Способ резки монокристаллических слитков

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 191 (11) 44 НИЯ ЕЛЬСТВ ости ых ма илиобрева от 4:в ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(57) Изобретение относится к оке материалов резанием, в частк резке слитков полупроводникотериалов с решеткой типа алмазсфарелита на пластины. Целью итения является повышение качес юл. В 20институт электронной в, В.Ю.Харламов,В.М.Звероловлев,Ю.В.Щуркин9(088.8)свидетельство СССР01 1. 21/302, 1981,КИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ 11 4 Н 01 1 21/302//В 24 Р 5/2 резаемых пластин за счет уменьшенияих прогиба. Способ заключается в том,что применяют режущий инструмент, содержащий на разных сторонах режущейкромки абразивные зерна разного размера и/или разной твердости. Слитокполупроводникового материала, у которого по образующей сделан базовыйсрез, ориентируют по плоскости (110),закрепляют его на станке так, чтобыбазовый срез располагался перпендикулярно направлению рабочей подачирежущего инструмента. Тогда направление абразивного воздействия на однойстороне отрезаемой пластины будет идти вдоль ( 112 ), а на другой - вдоль1112. Инструмент устанавливают так,чтобы движение более крупного абразива происходило по плоскости 11121.Изобретение относится к обработкематериалов резанием и может быть использовано для разделения слитковмонокристаллических полупроводниковыхматериалов с решеткой типа алмазасфалерита на пластины,Цель изобретения - повышение качества пластин после резки эа счетуменьшения их деформации, экономияматериала за счет уменьшения суммарной глубины нарушенных слоев,Способ реализуется при разделениимонокристаллических слитков полупроводниковых материалов с решеткой типа алмаза и сфалерита на пластины поплоскости (111) или разориентированной от нее по оси с 110), Способ включает ориентированное закрепление монокристаллического слитка так, что абразивное воздействие режущей кромки инструмента совпадает с направлением типа (112), Резку слитка проводят инструментом, режущая кромка которого содержит абразивные зерна разного размера и/или разной твердос.1,ти на разных сторонах отрезного инструмента. Слиток располагают при ориентировании так, чтобы при резке направление движения более крупного или твердого абразива совпадало с плоскостью 1121, а более мелкого или менее твердого - с 11123.Размер основной Фракции абразивных зерен на разных сторонах инструмента должен находиться в соотношении 1:0,4-1:0,6. В качестве твердого абразива берут алмаз, а в качестве мягкого - сапфир. или корунд, После установки круга относительно слитка производят его резку;Глубина деформированной обпасти существенным образом зависит от кристаллографической ориентации направления абразивного воздействия. При направлении движения абразивных частиц вдоль 11121 достигается максимальная склерометрическая твердость, а минимальная соответствует противоположному направлению типа 112,Если вдоль хрупкого направления типа 11121 движутся более крупные или твердые абразивные зерна, а вдоль более пластичного направления типа 1121 - более мелкие или менее твердые абразивные зерна, глубина нарушений выравнивается и пластины не подвергаются излишнему короблению. Так как согласно эксперимейтальнымданным глубина нарушенного слоя наразличных сторонах пластин, отрезанных с вектором абразивного воздействия 1121, отличается на 40-60%, торазмер основных фракций абразивныхзерен также должен находиться в соотношении 1:0,4-1:0,6,Если в качестве абразивных материалов использовать разнотипный абразив: алмаз и корунд или сапфир,то дпя достижения однородности приповерхностных нарушений оптимальноесоотношение размеров основных фракций абразивных зерен должно лежатьв интервале 1:1-1:0,8. процесса резки, так как в качествеабразивных зерен меньшей твердостимогут быть использованы отходы производства подложек сапфира при нарезании последних из монокристаллов.Формула изобретения Способ резки монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с решеткой типа алмаза и сфалерита на пластины по плоскости (111) или раэориентированной от нее по оси с 110), при котором ориентируют и закрепляют монокристаллический слиток таким образом, чтобы абразивное воздействие режущей кромки инструмента совпадало с направлением типа с 112 ), и режут слиток отрезным абразивным инструментом о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения качества отрезаемых пластин за счет уменьшения их прогиба, резку проводят инструментом, соцержащим на разных сторонах абразивные зерна разного размера и/или разной твердости, при этом слиток при ориентировании располагают так, чтобы направление движения более крупного или более твердого абразива совпадало с плоскостью 112, причем размер основных 40 4550 55 Применение режущего инструмента с абразивными зернами различной твердости наиболее целесообразно для резки слитков пластичных полупроводниковых материалов, в частности, некоторых соединений А В , поскольку в этом случае снижается максимальная глубина нарушений приповерхностных областей отрезаемых пластин, Кроме того, использование данного инструмента. позволяет снизить себестоимостьСоставитель Н.БалашоваТехред В.Кадар . Корректор С.Лыжова Редактор И.Касарда Заказ 2215/52 Тираж 699 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Производственно-полиграфическое предприятие,г.ужгород,ул.Проектная,4 фракций абразивных зерен берут изсоотношения 1:0,4-1:0,6, в качестветвердого абразива берут алмаз, а в 1314401 4качестве менее твердого - сапфир иликорунд с соотношением зернистостей1: 1 - 1:0,8.

Смотреть

Заявка

3909697, 13.06.1985

МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

ГУЛИДОВ ДМИТРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, ХАРЛАМОВ ВИТАЛИЙ ЮРЬЕВИЧ, ЭЙДЕЛЬМАН БОРИС ЛЬВОВИЧ, ЗВЕРОЛОВЛЕВ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, ПРИХОДЬКО ВЛАДИМИР ЛЕОНИДОВИЧ, ЩУРКИН ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

Опубликовано: 30.05.1987

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1314401-sposob-rezki-monokristallicheskikh-slitkov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ резки монокристаллических слитков</a>

Похожие патенты