Фистуль

Номер патента: 1661597

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Гвелесиани, Кандырин, Кулезнев, Фистуль, Шелонин, Шеулова, Яковенко

МПК: G01L 9/02, G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...2 и 3, нанесенных на обеповерхности плоского чувствительного элемента 1 в виде полосок, электрически разделенных одна от другой, причем полосчатыеэлектроды 2 на одной поверхности элемента 2 параллельны один другому и ортогональны полосчатым электродам 3 на другой 40поверхности элемента 1, В местах скрещивания полосчатых электродов 2 и 3 образуются элементарные чувствительныеячейки,и при приложении к какой-либо изних давления уменьшается сопротивление 45в цепи данной пары скрещивающихся электродов. При опросе всех ячеек датчика спомощью соответствующего развертывающего узла 5, соединенного проводами сэлектродами 2 и 3, выход которого соединен с регистрирующим узлом 4, может бытьполучена информация о распределениидавления по площади...

Номер патента: 644211

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Вул, Петросян, Фистуль, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 31/00, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...к освещаемой поверхности, контакты которого расположены вплоскости, перпендикулярной направлению градиента.Фотогальваномагнитный датчик работает следующим образом.При,помещении пластины полупроводника в магнитное поле, перпендикулярное направлениюосвещения датчика,наконтактах, расположенных в плоскости, перпендикулярной направлению градиента ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитная ЭДС, величинакоторой зависит от,напряженности магнитного поля,Известные фотогальваномагнитныедатчики не позволяют измерять величину магнитного поля с достаточновысокой чувствительностью.Цель изобретения - повышение чувствительности к магнитному полю.Это достигается тем, что градиентширины запрещенной зоны дЕ выбраниз условия: 2Т "...

Номер патента: 957002

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Гвелесиани, Сыров, Фистуль, Цыганков, Шелонин, Яковенко

МПК: G01B 7/06, G01H 11/00, G01N 3/20 ...

Метки: емкостной, перемещений

...электроду и расположены симметрично относительно него.На фиг. 1 изображена структурная схемапреобразователя; на фиг. 2 - преобразователь, поперечное сечение.Емкостной преобразователь перемещенийсодержит кварцевый диск 1 с напыленными в возбуждающим электродом 2, двумя приемными электродами 3 и 4, расположенными симметрично друг другу, двумя заземленными электродами 5 и 6 и опорными нитями 7 и 8. Возбуждающий электрод 2 расположен диаметрально приемным элек дам 3 и 4, а заземленные электроды 5 параллельны электроду 2 и располож симметрично относительно него. емый образец в форме параллекладется на опорные нити 7 и 8положение узловых точек его совпадало с положением опор957002 Составитель Л. Казанская Редактор Г 1. Коссей Техред А....

Номер патента: 186154

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Андрианов, Государственный, Проектный, Фистуль

МПК: G01R 33/07

Метки: 186154

...ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТАЦИИ МАГНИТНОГО ПО И УГЛОВ ПОВОРОТАпрямо пропорц противление, У, носителей заряд пользуют полуп наибольшее, на онально р 0,2(р - холловская поматериала датоводники, у кото- ример антимонид Так как Аудельное сдвижностьчика), то и5 рых р /2индия. иентации с испольков э.,с. б ретен и едм( пособ определения ор поля и углов поворота с и проводникового датчика э и 1 ийся тем, что, с целью тельности, датчик распол поле так, что векторы п нитного поля и измеряем лежат в одной плоскост ь тока;нностьждч,Г испособельност тагниН иа - угол ьТаким образоовысить чувства раза. дает возможность датчика к углу в Известны способы определения ормагнитного поля и углов поворотазованием полупроводниковых датчи дХолла,Предлагаемый...

Номер патента: 171586

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Гришина, Мильвидский, Омель, Фистуль

МПК: C22F 1/02

Метки: высоколегированных, германия, монокристаллов, типа, электронного

...монокристаллов гг-типа кремния и арсеница галлия. Спосо нокрист проводи личаюиг соколеги бильньв теристиг вергают чение 2 последудггисная грг 1 гггга Лг 161 Известен способ получения высоколегированных монокристаллов германия гг-типа проводимости (с концентрацией Аз до 10 хосм - 3) вытягиванием из расплава.Для получения высоколегированных моно кристаллов германия со стабильными во времени электрическими характеристиками предлагается вытянутый монокристалл подвергать термообработке путем нагрева в течение 2 - 4 час при температуре "-870 С с последующей 1 закалкой.Монокристалл германия вытягивают из расплава, легированного мышьяком, по способу Чохральского.Часть допорной примеси в вытянутом кри сталле не входит в твердый раствор,...

Номер патента: 164698

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Городецкий, Иглицын, Фистуль, Шадрин

МПК: G01B 7/16

Метки: сопротивления, тензометр

...Однако тецзометры проволочные или фольговые характеризуются сравнительно низкой чувствительностью, а полупроводниковые хотя и имеют высокую чувствительность при комнатной температуре, но онарезко падает с ростом температуры.Предлагаемый тензометр сопротивления отличается тем, что для сохранения высокойтензочувствительцости и уменьшения зависимости от температуры, например в пределах77 в 6 К, в качестве тензочувствительногоэлемента применяется вырожденный германийг концентрацией доноров (мышьяка) це менее2;10 55 с,51-з,Тензометр сопротивления из вырожденногогермания представляет собой пластинку, вырезанную из монокристаллического выденного германия в направлении (П 1),шиноц от,4 з 1 ими на кометром 05 Бл аодэтот тензчаться...

Номер патента: 124034

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Оржевский, Фистуль

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор

...аю щ и й с я т электрического пробоя при помещен в вакуум-плотный д определенным давлением. азового разряда между элек. о напряжения данного прибоены дополнительные электро- между которыми размещена например прибора о жени ю, он газом по жигания г пробивног ть размещ сновными,Известные полупроводниковые приборы, например триоды, могут использоваться только тогда, когда обратное напряжение не превышает определенной для данного типа приборов величины. В случае ее превышения прибор выходит из строя.В описываемом изобретении полупроводниковый прибор предохранен от электрического пробоя при перегрузке по обратному напряжению. Для этого он помещается в вакуум-плотный корпус, заполненный инертным газом под давлением. Род газа, его давление, а...

Номер патента: 119253

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Рубинштейн, Фистуль

МПК: G01R 27/08

Метки: кристаллов, поверхностной, полупроводниковых, проводимости

...по результатам измерений эффективного сопротивления кристалла, по спаду тока фото- проводимости, либо по измерению контактных потенциалов.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в процессе измерений непосредственно определяют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7, к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.На чертеке изобракена принципиальная схема определения поверхностной проводимости полупроводников по предлагаемому способу,Образец, с помощью которого производятся измерения, выполняется в виде клина 1 с углом наклона не более 7. К этому образцу через контакты с постоянным переходным сопротивлением подводится электрический...

Номер патента: 113403

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Пинес, Фистуль

МПК: H01L 21/363

Метки: детекторных, кристаллов, сверхвысоких, частот

...кремний. Пары этого вещества ионизируются в дуговом разряде источника и ионы втягиваются в камеру, помещенную в магнитное поле. Напряженность магнитного поля и потенциал ускорения ионов подбираются так, чтобы ионы кремния высаживались на графитовую подложку, используему 1 а в качестве коллектора ионов. Аналогично ионы бора или другого легирующего элемента направляются на коллектор 2 из второго ионного источника 3, Ионы посторонних примесей попадают на коллектор 4, не достигая подложки, что позволяет снизить требования, предъявляемые к чистоте испсльзуемых для нанесения на нее веществ.Для получения кристаллической структуры графитовую подложку вместе с нанесенными на нее слоями кремния и бора нагревают до 1 емпературы...