Способ получения р-п переходов

Номер патента: 1819356

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/302

Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления

...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...

Номер патента: 1332390

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Бачин, Варяница, Лазарев, Мареха, Николаенко, Петрова, Тихонова, Трифонова, Чиликина

МПК: H01B 17/62

Метки: железных, медных, пластин, соединения

...тем, что,данная температура не обеспечиваетполного расплавления стекла и заполнения им микронеровностей металлов,В связи с выдавливанием нерасплавленного стекла по выступам поверхностимежду плоскостями присутствует недопустимый контакт и возникает короткое замыкание,П р и м е р 4, Предварительнаяобработка та же, что в примере Нагрев пакета осуществляют до температуры 840 К при давлении 5 МПа втечение 15 мин, Металлографическиеисследования показывают высокое качество сварки, Рентгеноспектральныйанализ показывает проникновение меди.5 10 15 20 25 30 35 40 и железа по всей толщине слоя диэлектрика, в связи с чем ухудшаются диэлектрические свойства стекла, Интенсивйая диффузия металлов при этойтемпературе отрицательно влияет насвойства...

Номер патента: 1400376

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Нисневич, Пайвель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источника, кремний, пленкообразующих, поверхностного, приготовления, примесей, растворов

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в растворе гидролизованного тетраэтоксисилана, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров диффузионных слоев за счет повышения вязкости растворов, раствор гидролизованного тетраэтоксисилана перемешивают, нагревая до температуры 50 - 90oC, пока его объем не уменьшится в 1,2 - 2,5 раза.

Номер патента: 742486

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Аблогин, Горлов, Давыдова, Ефременко, Зотов, Крошкина

МПК: C23C 17/00

Метки: молибдена, сплавов, химико-термической

...ниже указанной - значительно снижается скорость роста гафний алитированного слоя.После проведения режима печь выключают и деталь охлаждают с печью до комнатной температуры, затем деталь выгружают и подвергают силицированию. Силицирование проводят, например, в засыпке порошка кремния крупнсстью 100-900 мкм иэ расчета количества, необходимого для эасынки детали полностью по всей высоте пгюс 50 мм нижний слой под деталью, плюс 15-20 мм слой под деталью, плюс 10-20 мм пристеночный слой между деталью и контейнером. Четвертую часть всего количества шихты тщательно перемешивают с навеской порошка бифторида натрия (0,5-1 вес.) и помещают на дно контейнера. Смесь сверху засыпают слоем шихты (20-30 мм) и на него ставят защищаемую деталь,...

Номер патента: 1454157

Опубликовано: 27.01.1995

Автор: Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: бора, диффузии, источников, нитрида, основе, планарных, твердых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ БОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков нитрида бора и наполнителя, нанесение диффузанта на кремниевую пластину и спекание в окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975oС при производстве интегральных микросхем, в качестве наполнителя диффузант содержит порошок кремния при следующем соотношении компонентов диффузанта, мас.ч.:Нитрид бора - 85 - 95Порошок кремния - 5 - 15а спекание проводят при 975 - 1050oС в течение 30 - 60 мин.