Устройство для проведения гальванои термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов

Номер патента: 150937

Автор: Кокошкин

ZIP архив

Текст

Л 150937 Класс 21,", 1102 сссР гсс;ЗОБРЕТЕНИЯСВИДЕТЕЛЪСТВУ ПИСАНИЕ ВТОРСКО Подписная группа97 А Кокош ИЯ ГАЛЪВАНО- ИВАНИЙ ОБРАЗЦОВМАТЕРИАЛОВ ТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОВЕД РМОМАГ Н ИТН ЪХ ИССЛ ЕПОЛУП РО ВОДНИКОВЫ693369/26ри Совете М Заявлено 13 янв лаги изобретений 96 г. з ткрытий 1(ом итет нистров ССС1962 г,Бюллетене изобретений20 з бликован Известные устроиства для проведения гальвано и термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов, выполненные в виде криостата, снабженного магнитной системой, в магнитном поле которой размещают исследуемый образец, не обеспечивают проведения исследований в широком диапазоне температур и напряженностей магнитного поля.В предлагаемом устройстве расширение диапазона температур и напряженностей магнитного поля достигнуто установкой внутри криостата магнитного концентратора и размещением в зазоре криостата нагревателя, с которым контактирует исследуемый образец,На фиг. 1,изображено описываемое устройство; на фиг. 2 - магнитный концентратор.Устройство выполнено в виде криостата, внутри которого установлен магнитный концентратор 1, состоящий из двух частей и имеющий форму, близкую к вытянутому эллипсоиду вращения, разрезанному по ссевой линии, Эллипсоид снабжен большой и малой полуосями, что позволяет уменьшить размагничивание концентратора. Концентратор 1 гомещен в кварцевую трубку 2 с пришлифованной трубкой 3 и с помощью металлических лапок 4, прикрепленных к стяжным стойкам 5 с шайбами б, служащими для соединения двух частей концентратора, подвешен к внутренней кварцевой трубке 7. Концентратор 1 снабжен зазором 8, в котором размещен нагреватель не показан на чертеже), с которым контактирует исследуемый образец 9. Провода 10 от исследуемого образца и термопара 11 выведены через трубку 3. Величина зазора 8 регулируется вклеенными керамическими вкладышами 12. В верхней половине концентратора 1 размещена керамическая трубка И с термопарой медь - константан, Через штуцер 14 криостат соединен с150937вакуумной системой, не изображенной на чертеже, дающей возможность с помощью форвакуумного насоса (не показан на чертеже) ссздавать в рабочем объеме давление до 1,5 10 - -мл рт,ст, или наполнять криостат инертным газом. Трубка 2, в которой помещен концентратор 1, опущена в стандартный сосуд Дюара 1 б и на нее надет нагреватель 16. Для выравнивания температурного поля на шайбы б надевают медный экран 17, оклеенный изнутри стеклотканью. Изменение температуры от комнатной до 90 К и ее поддержание на заданном уровне осуществляют путем изменения положения сосуда Дюара 15, уровня жидкого азота в нем, а также степени разрежения в рабочем объеме, При нагревании криостата сосуд 15 служит дополнительным тепловым экраном, изолирующим рабочий объем от внешних колебаний температуры. Внешнее магнитное поле устройства создается с помощью соленоида 18, гредставляющего собой медную катушку. Для уменьшения нагрева поверх обмотки соленоида навита медная трубка 19, служащая для про пускания проточной воды.Описанное устройство для проведения гальвано- и термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов позволяет производить исследования напряженностей магнитного поля с точностью порядка 0,5 оо для низкотемпературной области и 2,5% - для высокотемпературной и расширить диапазон температур до 800 К при напряженности магнитного поля порядка 20 000 эрстед, Расширение диапазона температур может быть достигнуто путем применения жидкого водорода взамен жидкого азота и нагревания до более высоких температур, а расширение диапазона напряженностей магнитного поля - заменой материала концентратора на пермендюровый и увеличением мощности соленоида. Устройство может найти применение для комплексного исследования электрофизических свойств полупроводниковых материалов.Предмет изобретенияУстройство для проведения гальвано- и термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов, выполненное в виде криостата, снасженного магнитной системой, в магнитном поле которой размещают исследуемый образец, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью проведения исследований в широком диапазоне температур и напряженностей магнитного поля, внутри криостата установлен магнитный концентратор, снабженный зазором в котором размещен нагреватель, контактирующий с исследуемым образцом подключенным к источнику регулируемого напряжения.витель описания Р. С, Козлов дактор Б. В. Гурчев Техред А. А. Камышиикова Корректор Г, Кудрявцева БТИ, Москва, Петровка, 14,Типограф одп. к печ. 10.Хг.ак, 10048ЦБТИ Комитета поМ Формат бум. 70 Х 108/и Тираж 1150 елам изобретений и открытий при ква, Центр, М, Черкасский пер., Объем 0,35 изд. л.Цена 4 коп.вете Министров СССР2/6.

Смотреть

Заявка

693359, 13.01.1961

Кокошкин В. А

МПК / Метки

МПК: G01M 19/00, H01L 21/66

Метки: гальванои, исследований, образцов, полупроводниковых, проведения, термомагнитных

Опубликовано: 01.01.1962

Код ссылки

<a href="https://patents.su/4-150937-ustrojjstvo-dlya-provedeniya-galvanoi-termomagnitnykh-issledovanijj-obrazcov-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для проведения гальванои термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов</a>

Похожие патенты