154086
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 154086
Текст
ПИСАНИЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подшсные группь Лз 174 и Х 6А. И. Ильенко и Ф. А. Жураве СПОСОБ ИЗЧЕРЕНИЯОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА РЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ 11 ОЛ У 1 РО ВОД Н И КО ВЫХ ПРИБОРА Заызсно 2 Ь Гони 62 и за Ъ и Комитет по делам изооретсннй и открытий вр.овстс .Чиние 1 ров ГЛ:Оых знаков М б за 9 бз г,Опубликовано ы Бол;стене изобретений и тона Известны способы измерения времеш жизни неосновных носигелей заряда в полупроводнпковы., приборах но переходным характеристикамм прис.ОВии идеяльнОГО 1 р 515 ОуГО, ьпОГО перекаО 11 юцеГО импузьс;.1 рсдлагаемыи способ уменьшает погрешности при измерении врез 1 ени жизни носите.1 ей В тех сля 51 х, КОГдя фронт перекг 1 ючяющего иъ 1- пульса не может быть сделан сущесгвенно меньше измеряемого времени жизни.(.ущность способа заключается В том, что измеряют нроградуированное в значениях времени жизни неосновных носителей заряда сопротивление цепи в прямом и обратном направлении и устанавливают по осциллографу нулевую длительность вершины импульса обратного тока.В спосоое применяется косве измерение, ДГя этого используется зависимость времени жизни неосновных носителей зарядов от фронты перек;ючаОщего импульса и отношения максимального Ооратного тока к прямозу току. Ъ казянпя 5 зяВисимость состяВляе 1 с 51 из услоВия Вырождени 51 НО,:Очки переходной хЯрактерпсИки В точк 1 . Т ЯКОЙ частный сгучяй мокет Оыть получен при ряздегыоъ Нзъенении длительности фронта нли отношения токов. рп достаточно больших сопротивлениях цепей для прямого и обратного токов можно пренебречь сопротивлением базы диода. Тогда переходньш процесс будет определяться временем жизни неосновных носителей,длительностью фронта перекгояОщего импульса, сопроИвлениями цепей для прямого и обратного токов и подаваемыми няпряке. Сопротивления и подаваемые напряжения опреде Я 154086ляОт огношенис т) с):1, (,ледовательно, время жиз 111 1 основных носитгй) можт быпгь определено в момент, когда полочка сходится в точ с, ЛПОО ПО ОТНОШЕНГ)О ТОКОВ ПрИ ИЗВЕСТНой дсИТЕЛ) НОСТИ фрОНта ПЕр- е,110 чяю 1 цсго нз 1 ульса, лР)00 ПО длит,ьности фронта при изВстпом 01- )ОН)сП )ОКОН 1 НЕРВОМ СГ)ссЯЕ ДЛИТЕЛЬНОСТЬ фРОНТЯ ПЕРИЛ)ОЧЯОЩЕГО 1 МтГЬСЯ МОКС )Ы)о Пр;1 ВарИТЕЛЫ 10 ИЗЪЕрНЯ С,10 СТЯ 101 НОЙ ТОЧНОСТЫО сп)сг) С) Вуюц)им;) метс)дами, а сопротивление цеп)1 в прямом или обрат: 1)апрявлс:5)х, нсльзуемое для изменения от;ошения токов, может быть проградуирова)о непосредственно в значениях времени жизни не- С)С ВН),)Х 1)ОСИ С,С 1) Зс) РЯ;с 1, ВО ВОРОМ Сс)Ъ)ЯЕ ИСНОЛЬЗУЕТСЯ ГЕНЕРЯТОР :.):.)ульсов с рсл,ру)т)о длительностью фронта. Здесь также можно нрогряду)ранят), элемент регулирования д;Ительности фронта.Гоч)Ость измсрения по предложенному способу повышается в ос- Ви в рзавлитт учета длительности срронта переключающего импульса.11 р едм ет из об ретенияСпособ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в нолупроводиковь)х приоорах, основанный на использовании зависи.,)ост переходнь;х характеристик от этого вредени, о т л и ч а ю щ и й с я "М, ЧтО, С ЦЕЛЬЮ НОВЫШЕШСЯ тОЧНОСтИ И УПРОЩЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЯ, ИЗМЕРЯК)Т ПРОГРЯДУНРОВЯННОС. В ЗНс)ЧЕНИ 51 Х ВРЕМЕН)1 жи 31)Р 1 НЕ(ОСНОВНЫХ НОСИ- )елей заряда соротивлнн цепи в прямом и обратном направлениях и устанавливают по осциллографу нулевую длительность вершины импульса обратного тока..); каз )58 1;)рс)ск 82 1,ена ) епЕ)Н 1 ПИ Государственного комитета;)о делам изобретений и открытий СССРМосква, 1 л,ентр, проезд Серова, до)м 4.Киркачская типография Отдела издательств и ПО;)играфпРской промьпп;)сивостиВладимирского облает:)ого Управления культуры.
СмотретьЗаявка
784083
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: 154086
Опубликовано: 01.01.1963
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-154086-154086.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">154086</a>
Устройство для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в мдп-конденсаторах
Номер патента: 919486
Опубликовано: 30.08.1983
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей
...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...
Устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках
Номер патента: 1064247
Опубликовано: 30.12.1983
Авторы: Абросимов, Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, жизни, зарядов, неосновных, носителей, полупроводниках
...точностью контролявремени жизни н.нз., что обусловлено необходимостью визуального апре"деления изменения амплитуды тестового,импульса при различных значенияхвремени задержки,Кель изобретения - повышение точ 50ности контроля,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках, содержащеегенератор импульсов, резистор и клеммы для подключения исследуемой структуры, дополнительно введены блокформирования инжектирующих импуль-сов, блок формирования опорного напряжения,второй резистор, конденсатор, масштабирующий преобразователь,операционный усилитель, два блокавыборки и хранения и блок сравнения,при этом первый выход генератора 65 импульсов соединен с входом блока...
Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах с переходами
Номер патента: 1092436
Опубликовано: 15.05.1984
Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах
...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...
Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе транзистора
Номер патента: 1020788
Опубликовано: 30.05.1983
Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора
...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...
Способ измерения времени релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках
Номер патента: 857889
Опубликовано: 23.08.1981
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, заряда, носителей, полупроводниках, релаксации, энергии
...зависимостьи т. д. Величина .в зависит от различныхфакторов, в частности от степени легирования полупроводника. 10Известен способ измерения времени релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках, основанный на измерениях электрических параметров как на СВЧ, так и напостоянном токе, заключающийся в том,что создают специальные тестовые диодныеструктуры, содержащие п - и+ переход, пропускают через них постоянный ток и измеряют продольные и поперечные составляющие токов, по которым определяют параметры полупроводника.Недостаток этого способа заключаетсяв том, что он требует изготовления сложных тестовых структур. Известен также способ, основанный на том, что в полупроводнике создают неоднородное электрическое поле с различными...