154611

Номер патента: 951200

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Астахов, Шадрин

МПК: G01R 31/26

Метки: визуального, диодов, полупроводниковых, характеристик

...5 и б.Сплошной линией изображены диаграммы, соответствующие годному диоду, у которого напряжение лавинногопробоя при заданном уровне обратного тока, задаваемого с помощью дискриминатора б, больше нормы, задаваемой с помощью дискриминатора 5, Бракованному диоду соответствуют диаграммы (фиг.2 б,г), изображенные пунктирной линией.Обратная ветвь ВАХ исследуемого диода 4, наблюдаемая на экране осциллографа 2, представлена на фиг.З. Кривая 10 соответствует диоду, годному по напряжению лавинного пробоя при заданном уровне обратного тока Зд . Свидетельствует об этом яркостная метка на ВАХ диода, соответствующая току Лб . Кривая 11 соответствует бракованному диоду (метка отсутствует), Напряжение является порогом...

Номер патента: 443340

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Божко, Лубяный, Маслов, Тверезовский

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, классификации, полупроводниковых

...информации о положении диода.С приходом диода 15 на первую измерительную позицию (клеммы 16 и 17) с генератора импульсов 1 по команде со схем управления 2 на диод 15 поступает импульс положительной полярности. В случае, когда диод оказывается включенным в прямом направлении, на резисторе 14 выделяется импульс, Если же диод оказывается включенным в цепь в обратном направлении, на резисторе 14 импульс не выделяется. Информация о положении диода на первой группе измерительных контактов, полученная с резистора 14, подается на вход схемы ориентации 3, Количество триггеров (на чертеже не показано) в регистре сдвига схемы ориентации равно числу измерительных позиций плюс триггер, вход которого соединен с резистором 14 и который стоит первым...

Номер патента: 575585

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Блюменау, Херманис

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых

...и в цифровой код в реверсивном счеччике).Интегрирование импульсов обратного тока исследуемого диода осуществляется засчет динамических свойств цепи негатронас:подключенными к нему пассивными элементами, При этом производится разделениеимпульсов не по амплитуде, как в обычных 30детекторах, а по фазе, т.е. во временной области. На чертеже представлена схема предложенного измерителя заряда переключения,Выходы генератора прямого рока 1 и генератора 2 переключающих импульсов обратного напряжения подключены к аноду исследуемого диода 3 и к управляющему входу негатрона 4, а также через элемент задержр кй 5 - к счетному входу реверсивного четчика 6. Катод диода 3 через параллельную ЯС -цепь из емкости 7 и резистора 8 подключен к первой...

Номер патента: 278800

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Кантор

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема

...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...

Номер патента: 129260

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Грика

МПК: H01L 23/522

Метки: диодов, полупроводниковых, точечных, формовки

...из цегп коммутирующих блоков.Ь.1 ок слежениясостоит из схемы слежения за изменением обратцого напряжения и схемы еле;ке 1 гия за изменением прямого тока, В схему слежения зя обратным напряжением входят: стабилизатор б ста 11- дартного тока; катодцый повторитель 7; ячейка памяти 8, запоминаю 1 цая максимальное зцачецис обратного цапряжепия; дифференциальный , СИ.1 ИТЕЛЬ 9, СраццццяЮШий ВЕЛсиНу;ХПЛ 11 туд 1 ОбратНОГО НяПряжеция с величиной напряжения, соряцясмого запоминакццей ячейкой; селективный импульсцый усилитель 10, пропускающий импульсы определенной полярности. В схему замера напряжения входит устройство 11, срабатывя 1 ощсе от импульса больше определенной величины, которое отрабатывает импульс при значении обратного...