ZIP архив

Текст

Класс Н 011; 21 д, 11 п Н 01 г; 21 а 4, 71154961 СССР-1 1 ОгимЯТ 1ПИ.КТУ 0.тпииии,1 и 1,ь 11 ьЛ 110 Т.1, л ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ оаписная группа Л 89 ак, Г. В. Сапари Н, А. Переверзев Г, В. С Я ОПРЕДЕЛЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В И ШИРИНЪ р-и ПЕРЕХОДА УСТРОЙСТВО ПОТЕНЦИАЛА ПО КРИСТАфевраля 1962 г. теиий и открыт изобретений и т 3/26-9ете Министров СССаков11 за 1963 Заявленов Комитет по делам изоб за7619 пй при Со убликовано в Бюллете варных зн Известны устройства для определения распределения потенциала по поверхности полупроводниковых приборов, основанные на отклонении электронного пучка электрическим полем исследуемого полупроводника. Однако известные устройства обладают недостаточной точкостью измерений.В предлагаемом устройстве около поверхности кристалла, подключенного к лсточнику запирающего напряжения, установлен коллектор. Коллектор собирает электронь 1, рассеиваемые электрическим полем кристалла, и подключен через две интегрирующие цепочки к электронно-лучевому индикатору, что позволяет повысить точность измерений,На фиг. 1 изображена блок-схема предлагаемого устройства; ка фиг. 2 - схема пересечения электронным лучом испытуемого объекта; па фиг. 3 - осциллограмма пробега потенциала в р-и переходе.Колонна 1, куда вводится исследуемый объект, содержит электронную пушку 2, анодный цилиндр 8, магнитные линзы 4 и 5 и отклоняющие катушки 6 и 7 для фокусировки и сканирования луча 8 по поверхности объекта 9. На столике 10 помещается объект 9. Колонна 1 имеет коллектор 11 для приема отраженных и промодулированных электронов.Сканирующий пучок электронов формируется электронной пушкой 2 при напряжении 15 - 20 кв. Две магнитчые линзы 4 и 5 сужают полученный пучок, и на полупроводник 9 попадает уже сфокусированньпл электронный луч 8 диаметром 2 - З.ик. Магнитная отклоняющая си154961стема,состоящая из катушекби 7,заставляетлуч 8 сканировать по ооъакту 9 так, чтобы пересекался р-и переход (по направлению стрелки 12). Если на р-и переход наложено запирающее напряжение, то происходит взаимодействие поля, выходящего в вакуум, со сканирующим лучом 8. Вторичные электроны, рожденные лучом 8, отклоняются в соответствии с локальным значением возмущающего поля.Сигнал можно подать на соответствующий коллектор 11, усилить и .использовать для количественных измерений. Если бы электрическое поле, созданное в вакууме над р-п переходом, было однородным, т. е. сила (действующая на вторичные электроны) была бы постоянной, не было бы вариации сигнала от отдельных мест перехода.Таким образом, модуляционный эффект сопряжен с градиентом электрического поля. Необходимо определить распределение потенциала по р-и переходу, поэтому полученный от сканирующего луча 8 сигнал нужно дважды проинтегрировать,Следовательно, сигнал в виде потока электронов, поступивших после рассеивания объектом 9, по приходе на коллектор 11 значительно усиливается (до 6000 раз), при помощи интегрирующей цепочки 13 дважды интегрируется и поступает на осциллограф 14, на экране которого получается изображение распределения потенциала в р-а переходе и его ширина.Для питания магнитной системы устройство содержит генератор 15, а для электронной пушки - высоковольтную установку 1 б.Предмет изобретенияУстройство для определения распределения потенциала по поверхности полупроводниковых кристаллов и ширины р-и перехода, содержащее сисгему формирования сканирующего,по поверхности исследуемого полупроводникового кристалла электронного луча, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью повышения точности измерений, возле поверхности кристалла, подключенного к источнику запирающего напряжения, установлен коллектор, собирающий электроны, рассеиваемые электрическим полем кристалла, подключенный через две интегрирующие цепочки к электронно-лучевому индикатору.

Смотреть

Заявка

761993

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: 154961

Опубликовано: 01.01.1963

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-154961-154961.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">154961</a>

Похожие патенты