Полупроводниковый прибор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(23) Г 1 риоритет Гооударотоеииой кометеСовета Мкикстроа СССРоо делан кзобретеиейи открытии 3) Опуб ковацо 05,1 77, Бюллетень Лое 4 описания 20.12. 77 ДК 621,382, (088,8) Дата опубликован(72) Авторы изобретен сошенко и Ю, Е. Мароцчу 71) Заявитель тзики полупроводников Сибирского отделеция АН СССР сти 54) НОЛУПРОВОДНКОВЫ ПРБС кв с выводами, выполцецными из полупроводникового , втериала с прямыми зонами,Тип проводимости областей 2-3 совпвда с типом проводимости материала осконструкцииполевого типа и и можетмикроэлектроайти широкое примецециике. товцой пластицьобластей 4-5 ити 2 и 4 и 3стоковый (соот вестны полевые приборы с использсм инверсии,нвко в таких приборах мала крутиэвисимости тока истока от потенциала отиво ввние Оет цтцые р-т-переходь на заполе иэлект ц с го электрод расположен полевой э вольтампергвемом при ла или легированного п у ртактная область 8 с вь1 имеет одинаковый с нейти, Прибор включает выводсоответственно истока, стокаПрибор работает следуюшиПри протекании тока черезход (величина тока может из водом 9 к пластине цена и одимос 1 и,тип п ы 10 ласти коцтвк разного типа твора рины запрещенлюмицесцентныйт, который м образом.р - тт -переменяться внциалов меж от разности по9 и 12 ипи 1 ие света, кото 1, Рождающие е носители за висимости оиспредлагаемы йз ссцовной плас На чертеже изображе прибор, который состоит тины 1, выполненной из ду выводами ходит излуче ый поглошв я при поглошеяда диффундиластины 1, о ирокозоцного поа, например вр 2-5 истока и сто ся пластин нии неосновн руют и дрейф лупроводникового матер сенида, галлия, областе уют в области Изобретение относится к полупроводниковых приборов использующих режим ицверс Для увеличения крутизнь ной характеристики в предл боре основная пластина вып рокозонного материала, в отов состоят из двух частейпроводимости одинаковой шиной зоны, образуя электрор а-переход, излучающий свепоглощается каналом. тип проводимости оложец ему. Облвсазуют истоковый и цно) электролюминесНа пластину 1 наце, сверху которого ектрод 7 из метвлол п оводцика; конрезун при соответствующей разности потенФциалов между полевым электродом и истоком или стоком) проводящий канал на поверхности пластины 1 вблизи диэлектрика 6. При достижении некоторой: критической величины тока через р - И -переход например 2-4) увеличение тока приводит к его лавинообразному нарастанию вследствие онтическэй положительной обратной 1 О сВязи между проводимостью канала исток- сток 4-5 и током следовательно и светимостью) р - р -перехода. Величина критического тока р - И -перехода зависит также от потенциала полевого электрода 7, что обуславливает высокие значения крутизны вольтамперной характеристики прибора в указанном режиме.формула изобретенияПолупроводниковый прибор, состоящийиз основной пластины с областями истокаи стока, нанесенного на пластину диэлектрика, сверху которого расположен полевой электрод, и выводов для управления прибором, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с цепью увеличения крутизны вопьтамперной характеристики, области истока и стока выполнены в виде электр опюминесдев тных р-И переходов.оставительехред Н. Анд Кремлев ук КорректИ, Шуб д Тираж 976арственного комитетао делам изобретений иЬ, Москва, Ж, Рауш ОГосу Подписноеовета Министров Соткрытийскан наб., д. 4/5 з 4739ЫНИИП 3 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4
СмотретьЗаявка
1799546, 21.06.1972
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО АН СССР
СЕНОШЕНКО О. В, МАРОНЧУК Ю. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 29/76
Метки: полупроводниковый, прибор
Опубликовано: 05.12.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-432840-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>
Предыдущий патент: Прокатная клеть
Следующий патент: Устройство для ориентирования отклонителя
Случайный патент: Адаптивная радиолиния передачи дискретной информации