Способ изготовления полупроводниковых приборов

(56) Патент Япониикл, 99/5, 04.09.75. 6906,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ ВТОСНОМУ СВИ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ(57) Изобретение относится к областипроизводства полупроводниковых приборов. Целью изобретения является увеличение технологического выхода год- .ных приборов за счет маскированияр-и-перехода выступающей частью боко(51) 4 Н 01 1. 21. 50 Вч вои поверхности кристалла от продуктов испарения припоя, При изготовлении полупроводникового прибора сначала припаивают вывод к стороне кристалла с больним диаметром маскирующего омического контакта. Выступающаячасть боковой поверхности кристалла,полученная при химическом травлениипластин экранирует .область р-и-перехода от прямого попадания продуктов испарения припоя при пайке короткими импульсами. Применение изобретения позволит увеличить технологический выход годных приборов на 6-83 эасчет уменьшения уровня загрязненияр-п-перехода, выходящего на боковуюповерхность кристалла, при пайке.2 ил.Е 1 зобретецие относится к производству полупроводниковых дио 1 он средней моности, ислолд зуемых н радиоаппаратуре.Пель изобретения - увеличение тех цологического выходя годных приборов зя счет маскирования р-и-перехода выступающей частью боковой поверхнос- ти кристалла, образованной лри химическом травлении, от продуктов исла О реция припоя.Ня Аиг,1 представлена схема взаимного расположения выводов и кристалла с р-и-лереходом; на Аиг,2 - статистические распределения обратного 15 тока 1 при ориентации кристалла полупроводникового прибора к прилаивяемому выводу сноей большей площадью (кривая 1) и меньшей площадью (кривая 11), 20Изготовление полупроводникового прибора включает изготовление кристаллов 1 путем химического травления пластин с р-и-переходом 2, на каждой стороне которой соосно нанесены оми ческие контакты с отличающимися диаметрами. Припайку выводов к каждой стороне поверхности кристалла выполняют импульсами прямого тока разной длительцбсти, но одинаковой энергии, 30 подводимыми через электроды 3 и ч. При этом лрипайка первого вывода 5 к стороне кристалла с большим диаметром контакта ведется более короткими импульсами, чем при припайке второго вывода к стороне кристалла .с меньшим диаметром омического контакта.Выступавшая часть боковой поверхности кристалла - зонтик, полученная при химическом травлении пластин, 40 экрянирует область р-и-лерехода от прямого попадания продуктов испарения припоя лри пайке короткими импульсами,П р и м е р, Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозалегяющим р-п-переходом, Глубина р-и-перехода 90 - 100 мкм при толщине пластины 210 - 230 мкм. йорма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения пластины (Лиг,1). Р-п-переход получают дивизией алюминия в и-тил с удельным сопротивлением О Омасм. ,Соосцые омические контакты разного диаметра (П = 1,65 мм, Б = 1,85 мм) ця криста 3(ях 13 ы 1 о)5 цт из Золта пчтем электрохимическаго осаждения.Пайку кристаллов к выводу вьполцяют поочередно илулт сямц прямого тока. При первой лайке используют импульс длительностью 0,35 с, а лри второй - 1 с лри одинаковой мощности импульса.В текуцей техцологии первая лриляйка кристаллов к выводу ведется к стороне кристалла с малым диаметром омического контакта,такая лоследовательность лрипайки кристаллов к выводам существовала, когда разделение пластины ця кристаллы велось методом ультрязнуконой резки. Технологический выход годных приборов при контроле параметров ца. операции классификации составляет 60 - 657,.Опытная проверка припайки кристаллов сначала со стороны контакта с большим диаметром, а потом со стороны меньшего диаметра показывает увеличение выхода годных приборов при классиАикации до 70 - 753.Анализ полученных результатов показывает, что на опытных приборах повышается вослроизводимость электрических параметров, н 5 - 7 раз уменьшается число ньц . сков припоя в виде мелких шариков припоя со стороны р-и- перехода, что указывает ца маскирование продуктов испарения и ца уменьшение переплава припоя при первой импульсной припяйке.Статистическое распределение приборов по значениям обратного тока 1 , измеренного при обратном напряжении 400 В на 2000 шт. приборах (Лиг.2), показывает, что опытные приборы (кривая 1) имеют меньший разброс значений ТьВнедрение способа требует изменения полярности импульса на существующем генераторе импульсов тока и обратной ориентации кристалла в кассете для импульсной пайки, Применение изобретения позволяет увеличить технологический выход годных приборов на б 87 а за счет уменьшения уровня загряз-. нения р-п-перехода, выходящего на боковую поверхность кристалла, при пайкеаФормула изобретенияСпособ изготовления полулроводниковых приборов включающий изготовление кристаллов путем химического%,0 70 12 Р РУ 14 моваКоррект Составитель Л. АТехред Л Олейник дактор И, Блан ко 98 каз 3119/5 Подписноетета СССРкрытийнаб, д. ТиражНИИПИ Г сударственного ком ам изобретений и о ква, Ж, Раушска по де 113035, Мороизводственно-полиграфическое .предприятие, г. Ужгор Проектная травления пластины с глубокозалегающим ф-п-переходом, на которой сооснонанесены маскирующие омические контакты с различными диаметрами, и поочереднуто припайку выводов к каждомуомическому контакту кристалла импульсами прямого тока разной длительности, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью увеличения технологическоговыхода годных приборов за счетмаскиро-,вания р - п-перехода выступающей частьюбоковой поверхности кристалла от продуктов испарения припоя, сначала припаивают вывод к стороне кристалла сбольшим диаметром маскирующего омического контакта