154125

Номер патента: 150941

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Антонов, Борисов, Дохман, Иоселевич, Уклонский, Чичерова

МПК: H01B 3/46, H01L 23/18

Метки: вазелина, защиты, паста, переходов, поверхности, р-п, типа

...жидкости с вязкостью от 300 до б 00 сст. В качестве наполнителя используются мелкодисперсные порошки окисей титана, к емнияи алюминия, которые вводятся в зависимости от требуемой консистенции в количествах от 5 до 100% к весу жидкости, Смесь тщательно пе Ъ 150941ретирается и подвергается прогреву в вакууме для удаления летучих составляющих. Полученная высоковязкая вазелиноподобная паста нассится непосредственно на р - и переход, пастой можно также заполять корпус прибора.Предлагаемые пасты могут применяться для защиты переходов как ерманиевых, так и кремниевых полупроводниковых приборов.В качестве исходных компонентов для изготовления пасты КВприменяются: полиметилсилоксановая жидкость ПМСс вязкостью 432 сст (20), белая сажа У-ЗЗЗ,...

Номер патента: 1664083

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Киселев, Лопаткина, Михалева, Скворцова, Фаустова, Ярузов

МПК: H01L 23/16

Метки: p-n-переходов, высоковольтных, защиты, компаунд, кремниевых, поверхности, столбов

КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ p-n-ПЕРЕХОДОВ КРЕМНИЕВЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ СТОЛБОВ, включающий кремнийорганический лак и органическую смолу, отличающийся тем, что, с целью повышения качества высоковольтного столба за счет стабилизации электрических параметров, он дополнительно содержит аэросил при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремнийорганический лак - 81 - 82Органическая смола - 15,6 - 15,7Аэросил - 2,4 - 3,3

Номер патента: 1251749

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алексахин, Бодунова, Маркман, Панин

МПК: H01L 21/02

Метки: выводами, объемными, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ОБЪЕМНЫМИ ВЫВОДАМИ, включающий нанесение на планарную поверхность полупроводниковых пластин с p - n-переходами защитного диэлектрического слоя, выращивание объемных выводов, резку пластин на кристаллы и монтаж, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монтажа приборов и их надежности, после выращивания выводов в качестве защитного диэлектрического слоя наносят полимерный лак, толщина которого находится в пределах от 8 мкм до 2/3 высоты объемных выводов, а оптимальная толщина слоя равна высоте медного основания объемного вывода, а затем режут пластины на кристаллы.

Номер патента: 1566421

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Горячев, Майоров, Поляков, Школьник

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...резерва.После отключения электропитания от кристалла 5 температура на нем снижается, теплоаккумулирующее вещество 8 остывает и сокращается в обьеме, Давление на плунжер 9 прекращается, и под действием пружины 12 подвижная плата 10 с контактными пластинами 11 возвращается в исходное положение, что обеспечивает дальнейшую работу силового полупроводникового прибора.В качестве теплоаккумулирующего вещества применяются легкоплавкие композиции, а также эвтектические сплавы, точка плавления которых выбирается из необходимых условий работы силового полупроводникового прибора.Замкнутая емкость камеры выбирается,так, чтобы в ней находилась часть нерасплавившегося теплоаккумулирующего вещества при нормальной длительной работе кристалла, Потребное...

Номер патента: 405473

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...базе 4, дополнительной области 8 Ь -типа и изолирующего покрытия 9.Геометрические размеры и электро" физические. характеристики. слоев выбирают из условий реализации необходи мых значений рабочих токов и напряжений. Глубину выемки выбирают в зависимости от требуемой величины поверхностной концентрации, соответствующей дну выемки и однозначно определяющейнапряжение пробоя-)1- ПЕРЕХОДа, ОбразованногО базой 4и областью 8.Принцип работы прибора заключается в следующем.При рабочем напряжении на электродах 2 и 6,меньшем величины напряжения пробояр--перехода, образованного базой 4 и областью 8, прибор находится в закрытом состоянии. Увеличение внешнего напряжения до значения напряжения пробоя р- й -перехода, образованного базой 4 и областью 8,...