Заргарьянц

Номер патента: 1574118

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин, Шарипов

МПК: H01L 21/324

Метки: остаточной, полупроводниковых, примеси, слоев

...силового поля деформации, но неокисла обычно составляет несколько позволяет получить достаточную скосотен ионослоев (200-300). Рость диффузии, позтоиу эффект очист В р и и, е р. способ бцп .опробован кк - минимальный и даже после 24 чв лабораторны условиях. предприятия- вьдержки увеличение интенсивности :.заявителя для очистки от цинка эпи Фотолюминесценции незначительно.тасвальных слоев и-Еп з Сазт,Ав со Увеличение температуры прогрева,стекекь 3 в компенсации цйнка а, следовательно, и скорости диффуэииь ускоряет процесс очистки и приЮ /Я0,5,. . . 450 С достаточно. полная, очистка достигается йрнмерно за 20 иин.. ГдеМ - концентрация акцепториой Подобнце закономерности наблюдапримеси; ются .и в процессе очистки других.мно Н -...

Номер патента: 1329533

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Галкина, Грудин, Заргарьянц

МПК: H01S 3/06

Метки: инжекционный, лазер

...ныступон болеесложных Форм. В общем случае распре- с 5деление поля излучения лазера в ближнем поле и угловая диаграмма направленности должны зависеть от профиляконтакта., Приведенный на чертеже лазер создается для принципиального 50подтверждения сужения диаграммы направленности д)я лазеров предлагаемой конструкции. Инжекциоцный .азер предляг аемой конструкции ряботяЕт сЛЕдуЮЩИМ образом.При распрост 1)я)1 сции излучения н той части г.тер ттруктурыр которая 2РЯСПОЛОжС ЦЯ ПОД КРЦтдкт М 7 р 11 РПИС ХО 1Д И ТС. Р Е Е Я "1 К р 1 ИЛ У с 1 Р 1 И Я И 3 1 Н ) - з р а ч но г О ши р ) к О з О и н о г О г) ) г ц О) г ц ) го Глоя 3 н уз;)30 Иый активны 1 г)олно нодцый слой 5. При стравливании верхних слоев структуры - контактного 8 и второго...

Номер патента: 807693

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Заргарьянц

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, многослойных, структур, эпитаксии

...неоднородный растворн в результате ухудшается однородность свойств.Целью данного изобретения является повышение однородности растворарасплава за счет эффекта перемешивания во время его заливки на подложку,Указанная цель достигается тем,что в емкостях размещены подвижныеЬ-образные перегородки, в вертикаль- .ных стенках которых выполнены сквозные отверстия, а на внутренней поверхности каждой емкости, обращеннойк вертикальной стенке перегородки,выполнены пазы и в боковых стенкахкорпуса выполнены, выемки со скосами.Наличие сквозных отверстий в вертикальной стенке перегородки в случае совмещения с пазами в стенке емкости обеспечивает одновременное поступление раствора-расплава к подложке, установленной на подложкодержателе, с разных...

Номер патента: 1359833

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Грудин, Заргарьянц

МПК: H01S 5/32

Метки: инжекционный, лазер

...и может быть использовано в интегральнооптических устройствах,Цель изобретения - обеспечениеселекции мод излучения,На чертеже изображен предлагаемыйлазер.Лазер содержит волноводный 1 иактивный 2 слои, отражательные элементы 3 прерывистого паза,Волноводный лойлазера пересекается отражателем в виде прерывистого паза, перпендикулярного направлению распространения лазерного излучения, Зеркальные стенки отдельныхотражательных элементов 3 пересекаютволновопный слой 1, Длина отражательных элементов 6 и период й их чередования находятся в пределах 0,50 мкм и 1-20 мкм соответственно,Глу"бина паза должна обеспечивать пересе"чение волноводного слоя 1 и зависитот глубины залегания последнего,Коэффициент прохождения через отражатель с...

Номер патента: 1358017

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, двойная, излучающих, приборов

...активной области в рабочем режиме, что ведетк стабилизации параметров излучателя.При этом эффективная излучательнаярекомбинация начинается уже при начальных положительных смещениях, т,е.значительно снижается порог лазернойгенерации. Кроме того, так как у прозрачного для излучения окисла металла ширина запрещенной зоны большеширины запрещенной зоны активного40слоя, происходит эффективное ограничение инжектированных неосновныхносителей через р-п гетеропереход.Следует отметить, что пленка проводящего окисла металла достаточноэластична и практически не создает45дополнительных кристаллических напряжений на гетерогранице при повышениитемпературы активной области во время инжекции носителей, Это понижаетобщий уровень безызлучательной...

Номер патента: 1139337

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, суперлюминесцентный

...в плоскости 100) изготовлена полупроводниковая структура, представляющая собой последовательнорасположенные и-СаАз - подслой толщиной 8 мкм и и-Сао А 1 р, Аз - ограничивающий слой толщиной 3 мкм (ниж- .няя пассивная область 2), СаАз - ак 5тивный слой 3 толщиной 0,4 мкм ир - и переход 4, образованный междуактивным слоем 3 и верхней пассивнойобластью 5, которая, в свою очередь, ..состоит иэ р-Сао,А 1 З,-Аз ограничива ющего слоя толщиной 1,5 мкм, р-СаАзслоя 6 толщиной 2,5 мкм и и-СаАзслоя 7 толщиной 1,5 мкм. В описаннойструктуре с помощью химического травления создана канавка определенной 15формы глубиной 3,5 мкм. Эта канавкарасположена под углом сС =9 - 16 ксколотым граням структуры. Для обеспечения протекания тока только...

Номер патента: 990031

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Грудин, Заргарьянц

МПК: H01L 29/66

Метки: полупроводниковом, приборе, сигнала, усиления, электрического

...по мере отклонения направ;. леиия движения носителей от направления электрического поля энергия носителя на длине свободного пробега 15 будет снижаться и расходоваться при столкновении с фононами. В то же время для тяжелых носителей изменение температуры Тр будет существенно меньшим. В области лавинного умноже ния коэффициенты ионизации для электронов и дырок равны ааР (- еаОе 76 (410 Н) Ееие Аналогичным образом для дырок отноше-,ние коэффициентов иониэации равно: Отсюда. видно, что влияние магнит-. ного поля, приводящее к изменению коэффициента ионизации, проявляется наиболее сильно для более легких носителей. При больших коэффициентах усиления (например, М Ъ 10) коэффициент собственного шума области лавинного усиления в случае...

Номер патента: 1179875

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01S 5/00

Метки: инжекционный, лазер

...расположены сплошные токовые контакты б., 25В объеме верхней пассивной 5 и активной 2 областей расположены зоны 7 с высоким удельным сопротивлением.Инжекционный лазер работает следующим образом. При пропускании тока через контакты 6 носители распространяются в основном между зонами 7с высоким удельным сопротивлением.Далее носители тока инжектируютсячерез р-п-переход 4 в активную область 3, где преимущественно излучательно рекомбинируют. В результате,протекания инжекционного тока в активной области между зонами 7 с высоким удельным сопротивлением показатель преломления активной области 3 снижается . С учетом того, чтокоэффициент преломления зон с высоким сопротивлением больше, чем коэффициент преломления материала активной области,...

Номер патента: 890845

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Дерновский, Заргарьянц

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: излучающего, перехода, характеристик

...оптической оси устройства. Выход фотоприемника 5 соединен с блоком 6 обработки измерений. Другой вход блока обработки измерений соединен с дополнительным Фотоприемником 7, освещаемым источником 8 подсветки, расположенным на противоположной от фотоприемника 7 стороне диска 4 вращения, На диске 4 выполнены щель 9 переменной ширины, дискретный ряд неперекрывающихся щелей 10 постоянной ширины и круговая щель 11 постоянной ширины, центр которой смещен относительно центра диска 4 на расстояние 1.Щель 9 переменной ширины и круговая щель 11 могут иметь узкие равномерно расположенные разрывы по длине окружности, Это позволяет иметь размерные метки на горизонтальной и вертикальной осях экрана осциллограФа или при записи результатов...

Номер патента: 1118973

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Дерновский, Заргарьянц, Комков

МПК: G05D 23/19

Метки: термостатирующее

...11 не проходит.При увеличении температуры в термостате 12 напряжение на входе элемента 20 повышается, а на входе элемента 23 понижается. Релейный элемент 20 включается, а инвертор 21закрывается. Постоянное напряжениес выхода элемента 20 проходит через 15открытый светоприемник оптрона 19на вход каскада 17. Напряжение с выходов каскада 17 открывает транзисторы 13 и 14 и через ТЭО 11 проходит ток по цепи - плюсовая шина питания, открытый транзистор 13, ТЭО 11открытый транзистор 14 и минусонаяшина.При этом ТЭО 11 охлаждает термостат 12. В момент включения релейного элемента 20 выключается инвер.тор 21 и снетоизлучатель оптрона 22,а светоприемник этого оптрона закрывается, препятствуя прохождениюпостоянного напряжения с...

Номер патента: 622067

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Дерновский, Заргарьянц, Игнатов

МПК: G05D 23/19

Метки: термостатирующее

...2 импульсного трансформатора 3, первая выходная обмотка 4 которого включена параллельно с. первым термочувствительным делителем 5, двухкаСоставитель Л. Птенцова Текрсд А, 1(амышникова редактор Н. Коляда Корректор Л, Орлова 11 зд Заказ 151918 Тираж 1005 Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 нальный блок упраглеппя 6, первын вход которого соединен с первым термочувствительным делителем 5, а второй вход соединен со вторым термочувствительным делителем 7, включенным параллельно со второй выходной обмоткой 8 импульсного трансформатора 3, термоэлектрический исполнительный элемент 9, подключенный к выходу двухканального блока управления 6 и тремостат 10,Термостатирующее устройство работает следующим образом. При поступлении на...

Номер патента: 145665

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Заргарьянц, Попов, Таубкин

МПК: H01L 23/00

Метки: глубины, залегания, переходов, р-п

...чем обеспечивается постоянство давления. С целью ослабления динамических нагру145665зок и устранения опасности повреждения образца, применен воздушный демпфер 9,Столик б (фиг. 3) с креплением для образца может поворачиваться на небольшой угол а вокруг оси 10 относительно каретки 5.Поворот столика в вертикальной плоскости осуществляется специальным винтом 11 и пружиной 12, угол поворота указывается индикатором 1 ", горизонтальное перемещение каретки 5 со столиком б производится микрометрическим виконтом 14 (фиг. 2), а величина перемещения фиксируется индикатором 15,Оптическая система 7, предназначенная для измерения угла косого среза образца, представляет собой тубус с объективом от микроскопа и окуляром.Измерение глубины залегания р -...