Фотогальваномагнитный датчик

Номер патента: 644211

Авторы: Вул, Петросян, Фистуль, Шик, Шмарцев

ZIP архив

Текст

(61) (21) (22) (46) чающиисяповышения чувств ному полю, градие С 7 ЕТ выбран из ус ко-техничесоффе АН СССРросян,Ю.В.Шмарцев и чЕ-КТ,2 И 3 е Ь - дифф ных Й - толеосно- пост - темп ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ВТОРСКОМУ СВИДЕТ 6064752400988/18-2506,09.7630,04,87, Бюл. КдОрдена Ленина физинститут им. А.Ф.А.Я. Вуль, С.Г. ПеФистуль, А,Я, Шик621.382(088.8)(54)(57) ФОТОГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ ДАТ ЧИК по авт.св. к: 606475, о т л и -15111 Н 01 Ь 31/00, Н 01 Ь 43 ем, что, с цельюельности к магнитт запрещенной зоныовия; уэионная длинаносителей;на пластин;оянная Больцманература.644211 чЕ 7, - , кт,с 1 где Ь - диффузионная длина неосновных носителей; д - толщина пластины; К - постоянная Больцмана;Редактор П. Горькова Корректор А. Зимокосов Техред И,Попович Заказ 1648/3 .Тираж 699ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж-.35, Раушская наб., д, 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород. уя, Проектная, 4 1Изобретение. относится к областиполупроводникового приборостроенияи может быть использовано для измерения магнитных полей,Известны полупроводниковые приборьдля измерения магнитного поля, в частности магниторезисторы, магнитодиоды, датчики Холла, наибольшее распространение из которых получилидатчики Холла, изготовленные из германия, кремния или антимонида индия,Известны фотогальваномагнитныедатчики, представляющие собой пластину варизонного полупроводника сградиентом ширины запрещенной зоны,направленным к освещаемой поверхности, контакты которого расположены вплоскости, перпендикулярной направлению градиента.Фотогальваномагнитный датчик работает следующим образом.При,помещении пластины полупроводника в магнитное поле, перпендикулярное направлениюосвещения датчика,наконтактах, расположенных в плоскости, перпендикулярной направлению градиента ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитная ЭДС, величинакоторой зависит от,напряженности магнитного поля,Известные фотогальваномагнитныедатчики не позволяют измерять величину магнитного поля с достаточновысокой чувствительностью.Цель изобретения - повышение чувствительности к магнитному полю.Это достигается тем, что градиентширины запрещенной зоны дЕ выбраниз условия: 2Т " температура.При освещении светом с энергией .квантов большей ширины запрещеннойзоны у освещенной поверхности весьсветовой поток поглощается у поверхности полупроводниковой пластины.Поддействием градиента концентрации неравновесных носителей и внутреннегоэлектрического поля через пластину10 протекает ток неравновесных носителей. Внешнее магнитное поле отклоняетпотоки электронов и дырок в перпендикулярном к, току направлении к противоположным граням полупроводнико 15 вой пластины. Следовательно, междуразомкнутыми контактами генерируетсяфото-ЭДС. Влияние магнитного поля надвижение носителей будет тем больше,чем больше их скорость направленного20 движения в перпендикулярнои к напряженности магнитного поля ппоскости.В однородном полупроводнике эта скорость есть скорость диффузии, причемдвижущая сила имеет величину КТ/Ь.В варизонном полупроводнике при больших градиентах ширины запрещеннойКТзоны, когда чЕ, - , движение неравновесных носителей является дрейЗ 0 фовым, а дрейфовая скорость можетзначительно превосходить диффузион ную, следовательно, будет больше,чемв однородном случае влияние внешнегомагнитного поля на движение носите-35 лей, Соответственно будет генерироваться большее фотомагнитное напряжение. Сказанное и является физическойосновой высокой чувствительности предлагаемого варизонного датчика магнит 40 ного поля.Применение предлагаемого фотогапьваномагнитного датчика позволит из"мерять сверхСлабые магнитные поля иповысить точность измерения сильных45 магнитных полей,

Смотреть

Заявка

2400988, 06.09.1976

ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ

ВУЛЬ А. Я, ПЕТРОСЯН С. Г, ФИСТУЛЬ В. И, ШИК А. Я, ШМАРЦЕВ Ю. В

МПК / Метки

МПК: H01L 31/00, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

Опубликовано: 30.04.1987

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-644211-fotogalvanomagnitnyjj-datchik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотогальваномагнитный датчик</a>

Похожие патенты