154614

Номер патента: 621239

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Милевский, Ткачева

МПК: H01L 21/02

Метки: диодного, кристалле, п-типа, перехода, полупроводниковом, р-п, транзисторного

...по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ЖРа ская наб. . 4 5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 тем самым более четкую, гранину между р-п"областями, увеличивая эффектвыпрямления и, следовательно, улучшая качество изделий,Примеры выполнения предлагаемого способа.П р и м е р 1. Изготовление полевого транзистора из монокристалла.кремния и-типа с исходным удельнымсопротивлением 100 Ом см, выращенного по методу Чохральского и содержащего ростовые дислокации10 смДеформацию осуществляют пуансонамииз ЯО при 900 С втечение, ЬО мйнс нагрузкой 1 кг/мм 2. Толщина исходной пластины кремния равна 0,1 мм.Для одновременности проведения дефор"мации и легирования перед началомдеформации на острия пуансонов наь 3носят каплю спиртового...

Номер патента: 1708097

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Дудуева, Кальнова, Лобков, Митрофанов, Неелова, Сальников, Сергиенко, Шубин

МПК: H01J 21/36

Метки: p-n-переходов, высоковольтного, защиты, композиция, полупроводникового, прибора

Композиция для защиты р n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора, содержащая низкомолекулярный кремнийорганический каучук, кремнийорганическое этоксисоединение и гетеросилоксан, отличающаяся тем, что, с целью создания однокомпонентного состава, повышения электрической прочности и снижения тангенса угла диэлектрических потерь, в качестве кремнийорганического этоксисоединения вводят триэтоксисилан, а в качестве гетеросилоксана продукт взаимодействия линейного , - - дигидроксиполидиметилсилоксана с борной кислотой и ацетилацетонатом циркония, взятых в соотношении, мас.ч. 100 16,8 0,65 при следующем...

Номер патента: 2003128

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Сергеев, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, корпус, переход, полупроводниковых, сопротивления, теплового

...мощности, которая определяется произведением действующего значения огибающей токана действующее значение огибающей напряжения О;ЬР= О, Р)НВЧаЛЬНЦЙТОКДИОДд нач, ПРОТЕКаЮЩИй в промежутках времени между действиями греющих импульсов тока, поддерживается постоянным и под действием переменной греощей мощности за период модуляции Тм создает переменное падение напряжения Отп на диоде.Выбирая период модуляции Тм из условия Ут,к-с Тм ю т.п-к, где т т,к-с - тепловая постоянная времени корпус-среда диода, а также период следования греющих импульсов тока Ттт,п-к, напряжение Огп будет отслеживать изменение греющей мощнбсти ЛР. Измерение реющей мощности ЬР можно осуществить ограничивая ток и напРЯжение на УРовне огр и Оогр (см. фиг, 2 а и 2 б)....

Номер патента: 1387189

Опубликовано: 07.04.1988

Автор: Ильин

МПК: H03K 17/60

Метки: защитой, ключ, перегрузки, полупроводниковый

...дополнительного транзистора 2 шунтирована насыщенным силовым транзистором 1 и по ней протекает очень 50 малый ток, недостаточный для отпирания фототранзистора 8, В результате элемент 9 памяти находится в исходном состоянии, Режим ключа в этом случае определяетотпираюшего сигнала на шине 11 тран.зисторы 1 и 2 закрыты. На выходе оптронной пары 6, являющейся датчиком защиты от перегрузки силового транзистора40 1, элемента 9 памяти и соответственно на первом входе усилителя 4 мошся лишь управляющим сигналом, поступающим на шину 11.При снятии отпираюшего сигнала с шины 11 происходит запирание вначале малоточного дополнительного транзистора 2, а затем силового транзистора 1, ключ переходит в закрытое состояние.Если в период открытого...

Номер патента: 434516

Опубликовано: 30.06.1974

МПК: H01L 21/04

Метки: локального, перехода, полупроводниковых, приборов, р.п

...битум.Способ заключается в следующем. На промытую и обезжиренную после шлифовки пластину с помощью маски из металла на участ чи, где не должна пройти диффузия, наносят слой битума, например БН, хорошо растворимого в органических растворителях, например в толуоле или четыреххлористом углероде, 3 2Далее любым известным способом наносят раствор солей, содержащий диффузант (алюминий). Пластину сушат до полного высыхания раствора (температура сушки не выше температуры растекания битума - около 40 С). После этого битум снимают кипячением в четыреххлористом углероде или толуоле, при этом соли остаются на пластине. Затем производится диффузия. Алюминий диффундирует только в месте его нанесения,Диффузант с большим давлением паров можно...