H01L 21/40 — сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой

Номер патента: 149507

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Кондрашева, Носов, Русскова

МПК: H01L 21/40

Метки: алюминиевой, вплавления, кремний, проволоки

...р - и перехода по предлагаемому способу вплавления алюминиевой проволоки в кремний,В графитовую кассету 1 устанавливают вплавляемую алюминиевую проволоку 2 так, чтобы ее конец выступал над дном гнезда кассеты, на конец проволоки помещают кремниевый кристалл 3, Над кристаллом устанавливают графитовую пробку 4, а сверху груз 5, прижимающий кристалл 3 к алюминиевой проволоке 2, Затем полученную кассету в сборке выдерживают при температуре порядка 600 - 630, т, е, ниже температуры плавления алюминия.Хороший механический прижим и низкая температура вплавления обеспечивают получение плоского фронта вплавления алюминия в кремний и позволяют избежать появление трещин в р - и переходе после его охлаждения,149507ЪПредлагаемый способ может найти...

Номер патента: 150940

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: H01L 21/40

Метки: 150940

...из пластины 1 кремция р-типа и пластины 2 и-типа с а,1 юмициевой фольгой 3 между ними помещают в вакуумную печь. Там происходит сплавлецис в условиях осевого градиента температуры.Установка для сплавлеция с осевым градиентом температуры представляет собой два подвцжцых прямоцакальцых графитовых нагревателя 4 и 5, температуру которы можцо регулировать от 0 до 1500 С.Под влиянием осевого градиента температуры в процессе сплавлецця происходит двцкецие расплавленной зоны 6 в виде жидкой фазы А 13 в сторону пластины 1 кремния р-типа. Ьеличица градиента температуры регулируется в зависимости от требуемой скорости движения зоць 1 б. По истечении некоторого времеци (в зависимости от величины градиента) расплавленная зоца 6 выходит ца...

Номер патента: 151260

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Карл

МПК: H01L 21/283, H01L 21/40

Метки: контактов, кристаллах, омических, полупроводниковых, фотосопротивлениях

...не имеющему запорного слоя на кристалле из соединения элемента второй подгруппы и элемента шестой основной группы периодической системы элементов, путем напыления алюминия в вакууме.Перед напылением алюминия кристалл нагревается до температу. ры 150 - 250, После напыления алюминия кристалл отхкигается при151260температуре 200 в 3 С. В качестве контактного материала отдается предпочтение алюминию с высокой степенью чистоты. Особенно вредной для процесса напыления примесью алюминия является бор.Части иоверхности кристалла, не предназначенные для контактирования, умед напылением накрываются термостойким шаблоном.Целесообразно кристалл еще в течение некоторого времени подвергнузь 4 фгЖгпературной выдержке, чтобы обеспечить полную...

Номер патента: 154960

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/40

Метки: 154960

...в р-и переходе, основанных на термообработке слоистой полупроводниковой структуры, диффузия оказывает существенное влияние на структуру р-и перехода.По предлагаемому способу влияние диффузии на структуру р-и перехода устраняется в результате помещения слоистой структуры в печь с поперечным градиентом температуры и перемещения зоны расплава со скоростью, большей скорости диффузии примесей.По предлагаемому способу слоистую структуру помещают в печь с поперечным градиентом температуры (по отношению к плоскости пластины). При температурах, превышающих температуру расплава метал-полупроводник, расплав перемещается в направлении градиента. Вследствие малых скоростей диффузии при температурах ниже 1000 С можно создать условия, при которых...

Номер патента: 157439

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/40

Метки: 157439

...свинец, переходящей в чистый свинец. Описываемый омический контакт обладает хорошими электриче. скими и механическими свойствами, свободен от механических напряжений и трещин.На фиг. 1 изображен омический контакт до сплавления; на фиг, 2 - структура омического контакта после сплавления.Предлагаемый омический контакт выполнен следующим образом. Кристалл 1 кремния с р-и-переходом 2 помещен на таблетку 3 алюминиевой фольги толщиной 30 - 40 я с,под которой находится таблетка 4 свинца толщиной 75 - 100 .ин. Структуру помещают в вакуумную печь н нагревают до температуры 700=С. Сплавление ведут в течение 5 чин прн вакууме 10 - 1 - 510 -и,и рт. ст. Прн охлаждении, ведущемся со скоростью 10 - 15 С,.Иин, образуется легированная алюминием об ласть...

Номер патента: 174276

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Вихрова, Диковский

МПК: H01L 21/40

Метки: ffmmтфб, контактоввсгсц»я11gt, омических, щ1а(а„

...предварительно покрывают слоем висмута в количестве, не превышающем 10/, от веса вывода, или слоем сплава золота с висмутом с содержанием висмута не нижеЮОд/О.Предлагаемый способ позволяет за счет улучшения смачивания поверхности кремния повысить надежность и механическую прочность омического контакта, а также осуществить контакт к кремнию и- и р-типа проводимости,Способ осуществляется следующим образом.На вывод из золотой заготовщики, например, в виде проволоки наносят любым известным способом слой висмута или сплава висмута с золотом. Количество висмута должно быть не более 1% от веса золотого вывода, а в сплаве золота с висмутом содержание висмута должно быть не ниже 20 О/,. Вывод с нанесенным металлом предварительно оплавляют при...

Номер патента: 192297

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Алымов, Баканов, Дроздов

МПК: H01L 21/40

Метки: заготовки, кристаллом, металлической, полупроводниковым, соединения

...МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ЗАГОТОВ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ КРИСТАЛЛОМ2 тескои заготовки систаллом вплавлением нного способую заготовкЭто позволяруда путемций.об заключае а состоит в изготавлиет повысить сокращения ся в следу го металла вырубаю равна массе требуемогна кристалл, предвари кассету. Для отлипания Соединение металл лупроводниковым к известно. Новизна предложе том, что металлическ вают в форме диска. производительность т промежуточных опера Предлагаемый спос ющем. Из фольги заданно диск, масса которого шарика. Диск кладут тельно вложенный вдиска от пуансона кристалл предварительно смачивают канифолью со спиртом,При последующем вплавлении диск, расплавившись, под воздействием сил поверхностного натяжения превращается в шар, При более...

Номер патента: 256875

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Козлов, Ловцов, Рюмшик

МПК: H01L 21/40

Метки: выпрямительного, элемента

...вольфрам - кремний, образуя 30 заплывы, шунтирующие р - гг-переход илиТекред Л. Я. Левина Редактор П, Г. Горшкова Заказ 727/1 Изд310 Тираж 473 ПодписноеЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ухудшающие его характеристики.Прн охлмкде 1 ни по диаметру гнезда кассеты возникает значительный перепад температуры (до 40 - 80 С). По этой причине кристаллизация начинается в местах, располокенпых ближе к боковой поверхности кассеты. В диаметрально противоположных местах (ближе к центру кассеты) из-за явления усадки между вольфрамовым и кремниевым дисками возникает щель.Указанные выше недостатки снижают процент выхода годных приборов и процент...

Номер патента: 243740

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Преображенцев, Шваров

МПК: H01L 21/40

Метки: контакта

...вник. В образующейся жидкои вплавляемый материал - пол ктура наносимых слоев мета сплавления не сохраняется,Для металлизации могут применяться металлы, обладающие большой свободной энергией образования окислов, например титан, ниобий, гафний, хром и другие, а в качестве второго слоя - никель, серебро и другие коррозионностойкие при повышенных температурах металлы, которые предохраняют первый слой от окисления.Пример. Пластины кремния перед нанесением титана промывают в дионизованной воде и обезжиривают в СС 1 Титан наносят при температуре подложки 500 - 800 0 С в вакууме 10 "мм рт. ст., а затем наносят пленку никлея, Общая толщина слоев меньше 1000 А,Перед сплавление кристаллы кремния обезжиривают, Электродный материал, например...

Номер патента: 281650

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Текстер, Шефтель

МПК: H01L 21/40

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, терморезисторах

...и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой пристоехт из сплава индий- свинец, производят термообработку. Кроме того, припой содержи1 п и 80 - 40% РЬ; термообрабопри 250+ 50 С.Суть способа заключаегся в следующем: 5 механическая обработка поверхности на шлифовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцовые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 в 8 С на воздухе 10 в течение 1 О - 15 ттин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красно- медных выводов методом окунания (плп с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав 15 индия и свинца в соотношении от 77 вес....

Номер патента: 324943

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Глущенко, Ткин

МПК: H01L 21/40

Метки: диодов, туннельных

...других полупроводниковых материалов для изготовления туннельных диодов.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.Кристалл СтаАь тг-типа обрабатывают одним из общеизвестных методов с целью его ориентации по кристаллографической плоскости (111) и выявления ее полярности.В пластину баЛь и-типа в атмосфере водорода со стороны (111) А вплавляют навеску олова диаметром до 100 лгкм, а на всю поверхность (111) В наплавляют пластину олова. Температура плавления 600.+5 С, время выдержки 10 - 30 мин, скорость охлаждения 250 - 300 С в первые 60 сек и -50 С в дальнейшем.Полученные образцы совместно с избыточным количеством летучей акцепторной примеси (Хп) помещают в замкнутый объем, заполненный водородом.При температуре 480 - 500...

Номер патента: 384161

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ксенофонтов

МПК: H01L 21/40

Метки: кремния, приплавления, сплав, термокомпенсирующему, электроду

...в сплав н,. примесью легируюв количеств. Предмет изобрет 1. Сплав для приплавленя к мокомпенсирующему электроду 15 ребра и свнца с примесью лег ментов, от,яаюпшася тем, что,шения характеристик полупр приоора и снижения температур в него введен никель. 20 2. Сплав по п, 1, от,нчаонц содержание никеля составляет 0ремни на ос 1 рло нове сещпх эле.о лчпковог( авления цел оводспл ся2 - 5 м, чтоес. д. 1Изобретение относится к полупроводникой элвктронике и может бьвть использовано и изготовлении:полуправоднковых прибо- в При изготавлении полуправоднковьх приборов из кремния в качестве омического контакта првменяют сплав, в аооторый вхадят Ао, РЬ, ЬЬ. Кремний прнплавляют этим сплавом к термаковпенсирующему электроду (из вольфрама или...

Номер патента: 1589942

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Козлов

МПК: H01L 21/40

Метки: контакта, омического, создания

Способ создания омического контакта, включающий размещение между кремниевой структурой со стороны n-типа и термокомпенсатором алюминиевой прокладки и сплавление, отличающийся тем, что, с целью уменьшения контактного сопротивления за счет создания прерывистого рекристаллизованного слоя p+-кремния и улучшения качества омического контакта, перед размещением алюминиевой прокладки осуществляют равномерное тиснение 10 - 50% ее площади.