Полупроводниковый диод
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
-0.1.0 Я 1 р СССР ЗОБРЕТЕНИЯВИДЕТЕЛЬСТВУ ИСАНИЕ АВТОРСКОМ дписная группа9 Ю, Н, Тихонов и Ю, В, Сахаров ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОДЗаявлено 3 февраля 1961 г. зитет ло делам изобретений и открытий Опубликовано в Бюллетене изобрет а695963/26при Совете Министроннй20 за 1962 г. Известные полупроводниковые диоды, выполненные на базе моно- кристаллической пластины из полупроводникового материала, например германия, с электронно-дырочным переходом и омическим контактом, не обеспечивают получения большой мощности.Для увеличения мощности в предлагаемом диоде применены профилированный электронно-дырочный переход и профилированный омический контакт без увеличения периметра полупровсдниковой пластины.На чертеже изображена схема конструктивного .выполнения описываемого диода.На гладкую поверхность монокристаллической пластины из полупроводникового материала, выполненной в виде диска или квадрата, наносят концентрические риски 1 или продольные риски 2, расположенные параллельно сторонам квадратной пластины. Для сохранения одинаковой толщины пластины по всему сечению с нижней ее стороны также наносят риски, сдвинутые относительно верхних рисок.При нанесении рисок увеличивается общая площадь пластины полупроводника, а следовательно, и мощность, снимаемая с электроннодырочного перехода, причем периметр пластины при этом остается неизменным, Наибольший эффект дает нанесение на пластины канавок, имеющих прямоугольный профиль,Описанная конструкция электронно-дырочного перехода может найти применение в производстве мощных полупроводниковых диодов.150938 Предмет изобретеция Полупроводниковый диод, выполненный на базе монокристаллической пластины из полупроводникового материала с электронно-дырочным переходом и омическим контактом, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения мощности диода, в нем применен профилированный электронно-дырочный переход и профилированный омический контакт без увеличения периметра полупроводниковой пластины,Корректор Ю. М. Федулова Текред Т. П. Кури Редактор Б. Гур г. Ф 10 Х Поди. к пе 1 Зак. 3066/18 ри Комитет при Со сква, Цент. 108/ю Объе 0,18 иад. л. Цена 4 коп,етений и открытий СССР пер д. 2/6.
СмотретьЗаявка
695963, 03.02.1961
Сахаров Ю. В, Тихонов Ю. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 29/06
Метки: диод, полупроводниковый
Опубликовано: 01.01.1962
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-150938-poluprovodnikovyjj-diod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый диод</a>