Сеношенко

Номер патента: 513562

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Сеношенко, Соловьев, Шерстяков, Энтин

МПК: G01N 21/55

Метки: варизонных, полупроводниковых, структур, характеристик

Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.

Номер патента: 1287760

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Зыков, Лазарев, Поляков, Сеношенко

МПК: A01B 13/04

Метки: стеблеукладчик

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к сельскохозяйственному машиностроению, в частности к рабочим органам машин для укладки и укрывки стеблей кустарниковых насаждений землей на зиму.Цель изобретения - повышение качества укладки стеблей.На фиг.1 изображен предлагаемый стеблеукладчик, вид сзади; на фиг.2то же, вид сверху,Стеблеукладчик установлен на раме 1 и состоит из пальцевого колеса 2, установленного на оси 3 под острым углом к горизонту, и стеблесъемника в виде колеса 4, свободно посаженного на шип 5 кривошипа 6, который жестко закреплен на оси 3, выполнен регулируемым по длине и расположен со стороны рамы 1. Пальцевое колесо 2 приводится от опорного колеса 7 с помощью цепной передачи...

Номер патента: 376030

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, основе, прибор

...сущест"венно улучшить характеристики полевыхприборов на основе баАз, например,увеличить максимальную рабочую часто. -ту полевых транзисторов и МДП-варика 2 О пов . трук в нающих кон ройс поль рмула изобретения Прибор изолиров ю щ и й ния его дом галл ложен до Зогаллия с тли ч ю улусе . арсеннка распс" трида г;-.з арсенидодом, ос целк междиэлектрслой н на основе иным элект я тем, чт арактерист я и слоем д олнительныгаетс диэле Изобретение относится к с циям полупроводниковых уст т основе арсенида галлия, ис зу принципы эффекта поля.Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структу ры) еИзвестные МДП- структуры не позволяют получить плотность...

Номер патента: 432840

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/76

Метки: полупроводниковый, прибор

...йз ссцовной плас На чертеже изображе прибор, который состоит тины 1, выполненной из ду выводами ходит излуче ый поглошв я при поглошеяда диффундиластины 1, о ирокозоцного поа, например вр 2-5 истока и сто ся пластин нии неосновн руют и дрейф лупроводникового матер сенида, галлия, областе уют в области Изобретение относится к полупроводниковых приборов использующих режим ицверс Для увеличения крутизнь ной характеристики в предл боре основная пластина вып рокозонного материала, в отов состоят из двух частейпроводимости одинаковой шиной зоны, образуя электрор а-переход, излучающий свепоглощается каналом. тип проводимости оложец ему. Облвсазуют истоковый и цно) электролюминесНа пластину 1 наце, сверху которого ектрод 7 из метвлол п...

Номер патента: 444507

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, мдп-структур, основе

...разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика,...