Способ изготовления мдп-структур на основе арсенида галлия

(1 07 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Соцнапнстнческка Респубакк(23) Приоритет (43) Опубли ков (45) Дата опуб судврстееккнй квате Совета Мкккстреа ССС ее делан кзоеретелккк аткрыткй 05.12.77, Бюллетень 4 3) У 621.382.002.088.8) иковання описания 20.12) Авторы изобретени Б. С. Лисенкер, И Е. Марончук и О. В. Сеношенк арончу 71) Заявитель тут физики полупроводников Сибирского отделения АН ССС(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-СТРУКТУР НА ОСНО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯДля этого перед нанесением диэлектрика поверхность арсенида галлия Обрабаотывают в парах гидразина при 600-620 СВ качестве прототипа изобретения из 5 способ получения МДГЪ-структур на основеСО вв с использованием 810Существо предложенного способа закгдочается в том, что в газтранспортной системе при 1550-750 С на пластинах О или эпитаксиальных слоях отсе А 8 вь 1 рашивают слои двуокиси кремния, образующеггся при термическом разложении тетраэтоксисилана. В результате такого отжига образуется промежуточный слой диэлектрика брат я на арескоготемпераМеханизм рсенид галлияестными спсг , поскольку слоя б ны сло я, состоит в диффузии азота через ий слой, который в данных условиет роль маскирующего покрытия, яющего проникновение загрязняющих ентов к границе,. раздела, В резульлучается граница раздела Са лЬ -5 слповеохностных состояний поИ осш игр О тру ния является получение олупроводник - диэлектностью поверхностных остью 210 от 5 рядка Изобретение относится к электронике, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур из арсенида галлия. Известен способ получения МДП-струк тур, заключающийся в том, что на арсени де галлия выращивается слой двуокиси крем ния путем термического разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика, в зоне образцов устанавливают 1 ф 600- 620 С. Очищенный гаэ-носитель (Н ) барботируется через гидраэин, который разлагается в зоне образца 5 а А 9 с выделением свободного азота, Поскольку при этой температуре значительная диссоциация и уда ление мышьяка, происходит реакция азота с (а( А е с образованием Сто Х С достижением критической толщины 6 О Й основным механизмом роста становится диффузия азота через образовавшийся слой ( о Н, что обеспечивает образование границы раздела бо Аб - Ст о 1 М в химически чистых условиях. После образования промежуточного слоя 5 О Й температуру в зоне 074ообразцов понижают до 550 С и в реактор вводят пары тетрватоксисилвнв, который разлагается с выделением двуокиси кремния, в результате чего происходит рост основного слоя диалектрика.Полученные структуры имели плотность поверхностных расстояний на границе раздеда (2 "3)1 д см ,Формула изобретения Способ изготовления МДП-структур нв осно е арсейидв галлия включающий наращивание на поверхности полупроводника низкотемпературным методом диалектрика, например пиролитического 50 2и последующее нанесение металлического алектродв, о т л и ч в ю щ и й с я тем, что, с целью получения границы рвзделв полупроводник - диалектрик с низкой плотностью поверхностных состояний, перед нанесением диэлектрика поверхность арсе- нида галлия обрвбвтоыввют в парах гидразина при 600-620 С.Составитель Н. ЗолотухинаРедактор А. Зиньковский Техрец Н. Анцрейчук Корректор Е. ПвппЗаказ 4739/10 Тираж 976 П оцписн ое ЦНИИПИ Госуцврствеиного комитета Совета Министров СССР по цепам изобретений и открытий 113035 Москва, Ж, Рвушская нвб., ц. 4/5 филиал ППП "Патент, г. Ужгород, уп. Проектная, 4