H01L 21/479 — обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования

Номер патента: 8422

Опубликовано: 30.03.1929

Автор: Бушмарин

МПК: H01L 21/479

Метки: детекторов, контактных, кристаллов, чувствительных

...оп распростраедмет пате и. Печатныи Тр Предлагаемое изобретение касается способа изготовления чувствительных кристаллов для контактных детекторов и заключается в том, что смесь из 100 , свинца, 40 г. серебра 84 пробы и 40 г. серы, в мелкораздробленном виде,. нагревается в тигле (угольном, графитном, либо фарфоровом) до удаления избытка серы, Полученная масса раздробля ется в порошок, который снова сдлавляется на куске угля вольтовой дугой, при силе тока от 10 до 15 ампер, после чего охлажденная масса раскалывается на куски требуемой величины. Способ изготовления чувствительных кристаллов для контактных детекторов, отличающийся тем, что смесь 100 г, свинца, 40 г, серебра 84 пробы и 40 т. серы, все в мелкораздробленном виде, нагревают в...

Номер патента: 110441

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Вул

МПК: H01L 21/479

Метки: конденсаторы, нелинейные, полупроводниковые

...частности, из титаната бария. Керамические конденсаторы должны выполняться достаточно тонкими, что представляет значительные технологические трудности. Даже при толщине керамических пластинок в 0,1,и,и к обкладкам конденсатора приходится подводить достаточно большие напряжения для заметного изменения емкости, обусловленной изменением диэлектрической проницаемости под воздействием электрического поля.Согласно изобретению, предлагается использовать в качестве нелинейных конденсаторов электронно-дырочцые переходы (рп-переходы) между электронной и дырочцой частями полупроводника, которые имеются в производимых промышленностью полупроводниковых диодах ц триодах, Емкость указанных переходов в отличие от керамических конденсаторов в большой...

Номер патента: 112523

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Улановский

МПК: H01L 21/479

Метки: выпрямительных, полупроводниковых, формовки, электрической, элементов

...устройства.Последнее имеет зцачени для производства селеновых выпрямителей, в котором расход электроэнергии на (1)ормовку составляет ббльпую часть общего расхода электроэнергии.Особешюсть предлагаемого способа электрической формовки полупроводниковых выпрямителыых элементов заключается в том, что формуюшсс напряжение от источника переменного синусои дального напряжения подается ца ка)кд гй элемент через последовательно с ним соединенный конденсатор. В начале процесса формовки, когда выпрямляющие свойства выпрямителя слабо выражены и обратное сопротивление соизмеримо с прямым, через конденсатор протекает переменный ток с углом отсечки,П,близким к -и постоянная составляюшая напряжения ца конденсаторе равна нулю.По мере формовки...

Номер патента: 115115

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Улановский

МПК: H01L 21/479

Метки: выпрямительных, полупроводниковых, формовки, электрической, элементов

...использование для формовки полупроводниковых выпрями- тельных элементов коротких импульсов постояного тока, пропуска.емых в запирающем направлении, известно. Сочетание этого способа со способом формовки от источника переменного синусоидального тока через конденсатор по авт. св.Аг 112523 обеспечивает сокращение длительности процесса формовки и получения элементов с лучшими запирающими свойствами (мень.шим значением обратного тока и - большим рабочим напряжением без ухудшения проводящих свойств. ЗОБРЕТЕНИЯКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ Й ФОРМОВКИИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТО по делам изобретений и открытийСССР Практически, требуемые короткие импульсы постоянного тока лучше всего получать путем разряда конденсатора емкостью 2 - 10 мкф, заряженного до...

Номер патента: 133530

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Диковский, Королев

МПК: H01L 21/479

Метки: выводным, контактов, между, поверхностью, полупроводникового, прибора, проводником, сварных

...получения сварного контакта требуемого типа, Это достигается тем, что легированию подвергается не вывод, а материал полупроводника, а импульс тока пропускают от полупроводника к выводу для получения омического контакта, и в обратном направлении - для получения выпрямляющего контакта.Сущность способа заключается в следующем.Полупроводниковый материал легируется определенной примесью, затем импульсом тока производится приварка проволоки, причем в зависимости от свойств примеси и от направления тока сварки происходиг образование или выпрямляющего., или омического контакта. Например, если кремний легировать галлием и производить сварку золотой про волоки таким образом, чтобы минус подключался к проволоке, то вместе сварки образуется...

Номер патента: 133953

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Улановский

МПК: H01L 21/479, H01L 23/00

Метки: диодов, полупроводниковых, формовки, электрической

...снимается ссопротивления 34. Сопротивление 33 значительно больше остальныхэлементов цепи. Поэтому оно определяет ток в цепи диода при постоянной величине напряжения, снимаемого с сопротивления 34.Синхронный переключатель 16 замыкается одним из кулачков,установленных на валу 8. Реле 21 и 22, включенные через магнигныеусилители, подключаются параллельно диоду 30. Эти реле,- имеющиеразличную чувствительность, срабатывают в зависимости от величинынапряжения на диоде. Сопротивление 35 значительно больше сопротивления диода. Поэтому напряжение на диоде определяется, главным образом, его собственным сопротивлением. От реле 21 и 22 срабатывают реле 25 и 26, осуществляющие запоминание величины напряжения на диоде и коммутацию напряжения...

Номер патента: 153977

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/479

Метки: 153977

...В начальной стадии импульса по цепи течет ма. лый ток, так как окись кремния является изолятором, и в месте конт акта острия с окисленной поверхностью имеется большое сопротивление. В результате все напряжение импульса прикладывается практически к месту контакта, где и выделяется вся мощность, Вследствие этого полупроводниковая пластина разогревается еще до начала кон такта иглы с ее поверхностью. Под влиянием разогрева и высокого напряжения пленка окиси разрушаегся, в образовавшуюся щель вплав. ляется акцепторная примесь, например алюминий. При этом сопротпв ление контакта игла - кремний резко падает и ббльшая часть мощности импульса падает на сопротивление 2, не приводя к чрезмерному перегреву кристалла и р-п перехода.,Мо 153977...

Номер патента: 277114

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ларионов, Чернецкий

МПК: H01L 21/479

Метки: соединения, твердых, тел, электропроводных

...тЕЧ И ЕгО КО Та)ЛПЗа 11 Г ) ОТ В О И" ОСЛОП ГЯ) С) ПС ) а УП). 1 П.10 Л 10 ", Э С 1 Оп.30 чес)сого тока по,.",ер)киваОт 1)ост 051111 мп,277114 20 Предмет изобре 1 ения Составитель А. КоТехред Л. Богдано горректор А. Дзесов едактор Г. Громова 46 Изд.191 П ЦНИИПИ Государственного в СССР по делам изоб Москва, Ж,Типография24 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул, Маркса - Энгельса, Тираж 780Комитета Совета Министроретений и открьтийРаушская иаб., д. 4/5 одписное Предлагаемый способ иллюстрируется чертежом.Для соединения двух пластин 1 и 2, одна из которых короче другой, их накладывают друг на друга, На свободный конец пластины 2 (конец А) помещают легкоплавкий материал 3 (проволоку или ленту) так, чтобы он касался торца пластины 1. К...

Номер патента: 380219

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кот, Юрлова

МПК: H01L 21/479

Метки: полупроводниковых, приборов

...микрона и соответствующей режиму осаждения плотностью, насуопензию помещают в сп .- 25, В электрическом контакте с дятся два электрода, на кото- постоянное напряжение, Элекором происходит осаждение аморфного полупроводника, выполняют из ре. зистивного материала.В качестве такого материала можно использовать манганин с удельным сопротивлением 0,42 - 0,48 ом лтлт 2/м, константан с удельным сопротивлением 0,48 - 0,52 ом млР/м, окись олова и др,В зависимости от того, какой прибор готовится, выбирают ту или иную форму электрода и соответствующий материал для его изготовления, С помощью дополнительного источника тока на резистивном электроде создают потенциальный рельеф, в простейшем случае вида ота Е=сопз 1, что в свою очередь...