокислый калий 0,02Серная кислота ОстальноеОбразцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14 а класса и класса чистоты Р 1 У, Затеи образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор, Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2 Ф С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе ИИИ. На образцах четко выявляются дислокационные ямки травления.П р и м е р 2Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый...

Номер патента: 947233

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Бароненкова, Борисова, Кондрашина, Фролова

МПК: C30B 33/00

Метки: 100, выявления, дислокаций, кремнии, плоскости, травитель

...предлагаемого травителя позволяет испольэовать его для выявлениядислокационной структуры эпитаксиальных слоев кремния, при использовании его для выявления дислокационной структуры в монокристаллах кремния повышается производительность процесса и экономится коемний и химический реагент. 1 ОП р и м е р. 1. Во фторпластовый стакан помешают 49-ого НГ 140 мл и Сг 033,3-ого раствора в воде 10 мл. Полученный травитель содержит 15 , НГ 526 г/л, СгО 23 г/л. Образецэпитаксиальную структуру с кристаллографической ориентацией (100)опускают в травитель и выдерживают 1,5 мин при постоянном помешивании. После этого образец промывают дистил.н Яэ данных таблицы можно сделать выйбд, что оптимальным составом травителя является раствор,...

Номер патента: 958509

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Руденко, Скропышев

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, обесцвечивания, окрашенных, природных

...(0,25 мм), В результате получены три группй по пять кристаллов, по одной пластинке от каждого кристалла. Кристаллы пер- вой группы подвергают. термической обработке по известному способу - с изотермическим отжигОм при 300-350 фС, кристаллы;второй и третьей групп .по предлагаемому способу с изотермическим отжигом при 400 и 500 С, Термическую обработку производят на воздухе в муФельной печи. Средняя сйорость нагрева составляет 9 С в минуту. Для установления временной зависимости процесса на каждой Фиксированной температуре проводят серию последовательных изотермических отжигов общей продолжительностью до25, ч. Для контроля характера изменения светопропускания при термообработке. снимают спектры оптического поглощения кристаллов в...

Номер патента: 958510

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Аксенова, Дроздова, Коляго

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, парателлурита, селективного, травления

...ямки селективного травления,контролируя их плотность и распределение.П р и м е р 1. Из ориентированного кристалла парателлурита вырезают образец в виде шайбы так, что 60плоскости срезов перпендикулярныоси110 . Производят химическуюполировку этих плоскостей, промываюти высушивают образец. Помещают образец в травитель - в концентриро ванную хлорную кислоту НСОА и выдерживают в ней при 50 С 10, 30 и 60 мин,Результаты наблюдают на микроскопеМп - 2 н/п "Карл Цейс" при увеличении 100 хх. При травлении10 мин развиваются плохо различимые,узкие, сильно вытянутые ямки селективного травления, которые сливаютсядруг с другом в желоба. При травлении 30 - 60 мин эти желоба смыкаютсядруг с другом, образуя волнистыйрельеф (фиг, 1),П р м е р 2 , Образец,...

Номер патента: 966122

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Зайцева, Иванов, Финкель

МПК: C30B 33/00

Метки: залечивания, кристаллах, трещин, щелочно-галоидных

...субзерен значительно меньших разориентапий (до нескольких 1 О мин), йругим признаком полученнбй.границы бикристалйа является также восстановление оптического контакта между двумя изогнутыми половинками после их отжига, хотя это и не является абсолютно .достоверным признаком появления кристаллографической границы зерен. Это явление наблюдается, например при схлопывании трещин в щелочногалоидных кристаллах после сдавливания, Поскольку не сухо ществует критериев для определения механической прочности "собственно границы зерна", (например, разрушение может в зависимости от условий испытаний проходить вдоль границы или по телу зерна) авторы ограничиваются известными диагностическими признаками, на основании которых и сделано утверждение о...

Номер патента: 971923

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Доливо-Добровольская, Перелыгин

МПК: C30B 33/00

Метки: дислокаций, кристаллах

...3 4производится экспрессное определение присутствующих в кристалле типов дислокаций. В случае преобладания того или иного типа по всему объему кристалла или в части его исследователь может прогнозировать возможные отклонения в физических свойствах кристалла(например, легкость скольжения, неоднород. ность электрофизических параметров),П р и м е р. Определяют типы дислока. ций в кристаллах германия, ориентированного по плоскости (1).Производят шлифовку по стандартной методике, затем химическую полировку шлифоваль.1 ных поверхностей по стандартной методике. Соотношение скоростей травления для германия в полирующем травителе следующее: травитель СР - 4, скорость полировки участков без дислокаций Чп в 100 мкм/мин; скорость травления участков...

Номер патента: 973676

Опубликовано: 15.11.1982

Автор: Кибизов

МПК: C30B 33/00

Метки: алмаза, веществ, двойникования, дендритах, плоскостей, структурой, четности, числа

...(111) дендрита 1 делаютцарапину перпендикулярно направлениюроста С 211 ) и затем растягивающимусилием производят разлом, обеспечим вающий качественный скол, При рассмотрении сколов либо невооруженнымглазом, либо.в лупу обнаружено, чтово всех случаях получаются сколыдвух типов: либо в виде двух взаимно наклонных плоскостей 2, пересекающихся в плоскостях двойникованияВ и образующих с одной стороны скола впадину, а с другой - выступ; либо в виде двух параллельных плоскосЗ 5 тей 3, образующих одну общую наклонную плоскость. Если скол представляет собой одну наклонную к.направлению роста плоскость, как показанона дендрите 4, то число плоскостей40 двойникования Д четное. Если жескол образуется в виде впадины -выступа, как показано на...

Номер патента: 983154

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Аксенова, Дроздова, Коляго

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, парателлурита, селективного, травления

...0013,Готовят травильный раствор, длячего в концентрированную азотнуюкислоту добавляют О,01-0,05 вес.пермангената калия и перемещаютраствор до получения однородной фиолетово-роэовой окраски. В приготовленный раствор погружают пинцетомкристалл и выдерживают его в растворе 10-60 мин, После этого кристалл,извлекают, промывают, высушивают иизучают протравленную поверхностьпод микроскопом, наблюдая ямкиселективного травления, контролируяих число и распределение. 40П р и м е р 1. Из ориентирован.ного монокристалла парателлурита вырезают образец в Форме шайбы так,что плоскости срезов перпендикулярны оси 001. Производят химическую 45полировку этих плоскостей, проьываюти высушивают образец. Помещают образец в .концентрированную хлорную...

Номер патента: 990892

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Евланова

МПК: C30B 33/00

Метки: лития, метаниобата, монокристаллов, травления

...иазотной кислот, при этом процесс ве"дут в смеси, содержащей 1 об.ч. пла;15 виковой и 3,2-4 об.ч. азотной кислотпри комнатной температуре в течение18-20 ч.Травление в течение времени менее18 ч дает менее четкую картину травления, а при травлении более 20 ччеткость картины травления также падает из-за появления вуалирующегослоя. П р и м е р 1. Образецс полированными поверхностями размером5 х 5 х 2 мм погружают в травнтель состава 1 об.ч. НР н 3,2 об.ч. ННОпри комнатной температуре на 18 ч. З 0 По окончании процесса образец про- Составитель А. Коломийцев .Редактор Н. Рогулич ТехредЙ.Гергель Корректор М. Шароши Р Заказ 67/41 Тираж 368 Подпи сиое ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 998600

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Апинов, Икрами, Рейтеров, Шишацкая

МПК: C30B 33/00

Метки: окон, оптических, полирования

....эмаль к стеклянной колбе источника или приемника ВУЧ излучения соответствует кривой 2. Отсутствие крутого подъема С(А ) от границы пропускания окне и 3 ЗЕ наличие полос поглощения по всей спектральной кривой 1 объясняется эффектом светорассеяния на поверхностных микро- неровностях, наличием в приповерхностном нарушенном (трешиноватом) слоев следовполировочной пасты и промывочных жидкостей, используемых при обработке окон, наличием тончайших адсорбированнцх пленок воды из атмосферы, образующихся при хранении окон. Несе-лективное поглощение в спектре припаОО фяных окон (кривая 2) объясняется по-глощением распылившейся в процессегазовыделения во время пайки и приплавившейся к поверхности окна тончайшей пленки из стеклоэмали,Обработка...

Номер патента: 998601

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Кудряшова, Лихолетов, Мосевич, Смирнова

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, поверхности, состав, стронция, титаната

...как четыре токсичных и огнеопасных растворителя заменяются однимбезвредным и безопасным в работе водным раствором щавелевой кислоты и перекиси водорода,1 Ф П р и м е р, Очистку поверхностимонокристаллов титаната стронция посленарезки их на пластины, шлифовки и полировки проводят в кипящем водномрастворе щавелевой кислоты и перекисиводорода,Составы растворителей и диэлектрические характеристики НК, изготовленныхиз монокристаллических пластин титанатастронция обработанных этими раствора,ми, представлены в таблице,1,6-40,5О, 37-2,25Остальное Диэлектрические характеристики НК Тавгенс диэлектрических потерь Составраствора Содержание, мас,% Управляемостьмкость,пф Щавелеваякислота 1,63 Перекисьводорода 2,25 45 10"ф 3, 33 Вода Ос тальное...

Номер патента: 1000477

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Измаилов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллографической, монокристаллов, ориентации, оцк-решеткой

...неподвижных монокристаллов в полихроматическом излучении для выявления симметрии характерных точек и их ориентировки 11.Указанный способ ориентации кристаллов отличается трудоемкостью, для его реализации требуется сложное дорогостоящее оборудование. иболее близким к предлагаемому явспособ определения анизотропии крис- в том числе и с ОЦК-решеткой, пуменения микротвердости по Кнупу. пособом можно выявить направление ьшей твердости на кристаллографиплоскостях 2. Однако в общем случае известный способ не позволяет выявить кристаллографическую плоскость или кристаллографическое направление с низкими миллеровскими индексами.Цель изобретения - идентификациякристаллографических плоскостей и направлений с низкими индексами...

Номер патента: 1006552

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Матросов, Цветков

МПК: C30B 33/00

Метки: бериллия, монокристаллов, окиси, основе, травления, химического

...селективное травление проводятв расплаве едкого калия при 360400 С в течение 5-20 мин.П р и м е р 1. Выявляют дефекты кристаллической структуры монокристалла хризоберилла, выращенного 10 в направлении 0101.Образцы в виде пластин толщиной1,0-1,5 мм, вырезанных из этогокристалла, в направлении, перпендикулярном оси вытягивания, т.е. в 15 плоскости (010), повергают химической полировке в расплаве метафосфата натрия при 900 С в течение 30 мин.Высокое качество полировки дает ровную, гладкую поверхность пластин.Затем в течение 10 мин проводятселективное травление в расплаве 1(ОНпри 360 С. Травители содержат в платиновых тиглях, образцы погружают втравители с помощью держателей, иэ 2 д готовленных иэ платиновой проволоки.Требуемой температуры...

Номер патента: 1019032

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Десяткова, Федорова

МПК: C30B 33/00

Метки: ванадия, монокристаллов, полировки, раствор

...ортофосфорной кислоты менее 10 мас.ивинной кислотыменее 3 мас.% на поверхности кристаллов образуется окиснаяпленка, При увеличении концентрацииортофосфорной кислоты более 15"и винной ЗО более 5% идет неравномерная полировкаповерхности.Концентрации водного раствора дляполировки следующие, мас.%; азотнаякислота ДО; ортофосфорная ислота;10-15; винная кислота 3-5.Результаты обработки монакристаллов ванадия в растворах разных составов40 представлены в таблице.10190321 о о. ффЧ О х хЯфи О ОО О тч еч ОО г 1 еЧ г 1 фч ф"132 40-15 мин при перемешивании. Затем ромывают водой. Обрабатывают 19 моокристаллов ванадия; 6 монокристаллов,адия ориентации 111; 7 монокрисаллов ориентации 1103; 6 монокристалов ориентации 100, При съемке на ентгеновском...

Номер патента: 1033584

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Иванова, Медведев

МПК: C30B 33/00

Метки: камней, них, природных

...для изделий, работаЗ 5 ющих на просвет при наличии бездефектных областей размером 50 50 50 мм П р и м е р 3, Приполированные и неполированные кабошоны размером4 9 мм иэ грязно-серого, табачно зеленого и табачно-серого нефрита,не отвечающего требованиям ОСТа 41,117.7 б, помещают в тигли иэ окисиалюминия и засыпают гранитным стеклом, Подготовленные автоклавы при мер 11 загружают в печь и выводятна режим со средней скоростью 50 С/ч.Автоклавы выдерживают на режиме:Т 500 С, Р 1000 атм НО + 10 Нтрое суток, после чего в;первой се-рии опытов охлаждают со средней скоростью 50 С/ч, во второй серии закайливают со скоростью 10000-1000 С/ч.После автоклавяой обработки исследу,емые образцы приобретают молочнозеленую, светло-зеленую, белую...

Номер патента: 1055785

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Мининзон, Никитенко, Пополитов, Стоюхин

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, термообработки

...люминесценции по,площади скола монокристалла, что связано с 65 ухудшением условий диффузии йода на всю глубину монокристацла.Опыт показал, что для монокристаллов объемом 5 мм вполне достаточно термообработки в течение 6-8 ч, При этом достигается равномерность эффекта активации по всей глубине монокристалла. Время термообработки меньше б ч приводит к нестабильным результатам, которые связаны с йеравномерной активацией образцов. Время термообработки больше 8 ч не усиливает эффекта активации экситонной люминесценции. Следователь но,отжиг в течение 6-8 ч является Оптимальным.Увеличение скорости охлаждения монокристалйов после отжига до зна чений, больших 60 град/ч сопровождается появлением в них дислокацийи зачастую, приводит к их...

Номер патента: 1059033

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Сорокина, Улин

МПК: C30B 33/00

Метки: антимонида, индия, полирующий, травитель

...чтопри большой скорости травления приводит к созданию неровностей типа"апельсиновой корки" .Кроме того, очень высокая скорост/травления около 800 мкм/мин) непозволяет контролировать малые толщины удаляемых слоев,Цель изобретения " улучшение качества обработки поверхности и снижение скорости травления.Поставленная цель достигаетсятем, что травитель для антимонидаиндия, содержащий концентрироваиную плавиковую кислоту и окислитель, дополнительно содержит 7,610,4-ный водный раствор щавелевойкислоты и в качестве окислителя перекись водорода и концентркрованнувсерную кислоту при следующем соотно-,шении компонентов, об.ч.;Плавиковая кислота 2-4Перекись водорода 0,3-1,5Серная кислота 2-47,6-10,4-ный водныйраствор .щавелевойкислоты...

Номер патента: 1068554

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Семенов, Соколов, Фоминов

МПК: C30B 33/00

Метки: полупроводников, термообработки

...ионизированной среды последние оказываются в особых, экстремальных условиях. У нагреваемой по-.верхности образца образуется двойной электрический слой, в составкоторого входят ионы калия или натрия, являющиеся металлами со свойствами сильно действующих поверхностно-активных веществ, которые могутзначительно понизить свободную по;верхностную Энергию, Эффект понижения поверхностной энергии приводит 40к изменению физических свойств вовсем объеме обрабатываемого образца.1Кроме того, у нагреваемой в плазме ионизированной среды образца 45 образуется электрическое поле весьма высокой напряженности. Если электрическое поле вблизи поверхности металла при электролизных процессах имеет напряженность 106 -10 В/см, то при нагреве в электролите...