153977
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 153977
Текст
. Р. Носо ЧНЬ 1 Х р-и ПЕРЕХОДО ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 76496426-9и Совете Министров СССРык знаков М 8 за 1963 г. Заявлено 14 февраля 1962 г. за Л в Комитет по делам изобретений и открытий п Опубликовано в Бюллетене изобретений п товар Известен способ изготовления точечных р-и переходов, основанный на электроформовке контакта, состоящего из пластины полупроводникового материала п типа (или р типа) и металлической нгль;, конец которой содержит акцепторные г 1 ли донорные) примеси, При таком способе затруднено получение р-и переходов на пластинах полупроводникового материала малой толщины.Предлагается способ создания р-п переходов на пластинах полупроводникового материала толщиной порядка 50 р путем предварптсль ного окисления поверхности полупроводника л 1 обым пзвсстным спссобом.Приведена электрическая схема, поясняющая этот способ.Формовку окисленной полупроводниковой, например кремниевоц пластины 1, осуществляют положительным импульсом, подавая напряжение порядка 200 в. В начальной стадии импульса по цепи течет ма. лый ток, так как окись кремния является изолятором, и в месте конт акта острия с окисленной поверхностью имеется большое сопротивление. В результате все напряжение импульса прикладывается практически к месту контакта, где и выделяется вся мощность, Вследствие этого полупроводниковая пластина разогревается еще до начала кон такта иглы с ее поверхностью. Под влиянием разогрева и высокого напряжения пленка окиси разрушаегся, в образовавшуюся щель вплав. ляется акцепторная примесь, например алюминий. При этом сопротпв ление контакта игла - кремний резко падает и ббльшая часть мощности импульса падает на сопротивление 2, не приводя к чрезмерному перегреву кристалла и р-п перехода.,Мо 153977 Полученная подобным способом окисная пленка на поверхности полупроводниковой пластины хорошо защищает образовавшийся р-и гереход, она стабильна во времени и при повышенных температурах. Предмет изобретения Способ изготовления точечных р-и переходов путем электроформовки положительными импульсами напряжения контакта, состоящего из пластины полупроводникового материала и типа (или р типа) и металлической иглы, конец которой содержит акцепторные (или донорные) примеси, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью создания р-п переходов на пластинах полупроводникового материала толщиной по. рядка 50 р, поверхность полупроводниковой пластины предварительно окисляют любым известным способом. Редактор В. Корзун Техред А. А. Камышникова Корректор Б, Венгеров Формат бум. 70Тираж 1200о комитета по деламква, Центр, пр. Сер Х 108/1 в Объем 0,18 изд, л.Цена 4 коп.изобретений и открытий СССРа, д. 4. Подп, к печ, 24/Ч 1 - 63 г.Зак. 1580/16ЦНИИЛЙ ГосударственноМо ипография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
764064
МПК / Метки
МПК: H01L 21/479
Метки: 153977
Опубликовано: 01.01.1963
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-153977-153977.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">153977</a>
Устройство для осуществления контакта с выводами полупроводниковых структур
Номер патента: 355698
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/00
Метки: выводами, контакта, полупроводниковых, структур
...катушка 2 электромагнита. Сквозь отверстие в основании проходит якорь 3 электромагнита. Якорь опускается в нижнее положение пружиной 4.На передней части основания 1 закреплен пружинный шарнир, состоящий из трех плоских пружин, Одна пружина 5 расположена горизонтально, а довс другие б симметрично по обе ее стороны, в плоскости, перпендикулярной плоскости пружины 5. К концам пружин 5 и б при помощи винтов прикреплен под. вижный элемент 7 из диэлектрика, на одном конце которого винтом 8 и гайкой 9 крепится контактная игла 10. Для исключения изгиба иглы при контактировании с выводом полу. проводниковой пластины игла изогнута упором 11, установленным на подвижном элементе 7 и воздействующим на иглу в точке, мак355698 фиг. 7 фиг Р сймально...
Устройство для ориентации заготовок типа ш-образных пластин трансфорлуаторноло железа
Номер патента: 258819
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Смирнов
МПК: B23Q 7/12
Метки: железа, заготовок, ориентации, пластин, типа, трансфорлуаторноло, ш-образных
...ножей 13,тва в 20е в поПредмет и ретения ойство для ориента азных пластин тран одержащее виброно ми внутри поворот иней поверхности к ывзющие полки, отл ции заготовок типа сформаторного жежи, установленные ного барабана, на оторого закреплены ичающееся тем, что,Уст Ш-об еза, рчпп нутрахват Известно устроиство для ориентации заготовок типа Ш-образных пластин трансформаторного железа, содержащее виброножи, установленные группами внутри поворотного барабана, на внутренней поверхности которо го закреплены захватывающие полки. Виброножи не имеют направляющих, что снижает надежность правильной ориентацип заготовок.Предложенное устройство отличается от известного тем, что вдоль каждой группы виб роножей с обеих сторон установлены...
Способ определения типа симметрии поверхностной сверхрешетки полупроводниковых пластин и устройство для его осуществления
Номер патента: 1597536
Опубликовано: 07.10.1990
Авторы: Гузенко, Корниенко, Федчук, Шаповал, Шевченко
МПК: G01B 11/30
Метки: пластин, поверхностной, полупроводниковых, сверхрешетки, симметрии, типа
...пластину 11 полупроводника наносят слой анизотропного жидкого диэлектрика, Затем пластину 11 со слоем диэлектрика устанавливают на электроде 4 неподвижной части 2 держателя.Прозрачный электрод 7, жестко закрепленный на повторной части 3, приводят в контакт со слоем диэлектрика,нанесенного на пластину 11, Обе части 2 и 3 держателя скрепляют с помощью накидных пружйнных стопоров 6,входящих в кольцевой паз 9. Прикладывая к электродам 4 и 7 П-импульс.: электрического поля, поворачиваютмолекулы слоя анизотропнаго жидкогодиэлектрика. Затем поворачивают прозрачный электрод 7 на угол 0 - 90",С помощью шариковых подпружиненныхфиксаторов 5 и сферических углублений 8 угол поворота Фиксируют, Осве,щают устройство от источника 1 света длина...
Устройство для сортировки стапелированных плоских деталей, преимущественно полупроводниковых пластин, разделенных кольцевыми прокладками
Номер патента: 783890
Опубликовано: 30.11.1980
МПК: H01L 21/00
Метки: кольцевыми, пластин, плоских, полупроводниковых, преимущественно, прокладками, разделенных, сортировки, стапелированных
...3. В нижней части фигурных штырей 8 имеется выступ, Под нижней частью транспортирующего диска 3 установлен неподвижно ролик Я 10.За нижней частью транспортирующего диска 3 установлены приемник 11 для полупроводниковых пластин и при-емник 12 для кольцевых прокладок, находящиеся на одной платформе 13, перемещающейся по винту 14 на разрезной гайке 15. Винт 14 вращается череэ зубчатую передачу 16 от сектора 17, установленного на транспортирующем диске 3, на котором установЛена ог- ЗО раничительная планка 18.Направляющие 1 установлены перпендикулярно плоскости транспортирующего диска 3, при этом направляющие 1, транспортирующий диск 3 и платфор- З 5 ма 13 установлены наклонно.Устройство работает следующим образом.Пакет 2 полупроводниковых...
Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам
Номер патента: 865065
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Минеева, Миронов, Филипченко
МПК: H01L 21/28
Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500oС в течение 0,5 - 20 мин.