Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур

Номер патента: 557701

Авторы: Лисенкер, Марончук, Пухов

ZIP архив

Текст

с ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических(43) Опубликовано 25,12,77. Бюллетень 7 дарственный комитететв Министров СССРделам изобретенийн открытий УДК 621,382088.8)(45) Дата опубликования описания 26.12.77 нкер, Ю, Е. Марончук, И, Е. Марон и Ю, Г, Пухов(72) Авторы изобретен 1) Заявители ститут ики полупроводн ибирский госуда в Сибирского отделенивенный унт верситет и Но 4) УСТРОЙСТВОПОЛУПРОВО ые средства на иэлемента, Кромеет быть использодности излучения ещаться по том фикси- излучения Изобретение относится к технике измерения светового излучения и может быть использовано для экспрессного контроля однородности квантового вькода излучения полупроводниковых структур, предназначен ных для изготовления светодиодов или других оптоэлектронных приборов,В производстве светодиодов отбраковка готовьк приборов производится с помощью измерителей яркости, в качестве которых 10 используются фотометры 1 11Недостатком такого контроля является необходимость изготрвления большого числа приборов для оценки их параметров.Известно устройство для отбраковки излучающих полупроворниковьк структур, содержащее источник питания структуры и калиброванный фотоприемник, включенный визмерительную схему 2Для измерения квантового выхода излучения структур с помощью такого устройства необходимо из контр м й структуры изготовить излучатемент заданной плошадиПрися часть контролируемой стр ОТБРАКОВКИ ИЗЛУЧА ЮШИХКОВЫХ СТРУКТУР трачиваются дополнительн зготовление контрольноготого, устройство не можвано для контроля одноропо плошади структуры.Целью изобретения является упрощениепроцесса измерения,Поставленная цель достигается тем, чтоустройство содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца электрически связаны с источникома 8 ля измерепитания электрическая схема дния фотоотфотоотклика электрически связана с фтоприемником 5.5Устройство работает следующим образом,Ч з жидкий омический микрозондовыйерезконтакт 3 и подвижный держатель 6 к структуре прикладывается напряжение и за счет .тока, проходящего через световод 4 либо.через прозрачный электролит, излучение попадает на калиброванный фотоприемник и ре-гистрируется электрической схемой 8,Квантовый выход рекомбинационного излучения рассчитывается по формуле. ос - коэффициент, учитывающий гео.метрию зонда и характер растекания тока,Коэффициент о, может быть определен экспериментально для данного зонда. 25 Составитель едактор Т. Орловская Техред Н. Бааз 5015/29 Тираж 976БНИИПИ Государственного комитепо делам изобретений и113035, Москва, Ж, Р Использование капиллярного зонда с фотоприемником позволяет проводить измерения по площади руктуры беэ ее разрушения, уменьшает затраты на изготовление контрольных светодиодов, увеличивает полезную площадь используемой структуры.формула изобретения Устройство для отбраковки излучающихполупроводниковых структур, содержащее.источник питания структуры и калиброванныйфотоприемник, включенный в измерительнуюсхему, отличающееся тем,что,с целъю упрощения процесса измерения, оносодержит подвижный капиллярный микрозонд,заполненный электролитом, по центральнойоси которого расположен световод с фотоприемником,Источники информации, принятые во внимание при экспертизеф1, Грин Г. И. Измерение параметров ийиспытание полупроводниковых приборов, Высшая школа", М 1974, с, 182-186.2. ох,ъ И.М/,ЗЕЕЕ Тгачз ЕИ,531, 1965,Корниловарка Корректор Л. Федорчук

Смотреть

Заявка

2312884, 14.01.1976

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО АН СССР, НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ЛИСЕНКЕР Б. С, МАРОНЧУК Ю. Е, МАРОНЧУК И. Е, ПУХОВ Ю. Г

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: излучающих, отбраковки, полупроводниковых, структур

Опубликовано: 25.12.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-557701-ustrojjstvo-dlya-otbrakovki-izluchayushhikh-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур</a>

Похожие патенты