Патенты с меткой «дрейфовой»

Номер патента: 773538

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Добровольскис, Кроткус

МПК: H01L 21/66

Метки: дрейфовой, материалах, носителей, полупроводниковых, скорости

...в осциллографах 5 и 6.Наэтих импульсах можно выделить триобласти:- область, в которой электрическое поле в образце слабое,концентрация носителей тока близка, рравновесной, а подвижность соответствует подвижности при законе Ома,Й - область сильного электрического поля с соответствующими этомуполю концентрацией и подвижностьюносителей тока, Ф - вторая, областьслабого поля, во время которой концентрация остается равной концентрации в конце импульса сильного поля,а подвижность соответствует законуОма, 39Импульсы электрического поля вобразце с омическими контактами снимаются с находящегося в держателеобразца высокоомного резистивногоделителя импульсы же, пропорциональные величине тока в образце - свключенного последовательно к образцу...

Номер патента: 888706

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Родионов, Чепел

МПК: G01T 5/12

Метки: дрейфовой, камере, координат, регистрации, частиц

...проволочныйэлектрод, а во-вторых - ускорениеэлектронов в межэлектродном промежутке до энергий, достаточных длявозбуждения свечения частиц газа,которое регистрируется Фотоэлектронным умножителем.Таким образом, данное устройствопозволяет измерять лишь координатучастицы вдоль направления электрического поля.Целью предлагаемого изобретенияявляется увеличение объема информации о координатах центра тяжестиоблака электронов на следе частицы,получаемой в объеме одного детектора,Цель достигается тем, что вустройстве для регистрации координат частиц в дрейфовой камере с помощью системы многопроволочныхэлектродови регистрирующих светэлементов система многопроволочныхэлектродов выполнена в виде трехплоских электродов, расположенныхна пути...

Номер патента: 1180817

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Адомайтис, Добровольскис, Кроткус

МПК: H01L 21/66

Метки: дрейфовой, носителей, скорости

...прибора 10, второй опгоэлектроццый ключ 7 подсоединен между держа толем 9 образца через вторую форми - рующую линию 5 к источнику 3 постоянного напряжения. Импульсами пикосекундного лазера 1 через полупроницаемое зеркало 11 освещается первый оптоэлектронный ключ 6 и через оптическую линию 8 задержки - второй оптоэлектронный ключ 7.Устройство работает следующим образом, Лазером 1 генерируется 40 импульс света. Этот импульс поступает ца оптоэлектронный ключ 6, сопротивление которого падает, способствуя разряду заряжеццой при помощи источника 2 напряжения формирующей линии ч и формированию электричессветового импульса:газера 1 зад(:р - живается при помощи с 1 тичсс койнии 8 задержки на время, соответствующее времени срабатывацця...

Номер патента: 1250923

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Репшас, Скучене

МПК: G01N 22/00

Метки: дрейфовой, заряда, носителей, полупроводнике, скорости

...ударную ионизацию путем подключения источника,развивающую в исследуемом полупроводнике 2 импульсное СВЧ электромагнитное поле Е, и, отключив входдифференциального усилителя осциллографа 5 от сопротивления 8, поосциллограмме нарастания напряженияна исследуемом полУпроводнике 2,определяют время жизни носителейзаряда. Подключают вход дифференциального усилителя осциллографа 5противление ИПП 2 К. ЦСННЗ, усредненная за период колебанич СВЧ определяется по формулеЧ:.= (., ) Йп (К /К.) 1 (К- К, ) 7 Кгде 1. - длина полупроводника. 1 ил. к сопротивлению 8. За время короче0,1 после окончания импульса импульсного СВЧ электромагнитного поля, т.е. пока концентрация избыточных носителей заряда не успела заметно измениться измеряют сопротивление...

Номер патента: 1181405

Опубликовано: 07.08.1987

Авторы: Барабаш, Чалышев

МПК: G01T 1/18, G01T 5/12

Метки: высоким, дрейфовой, камеры, напряжением, питания, электродов

...потенциала камеры; временная диаграмма 4 изменения напряжения на сигнальных проволоках камеры.Способ питания высоким напряжением электродов дрейфовой камеры заключается в следующем.Между циклами ускорителя на электроды камеры поданы постоянные напряжения: на электроды распределенного потенциала - отрицательного знака Б о, на сигнальные проволоки - положительного знака Бо . Оба напряжения выбраны из условия отсутствия перенапряжений на микроостриях, приводящих к коронному разрядуВ момент времени С (2), предшествующий началу сброса пучка 1. (а, " 50-100 мс) на потенциальные и сигнальные электроды синхронно подаются импульсные напряжения, Время здолжно быть больше времени переходных процессов в цепях питания электродов камеры, Длительность...

Номер патента: 1281014

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Стрмень, Фещенко, Флягин, Чириков-Зорин

МПК: G01T 5/12

Метки: дрейфовой, информации, камеры, многопроволочной

...черезлинию задержки 7, 8, , К подключен выход каждой последующей схемы И, причем выход последней линиизадержки подключен к информационному входу преобразователя времяцифра 4 типа пю 11 р 1 е-Ы, входстоп которого соединен с выходомлинии задержки 6 для сигнала триггер.Введение в каждый канал регистра 35ции схем И, на один вход которыхподается сигнал временные ворота, суказанием длительности, позволяетрегистрировать только частицы, сигналы от которых совпадают с сигналом"Триггер установки", т,е. регистрировать только достоверную.информацию,. а подключение к выходам схем Иукаэанным способом линий задержекпозволяет ввести в один преобразователь время-цифра большое количество сигналов, но не превышающее число Ьдй-ов используемого преобразова...

Номер патента: 1837212

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Казанцев, Ребане, Рудакова

МПК: G01N 21/67

Метки: дрейфовой, ионов, плазме, скорости

...расчет величины Ф(1 у, 1 д). Сопоставляя ее с.теоретическими зависимостями Ф(ч) для конкретных условий в ионизованной среде, определяют величину скорости дрейфа ч при совпадении зависимости, Погрешность в определении скорости дрейфа ионов включает в себя погрешность измерения спектральных характеристик линий и погрешность принятой модели анизотропной релаксации.П р и м е р 1. Измеряли распределение скорости дрейфа ионов в разряде в цилиндрическом полом катоде диаметром 1 см и длиной 5 см, в аргоне при давлениях 0,01 - 0,5 Торр и постоянных токах 20 - 25 мА по спектральным линиям аргона 3819 и 3883 оА, соответствующим переходам с дублета 4 о Р 1 П,12 на нижний уровень 4 р 01 д, Наблюдали излучение вдоль оси ОХ, параллельной оси...