153975
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 153975
Текст
ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ дписная группа М 9 Пресс, И. В. Каменский, И. К. Санин и В. Н. ЧудаковСВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЕ ПОКРЫТИЕ Заявлено 30 ноября 1961 г. за М 713762/26-9в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР изобретений н товарных знаков8 3 г. Бюллетен Опубликова Известное светочувствительное покрытие, используемое при фотолнтографическом способе защиты поверхности кремниевых полупроводниковых приборов от напыления металла при изготовлении контактов вакуумным напылением проводящего слоя на незащищенные участки поверхности прибора и последующего вплавления напыленного слоя, не обеспечивает возможности изготовления контактов при повышенных температурах вплавления.Предлагается светочувствительное покрытие (фторезист), в состав которого входят кремнийорганический лак К, толуол и политетрафурилоксисилан, взятые в объемном отношении 1:1:0,04. Такое покрытие термоустойчиво при температуре до 700, что позволяет применять его в качестве защитной маски при изготовлении контактов на кремниевых полупроводниковых приборах при повышенных температурах вплавления,Светочувствительное покрытие (вязкость порядка 15 сек) наносят на поверхность пластины кремния с помощью центрифуги(150 - 200 об)мин) и высушивают под инфракрасной лампой, Далее пластина экспонируется в течение 15 лин под ультрафиолетовой лампой, расположенной на расстоянии 12 слт, через стеклянный шаблон с повторяющимся рисунком требуемой конфигурации и проявляется в толуоле 10 иин, После сушки в течение 30 мин под инфракрасной лампой пластину помещают в напы. лительную камеру и нагревают до нужной температуры (400 - 700), после чего производят напыление.После напыления и вплавления пленки металла заданной толщины пластину опускают на 10 мин в плавиковую кислоту для снятия фото- слоя. Оставшиеся участки металла имеют четко очерченную заданну 1 о конфигурацию.Ло 153975 Предмет изобретения Составитель Ю. И. Теснек Корректор А. фомин Редактор Л. И. Колыбина Тереп Т, П. Курико 11 оди. к печ 1 О/-63 г. Формат бум. 70 Х 108, Объем 0,18 изл. л.Заказ 1371 1 ираж 1200 Цена 4 кои.ЦН 11 ИГ 111 Государстьениого комитета ио делам изобретений и открытий СССРМосква, Центр, проезд Серова, дом 4.Еиржачская типография отдела издательств и полиграфической промышленностиВладимирского областного Управления культуры,Светочувствительное покрытие, используемое при фотолитографическом способе защиты поверхности полупроводникового прибора от напыления металла при изготовлении контактов вакуумным напылением проводящего слоя ца незащищенные участки поверхности прибора и последующего вплавлеция напыленного слоя, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, для обеспечения возможности изготовления контактов на кремниевых полупроводниковых приборах указанным способом при повышенцыхтемцературах вплавления (до 700), в его состав входят кремцийорганиче. ский лак К-,толоул и полцтетрафурило 1(сисилац в объемном соотношении 1:1:0,04,
СмотретьЗаявка
713762
МПК / Метки
МПК: C09D 183/04, H01L 21/027, H01L 21/312
Метки: 153975
Опубликовано: 01.01.1963
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-153975-153975.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">153975</a>
Способ зачистки поверхности металлов
Номер патента: 78941
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Колупаев
МПК: B22D 19/10, B22D 31/00
Метки: зачистки, металлов, поверхности
...струей сжатого воздуха, подводимогок месту горения дуги.Предлагаемый способ электропневматической зачистки поверхности металлов состоит в следующем,Угольный или металлический электрод помещают в млектродо.держатель и к последнему подводят сжатый воздух при помощи резинового шланга.Подведенный к электрододержателю сжатый воздух при помощиметаллического сопла направляется к месту горения дуги под некоторым углом с таким расчетом, чтобы жидкий металл сдувался в желательном направлении, не обжигая рабочего, производящего зачистку металла.Предлагаемый способ позволяет производить зачистку как крупных, так и мелких дефектов поверхности металла.Применение угольных электродов для расплавления металла призачистке не может повлечь...
Способ изготовления полупроводниковых оптоэлектронных приборов
Номер патента: 1829804
Опубликовано: 27.11.1996
Авторы: Васильев, Швейкин, Шелякин
МПК: H01L 31/18
Метки: оптоэлектронных, полупроводниковых, приборов
...7 мм рт,ст. выращивали пленки с еленида цинка при температуре подложки (гетер о структуры с мезой) 70 С,В первом случае используют в качестве источника нелегированный, поликристаллический сел енид цинка. Это позволило получать напыляемые пленки селенида цинка с удельным электросопротивлением р = 10 Омфсм.Во втором случае используют в качестве источника с еленид цинка, легированный примесью Ма до концентрации 810ат. Это позволило получить удельное электро- сопротивление напыляемых слоев селенида цинка 10 Омфсм,В третьем случае используют в качестве источника селенид цинка, легированный примесью Са до концентрации 810ат.0, что приводит к удельному сопротивлению напыляемых слоев сел енида цинка 10 Омфсм.П р и м е р 2. Мезаполосковые...
Способ изготовления контактного покрытия контакт-деталей магнитоуправляемых герметизированных контактов
Номер патента: 1624549
Опубликовано: 30.01.1991
Авторы: Агейкин, Вьюков, Габович, Гасанов, Ищук, Карабанов, Колочко, Полозов, Проценко, Романюк, Соломатин, Шрайнер
МПК: H01H 11/04
Метки: герметизированных, контакт-деталей, контактного, контактов, магнитоуправляемых, покрытия
...герметизированных контактов путем предварительной очистки контактной поверхности и ионной обработки,о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и увеличения срока службы магнитоуправляемых контактов за счет стабилизации величины переходного сопротивления и экономии благородных метамов за счет замедления процесса эрозии приповерхностных слоев подложек контакт- деталей из магнитомягкого материала, ионную обработку производят имплантацией в указанные подложки ионов азота св энеугией 10 - 2 10 эв и дозой 10 - 10 см 30 35 40 45 Составитель Е.СафоноваРедактор Л.ВеселовскаяТехред М.Моргентал Корректор И.Муска Заказ 195 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж,...
Способ оценки отделимости шлакового покрытия от поверхности металла сварного шва
Номер патента: 407685
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вител, Медведев, Черкасский
Метки: металла, отделимости, оценки, поверхности, покрытия, сварного, шва, шлакового
...поверхности шва, свободной от шлака,На фиг. 1 показан испыпсуемый образец, видсбоку; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1; на фиг, 3 - образец, установленный в устройстве для испытания; на фиг, 4 - схема приложения механической нагрузки.В пазу испытуемого образца 1 выполняют электродуговой сваркой покрытыми электродами или под слоем флюса сварной шов 2 со слоем шлака а на поверхности. При испытании на удар образец устанавливают в устройство 3 маятникового типа и с помощью, накого груза 4 подвергают которую прикладывают тенке образца в направт. е. по линии контакта ю металла шва. При ста-нагрузку прикладывали и. Далее вычисляют плолака поверхности шва и агрузкц к этой площади, гернй оценки отделимости и металла шва. пример,...
Состав покрытия для защиты поверхности от налипания брызг расплавленного металла
Номер патента: 721294
Опубликовано: 15.03.1980
Авторы: Бригидин, Евдокимов, Ефименко, Левицкий, Маслова, Удовенко, Удод
МПК: B23K 35/36
Метки: брызг, защиты, металла, налипания, поверхности, покрытия, расплавленного, состав
...ИаРО 4 в первый момент происходит кисло-щелочная реакция с преобладающим выделением щелочных продуктов ИаОН. Происходит и выделение осадка ГеРО 4который образует на поверхности металла тонкую, прочную и плотную пленку, способную надежно защищать металл отдальнейшего окисления. Образовавшаяся группа щелочи (ИаОН) в течение нескольких часов полностьюразрушает в обычном случае образовавшуюся защитную пленку. Однако в данном случае этого не происходит, Имеющаяся в составе покрытия в достаточном количестве группа А 10 з (составляющая талька) активно взаимодействует с щелочью, образуя группу типа БаАХО, и тем самым нейтрализует группу ИаОН. Взаимодействие этих групп сдвигает реакцию н сторону нейтральной (среда становится нейтральной)....