Кассихин

Номер патента: 1724966

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Демидов, Кассихин, Сидоров

МПК: F16D 13/75

Метки: муфта, фрикционная

...11 показано на фиг,1. Фрикционная втулка 9 может быть установлена с натягом в отверстии 7 и с возможностью свободного перемещения - в отверстии 8, В этом случае расположение упорных элементов 10 и фиксирующих элементов 11 показано на фиг;4, при этом сама 10 15 20 25 30 35 40 втулка 9 может быть выполнена в виде плоской пластины (фиг.7). Для отвода промежуточного диска 6 и нажимного диска 1 служат плоские пружины 13, которые имеют предварительный изгиб в сторону кожуха 3, на фиг.1, 4 и 7 пружины изображены изогнутыми в сторону маховика 2 под действием нажимной пружины 14,Муфта работает следующим образом.При включении муфты нажимная пружина 14 перемещает нажимной диск 1 в сторону маховика 2, сжимая нажимной диск 1, промужеточный диск...

Номер патента: 1047314

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Кассихин, Романов

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: адресный, формирователь

...транзистора 3 обедненного типа,сток которого подключен к шине пита 35 ния 24, и транзистора 4 обогащенного 40 типа, исток которого подключен к шине общего потенциала, затвор - к выходу первого инверторного каскада 16, а сток подключен к затвору и истоку транзистора 3 в узле 17 - выходе вто рого инверторного каскада. Третий инверторный каскад содержит транзистор 5 обедненного типа, сток которого. подключен к шине питания 24, и транзистор 6 обогащенного типа, исток которого соединен с шиной общего потенциала, затвор - с выходом 17 второго инверторного .каскада, сток - с затвором и истоком транзистора 5 в узле 18 - выходном узле третьего ин 55 верторного каскада. Инверсный выход 19 подключен к шине питания 24 через транзистор 7,...

Номер патента: 908230

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Кассихин, Хайновский

МПК: G11C 11/40, H03K 19/08

Метки: буферное, выходное

...напряжения.Пусть, теперь напряжение на вход ой шине 23 снижается и проводимость ранэистора 5 значительно падает, следствие этого нагрузочный транистор обедненного типа 1 повышает потенциал на затворах транзисторов 6 и 7, вызывая их отпирание и снижение их стоковых потенциалов. В силу происходящего разряда затворов транзисторов 9 и 11 их стоковые потенциалы могут повышаться. Вследствие того, что ток нагрузочного транзистора 4 протекает только на затвор транзистора 10 с нулевым пороговым напряжением, а при заряде транзистора 10 вызванный этим ток транзистора 10 заряжает исток этого транзистора, повышая его потенциал, затвор транзистора 10 представляет для инверторного каскада на транзисторах 4 и 9 меньшую емкостную нагрузку, чем...

Номер патента: 1085437

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Кассихин, Овчаренко

МПК: H01L 21/18

Метки: полевых, транзисторов

...удаляют. На фиг. 1 показана полупроводниковая подложка первого типа проводимости после нанесения на ее поверхность 55 первого диэлектрического слоя из двуокиси кремния, второго диэлектрического слоя на нитриде кремния, первого слоя фоторезиста, формирования в этих слоях отверстий и легирования через них примесью первого типа проводимости для образования диффузионного слоя в приповерхностном слое полупроводниковой подложки; на фиг.2 третий диэлектрический слой, нанесенный на поверхность полупроводниковой подложки после удаления первого слоя фоторезиста в отверстиях в первом и втором диэлектрических слоях, после удаления первого и второго диэлектрических слоев; на фиг. 3 - дополнительное нанесение второго слоя фоторезиста и...

Номер патента: 1124170

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Кассихин, Соколов

МПК: F26B 5/06

Метки: вакуумная, сублимационная, сушилка

...из эластичного материала, выполняющими функцию предварительной очистки паров растворителя от пыли высушиваемого материала (окончательная очистк.- осуществляется фильтрами 6); для контроля и управления процессом сушки лотковые каналы 1 Г оснащены блоками датчиков 28.Коммуникации систем технологического обеспечения (подача и отвод энерго.носителей, промывных растворов и т.д.), линии для подключения систем контроля и управления расположены внутри полой трубы 18 и вводятся внутрь аппарата через герметичные разъемы 29.Сублимационная вакуумная сушилка работает следующим образом.Предварительно замороженный и измельченный материал через пита- тель 13 и сменный конус 12 (где1 в процессе свободного падения он подвергается сублимации) поступает в...

Номер патента: 1089610

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Есипов, Кассихин, Умбиталиев

МПК: G09G 1/16

Метки: информации, отображения, приемнике, телевизионном

...счетчика по координате Х , а другой подключен к выходу регистраконечной координаты Х, вход которо.го соединен с первым выходом блокапамяти, второй и третий выходы которого соединены с входом соответстненно регистра начальной координатыУ и регистра конечной координаты ,видеоусилитель, ньход которого соединен с входом телевизионного приемника, ныхос. которогс соединен с входом телевизионногс приемника, содержит коммутатор, второй Формировательвидеосигнала элемент ИЛИ, блок задания режима и дешиФратор, перныйи нторой входы которого соединены10 соответственно с выходом счетчикапо координате У и первым выходомблока задания режима, а выход соединен с первым входом Формирователявидеосигнала и первым входом коммутатора, второй вход которого...

Номер патента: 960949

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Кассихин, Романов

МПК: G11C 8/10

Метки: адресный, дешифратор, запоминающего, полупроводникового, постоянного, устройства

...высоким потенциалом по шине 43 (равнымпотенциалу первой шины питания ,беэ искажения передают высокий потенциал выборки в узле 29 на выходныешины 36 и 37. Нагрузочные транзисторы 408 и 9, 14 и 15 способны из-эа самоограничения тока при потенциалевторой шины 42 питания, равном потенцюалу общей шины при считывании онможет быть также равен потенциалу 45первой шины 40 питания)лишь в совершенно незначительной степени исказитьвыходные потенциалы, отклонив их отзначения потенциала первой шины питания. От этого потенциала заряжаетсятакже узел 31 через транзистор24 в диодном включении, но сверх небольшого тока заряда емкости узла 29в течение короткого времени никакогодругого тока через него больше непротекает.Пусть теперь адресные...

Номер патента: 928413

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Кассихин, Хайновский

МПК: G11C 11/40

Метки: блок, выборки, информации, матричного, накопителя

...осуществляется, выбор нового выхода, то уровень напряжения на адреснойшине 16 .падает до логического нуля, итранзисторы 2, 4 и 5 выключаются. Пустьтеперь возбуждается адресная шина 17и транзистор, включаемый между выходом 19 и следующим выходом, запрограммирован и тока не проводит. Тогда потенциал выхода 20 поднимается трензистором 9 и запоминающий тоанзистор,включенный между. выходами 19 и 20перестает проводить ток, не препятствуязаряду выхода 19 и шины 11 и ее быстрому достижению потенциала логическогонуля. Предлагаемый блок выборки обладает большим быстродействием, которое достигается благодаря тому, что при изменении адреса столбца, при котором потенциал на прежде выбранной адресной Шине. падает до уровня логического нуля, а на...

Номер патента: 883968

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Кассихин, Романов

МПК: G11C 7/06, H03K 5/02

Метки: варианты, моп-транзисторах, считывания, усилитель

...6, проводимость которого обеспечена в режиме считывания связью затвора с положительным входом 14, непрерывно имеющим высокий потенциал в режиме считывания (равный, например, потенциалушины питания 16) . При налиции транзистора 6 с определенной проводимостью переходной процесс не носит ко- зОлебательного характера, а исчерпывается некоторым превышением напряженияв выходном узле 12 его конечного значения и последующим почти незамедлительным возвратом к этому конечномузначению, близкому к порогу включения элемента 9, Такое выходное напряжение предпочтительно, потому что вобычном слуцае достижение заданногоуровня со стороны низких значенийиапрякения происходит с уменьшающейсяскоростью а в этом случае криваянарастания потенциала...

Номер патента: 801112

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Кассихин, Костыгова, Холодный

МПК: H01B 13/16

Метки: изоляци-онного, покрытия, термообработки, эмалированиипровода

...из слоя лака (нижняя зона печи), так и на стадии поликонденсации после удаления растворителя (верхняя зона печи). Ч, например, для лаков на полиэфирной основе по всей длине печи почти одинакова и определяется температурой термообработки в верхней зоне.Цель изобретения - повышение скорости эмалирования при сохранении качества изоляционного покрытия. Указанная цель достигается тем, что нагревание провода до температуры начала поликонденсации производят со скоростью в 2+0,2 раза большей скорости последующего нагревания.Применение лаков, содержащих высокомолекулярные растворители с температурой кипения около 180-2200 С, приводит к тому, что при температуре более 100 ОС растворитель практически полностью успевает удалиться из эмали. Поэтому...

Номер патента: 744722

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Кассихин, Люмаров

МПК: G11C 8/00

Метки: адресов, блоков, выборки, памяти

...адресные шины 18 и 9 каждого адресного формирователя 1 за пределами цикла памяти заряжены до уровня1 п -о МОП.транзисторами 5 и 8, где и - напряжение питания стока, 0 о - пороговое на прякенйе МОП.транзисторов обогащенного типа. Первым сигналом временной диаграммы фиг. 2) является сигнал предварительного заряда по первой тактовой шине 12, имеющей форму импульса с амплитудой .)с. На входных адресных шинах 20 в начале предварительного заряда и в течение всего времени предварительного заряда должен бытьустановившийся, адрес. По сигналу 12 по первой тактовой шине уровень сигнала 13 по второй тактовой шине понижается до уровня земли О и выходные адресные шины 18 н 19 отключаются от шины питания Ца МОП-транзисторы 6 н 9 вводятся в...

Номер патента: 734807

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Кассихин, Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...роль истоков" "элементов памяти и постоянно подключенной к шине нулевого потенциала,Подложка 15 выполнена низкоомной, легированной сурьмой, кремниевой и -типа, на"ее поверхности расположены параллельныеэпитаксиальные области кремния 16, слаболегированные бором, нижние части которых17 легированы бором в большей степени.Толщина и степень легирования бором этой" " =части-определяют длину канала и пороговоенапряжение транзисторов с лавинной инжекцией.В эпитаксиальных областях выполненыдиффузионные разрядные шины 13, 14 и+-типа проводимости. Толщина и степень легирования бором верхней части 16 определяют емкость разрядных шин 13, 14 и напряжение пробоя их р-п переходов. Первый слой диэлектрика выполнен издвуокиси кремния 18, и...

Номер патента: 661605

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Кассихин, Люмаров

МПК: G11C 11/40, G11C 7/06

Метки: запоминающих, матрицы, однотранзисторных, считывания, усилитель, элементов

...геометрические размеры, крутизну и пороговыенапряжения, а емкости шин 15 и 16равны, усилитель считывания можетобнаружить бескояЕчно малую разницу напряжений в фиктивной и рабочейячейках,Б реальной схеме существует несимметрия. Плеч триггера из-за разницы пороговых напряжений транзисторов 1 и 2, геометрических размерових каналов, емкостей шин 15 и 16.Эта,несимметрия приводит к тому,что требуется вполне определенная минимальная величина разности напряжений в рабочем и Фиктивном элемен" те памяти, зависящая от величины разбаланса плеч триггера считывания, Основной вклад в него дает разность пороговых напряжений транзисторов 1 и 2, котоця принципиально ограничивает чувствительность усилителя величиной этой разности, а также разбаланс...