Лисенкер

Номер патента: 701431

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатора, электролюминесцентного

Способ изготовления электролюминесцентного индикатора, включающий выращивание p-n-структуры, разрезание ее на полосы, укладку полос с заполнением промежутков диэлектриком и разрезание полученного монолита на пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, повышения КПД и рассеиваемой мощности, при укладке полосы соединяют с металлической фольгой, после чего фольгу гофрируют в состоянии с конструкцией индикатора.

Номер патента: 655257

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/20

Метки: экрана, электролюминесцентного

...разныхсторонах табло, этим существенноповышается КПД табло, Таким способом также достигается хорошая контрастность изображения за счет того,что каждый элемент табло окружен металлом, Такая конструкция решает ипроблему теплоотвода, что в свою очередь позволяет экрану работать сбольшой светоотдачей, т,е, одновременно включать большое число элементов,Предлагаемый способ позволяетупростить технологию изготовлениятабло, получить значительную экономиюисходного полупроводникового материала, так как нет необходимости, например, стравливать значительнуючасть полупроводника, кроме того,разрезание р - и-переходов большихплощадей на стержни позволяет существенно увеличить полезную плошадь полупроводникк ов ого матери ал а,П р и м е р. На подложках...

Номер патента: 599659

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/18

Метки: основе, полупроводниковых, приборов, соединений, типа

...с малыми размерами планарных р - п-переходов (менее 5 - 1 лгклг) их. элекг,рофизические характеристики лучптаготся, если с начала на поверхности полупроводника формируют непрерывный ряд твер,-дых растворов с шириной запрещенной зогны, возрастающей к поверхностги с градиентом 10" - 10 В/с 11, а затем образуют пла: нарный р - и-переход, например, путем ,диффузии примеси в структуру.В этом случае существенно уыеньшаетгся кривизна р - и-перехода и уменьшается угол выхода р - и-перехода на поверхность.В овязи с этим возрастает пробивное .нап 1)5 жение. Уменг,цгение кривизны р - п-перехода и угла выхода его ца паверхность вызвано особенностями диффузии примеси в такой структуре. Коэффициент диффузии примеси резко, возрастает с увеличением...

Номер патента: 639362

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 29/04

Метки: полупроводниковый, прибор

...сущности к предлагаемому является полупроводниковый прибор на основе р - п-структуры 2.Свойство известных устройств выпрямлять переменный электрический ток обусловлено тем, что сопротивление р - п-структуры сильно меняется при изменении мощности напряжения, прикладываемого к ри и-областям р - п-структуры.Однако в известных полупроводниковых приборах имеются краевые токи утечки, которые приводят к снижению пробивного напряжения.Цель изобретения - уменьшение краевых токов утечки и увеличение пробивного напряжения.Это достигается т опиковом приборе на рпо крайней мере одотуры выполнена нав При приложении переменного напряжения к р- и п-областям р - п-структуры происходит выпрямление электрического тока. Уменьшение краевых токов...

Номер патента: 588859

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Баскин, Кравченко, Лисенкер, Марончук, Шегай

МПК: H01L 31/14

Метки: визуализации, излучения, инфракрасного

...ИК изображения и подготовка, пластины к приемунового изображения производитсяпутем нагрева пластины или облучением ее интечсивным светом из областисобственного поглощения.Использование описанного активного элемента позволяет существенноупростить конструкцию устройства:исключить сложные системы, связанныес питанием и коммутацией электрических цепей приемника и излучателя,повысить разрешающую способность устройства, увеличить время запоминанияизображения. Причем иэображение хранится без подачи на устройство электропитания и потребления электроэнергии. 48На чертеже показана схема предлагаемого устройства.Оно состоит из системы 1, проектирующей инфракрасное изображение,элемента 2,в качестве которого используется полупроводниковая...

Номер патента: 500714

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Гудзь, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев

...реакторов,2цепь изобретения - разработка способа снижения уровня неконтролируемого пегирования растущих слоев бааз кремнием.Это достигается тем, что в зону роста эпитвксиапьных слоев Ьо А 6 при температуре роста подаются пары гидразина (ипи вм ми вка) .Гидразих (ипи аммиак) при взаимодействии с хпоридвми кремния обрвзуют комплексы типа ЬЙ Я (нвпримеп,Ы Я), которые при встраивании их в решетку растущего слоябаАьявпяются, в отличие от 3 ь, электрически неактивными.Сущность предпвгаемого способа звкпючается в следующем.Хпориды кремния, образующиеся в зоне роста, связываются гидразином ипи аммиаком с образованием нитрида кремния, что уменьшает концентрацию эпектрически активного кремния в растущем слое Ьо Аь П р и м е р. Устройство...

Номер патента: 557701

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/66

Метки: излучающих, отбраковки, полупроводниковых, структур

...содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца...

Номер патента: 376030

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, основе, прибор

...сущест"венно улучшить характеристики полевыхприборов на основе баАз, например,увеличить максимальную рабочую часто. -ту полевых транзисторов и МДП-варика 2 О пов . трук в нающих кон ройс поль рмула изобретения Прибор изолиров ю щ и й ния его дом галл ложен до Зогаллия с тли ч ю улусе . арсеннка распс" трида г;-.з арсенидодом, ос целк междиэлектрслой н на основе иным элект я тем, чт арактерист я и слоем д олнительныгаетс диэле Изобретение относится к с циям полупроводниковых уст т основе арсенида галлия, ис зу принципы эффекта поля.Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структу ры) еИзвестные МДП- структуры не позволяют получить плотность...

Номер патента: 444507

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, мдп-структур, основе

...разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика,...

Номер патента: 500509

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: G01R 31/00

Метки: полупроводниковых

...поро говому для эффекта Ганна, в диапазоне частот, по крайней мере; в 1000 раз меньшепролетной.Предлагаемый способ контроля прлупроводниковых материалов обладает тем преимушеством, что он учитывает процессы, протв-фкаюшие в сильных электрических полях искажающие эффект Ганне, и позволяет пред-сказать ожидаемую мощность по пролетнойчастоте,Сущность предлагаемого изобретения сооит в си500509 Составитель р ал,х,Редактор Е,Гончнр Техред Иуарандашова Корректор р.црыксина Изд. МТираж 1029 Подписное Заказ 4915 сударствениого комитета Совета Минис по делам изоор.тений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 в СССР ИИПИ филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 примесный пробой центров с анергией меньше Ес,36 эв и др,Эти процессы...