H01L 21/3063 — электролитическое травление

Номер патента: 104970

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Ефимов, Невежин

МПК: C25D 3/22, C25F 3/14, H01L 21/288 ...

Метки: барьерного, поверхностно, триода, цинко-германиевого

...ПОВЕРХНОСТНО-БА И Н КО-ГЕРМАН И ЕВОЕРНОГО ТРИОДА ЪЕТР ГУИКИ, с ОСаЖЛЕИИЕ ПИИКс) П 1)И плотности т(и(д 0,2 - 0,6 Гг,(,5-", отнесенной к попсре помм сс ичию ОсапКс 1Д,151 ,.Сипссиия Обрдтиог тока коллектора блок триоцд иолвергдет- С 51 ." И . ИсС С К и ) 1 Т Г) а В, 1 СЧ И И О В ТЕ с Е И И Е 3 сскмил и " -но раствоие;зот;ой кис,оты и иосгеу,.юцсм) -1 Й-сск)и;иотл травлению и растворе:100 г.г С)0, и 3 гг НО 1 релмет изобретения1. СГособ изгОтовгсии 51 )пикс)-Геи маииевого повсркностио-бдрьс рного ТИПО;с 1 ПМТЕ)1 Эг СКТИОСИТИсЕСКОГс) струиого Г( рвлеиия;вл: СОГ)спы.с ,1 МИОК. В ГСИМс 11 ИЕВОП П,ЯСТИКЕ С ПО- с,ел к)ци. э,ско,ип и 1 ким осаж- ПЕНИЕМ ЦсКОЬЫК ЭМИттЕРД И КОЛЛЕК- тора, от,(ичдюцийся тем, что, С ЦЕЛЬЮ ОСУ 1 ИССТВ 1 ЕПИЯ...

Номер патента: 526037

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Воронов, Гришин, Катерушина, Лайнер, Носова

МПК: H01L 21/3063

Метки: выявления, кремния, монокристаллах, неоднородности, примесной

...кристаллов, легироввнных бором и фосфором с удельным сопротивлением 10 ом см и 0,5 ом см соответственно. Причиной низкого квчествв кар 20 тин трввления является пленкв, образующаяся прп электрохимическом травлении нв поверхности исследуемого образца. Химическим травлением не удается полностью удалить пленку, сохранив при этом четкую картину 25Цель изобретения - повысить четкоскартин примерной неоднородности.Это достигается тем, что электрохикое травление ведут в смеси 25-30;о-иплввиковой кислоты с водным растворохромовокислого аммония концентрвциейвзятых в соотношении 1;4. длвгвемым способом исследованы прое и поперечные сечения монокриствлемния электронного типа проводимости, енные по методу Чохрвльского и метотигельной зонной плавки...

Номер патента: 576624

Опубликовано: 15.10.1977

Автор: Окружнов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/3063

Метки: травления, установкой, электролитического

...через которое поступает электролит 11. В устройство загружается заготовка полупроводникового прибора, содержащая кристалл 12 и электрод 13. Поверхность кристалла 12 в начале травления имеет форму 14, изображенную сплошной линией, а в конце травления - форму 15, изображенную штриховой линией.Устройство работает следующим образом.После загрузки заготовки сигнализатор 3 выключается, включая ток травления коммутатором 8 и ток первого источника тока 2, Наг,76024 Заказ 2280/16 Изд.813 Тираж 995 Подписное Типография, пр, Сапунова 2 участке цепи обратной связи операционного усилителя 1, состоящем из электрода 13 и входа операционного усилителя 1, устанавливается ток, равный алгебраической сумме тока травления, протекающего по цепи: вход...

Номер патента: 632269

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Криворотов, Литвин, Марончук, Пинтус

МПК: H01L 21/3063

Метки: галлия, травления, фосфида, электролитического

...Р Ог ис ( 1,. и ы й э а сБ О Р х с 3 с Е )ростьО 3 5 ч,с, в которьй по ружаот от- Рнис 1 Т(ссЬНЫИ ЭГЕКТРОЛ 4. ЗсТЕХ НВИР 5 ЖСЦИС5 куклу эг(с 1 ктролаз 3 3 и 4 ИО 3 ь 1 пск)т ло Ос)- РсЗОВс(НИЯ ЭГ(ЕКТРИсС.СКОГО НРОО)53 В СТРЧКГЗ - рс. 11 ри эточ ток через 0(рдзец 1 резко возРс 1 стс 1 ст, а нс 1 пэЯжс нис на н(. 1 псзлс 1(.т.,10 СТН Х 13 ЭКС РетБЛЬНЫХ ВЕ Ннц, НспР 51- жение и ток стремятся к первоначальным Зо ЗНДЧСПИЯЧ. КсК ТОЛЬКО НБПРЯжЕНИЕ НД ОО.рдзцс лстиаст Величины, неоохоличой лля н р азова 1 Ия п роси) я. процесс ИОВторяс тс 51.:ттот Д 3 ОКЛЕОДтСЛЬНЫЙ ПРОЕСС СОПРОВОж ЛДСГСЯ СЗС)ВЫЧ ИЗЛУЧЕНИСМ В ВЛИХ 031 Н- ,асти сн ктрд.Е)личина напряжения чсж;) электро- )сУ И Б ЧОХЦТ Нс 1 сЛД ПР(30051 СОСТДВ 15 С 1 140 10 Б Б зависим(сги (и...

Номер патента: 878105

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Залетин, Мальковский, Семенова

МПК: H01L 21/3063

Метки: барьером, дефектов, исключения, объема, полупроводниковых, потенциальным, рабочего, структур

...образуются микроплазмы, т,е. повышенная. электропроводность этой области структуры, вызывающая увеличение скорости электролитического удаления материала структуры. Если обработке подвергаются полупроводниковые структуры или структуры типа диэлектрик - полу; проводник/ то производится либо удаление дефекта, если он находится на ближайшей к поверхности структуры стороне потенциального барьера,.либо ликвидация потенциального ба 55 60 65 После обработки структур с барьером Шоттки пробивные напряжения наструктурах увеличились в 1;5-10 раз,величина обратного тока уменьшилась в 10 -104 раз,Использование данного способа посравнению с существующим позволяет:значительно упростить процесс, обеспечить воэможность обработки структур типа...