Патенты с меткой «154960»

Номер патента: 154960

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/40

Метки: 154960

...в р-и переходе, основанных на термообработке слоистой полупроводниковой структуры, диффузия оказывает существенное влияние на структуру р-и перехода.По предлагаемому способу влияние диффузии на структуру р-и перехода устраняется в результате помещения слоистой структуры в печь с поперечным градиентом температуры и перемещения зоны расплава со скоростью, большей скорости диффузии примесей.По предлагаемому способу слоистую структуру помещают в печь с поперечным градиентом температуры (по отношению к плоскости пластины). При температурах, превышающих температуру расплава метал-полупроводник, расплав перемещается в направлении градиента. Вследствие малых скоростей диффузии при температурах ниже 1000 С можно создать условия, при которых...