Патенты с меткой «квантомеханического»

Номер патента: 1098466

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Пономарев, Приходько

МПК: H01L 21/66

Метки: вырождения, глубоких, квантомеханического, полупроводнике, фактора, центров

...разделаполупроводник в диэлектр с учетомтемпературного размытия, функции Ферми и по взаимному сдвигу полученныхспектров определяют квантомеханичес- З 5кий фактор вырождения глубоких центров,Способ осуществляют следующим образом.На поверхности исследуемого полупроводника, содержащего мелкую легирующую примесь, формируют слой туннельно непрозрачного диэлектрика,т,е. слой с толщиной, превышающейо100 А. При формировании этого слоя 45создают условия, обеспечивающие получение пассивированной границы разделаполупроводник-диэлектрик, в случаеиспользования в качестве исследуемогополупроводника кремния слой диэлектрика формируют окислением поверхности кремния в сухом кислороде с последующим отжигом в азоте, что дает плотность поверхностных...