H01L 43/00 — Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей

Номер патента: 182778

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 35/32, H01L 43/00

Метки: 182778

...устройствана осноье эффектов Пельтье и Эттинсгаузена,В предложенном устройстве термобатареявыполнена в виде цилиндрического соленоида,внутри которого создается магнитное поле.Это позволило использовать батарею одновременно в качестве генератора холода и какисточник магнитного поля для охладителя Эттннсгаузена.На чертеже изображена схема предлагаемого устройства,На цилиндре 1, выполненном из материала,обладающего высокой теплопроводностью,расположена термобатарея 2, изолированнаяот цилиндра при помощи теплопереходов 3. 15Отвод тепла от горячих спаев термобатареиосуществляется одним из известных способов(водой, воздухом и т. д.). На внутренней поверхности циличдра 1 сделан выступ 4, на ко ором крепится монокристалл 5...

Номер патента: 199944

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Лавренченко, Наер, Одесский

МПК: H01L 37/00, H01L 43/00

Метки: гальваномагнитный, охладитель

...могут п5 бретенияадитель, испзена, содеисточникс целью поности и возммагнитногоюбой формыофилированн едмет из ользуюржащий питания, вышек ия ожности поля помагнит ыми наохл ла В существующих гальваномагнитных охладителях для обеспечения максимальной энергетической эффективности монокристалл должен иметь экспоненциальное сечение.Предложенный гальваномагнитный охлади тель отличается тем, что магнит снабжен подвижными профилированными наконечниками, это позволяет регулировать плотность магнитного поля по,высоте монокристалла любой формы и обеспечивать повышение энергети ческой эффективности охладителя. При этом значительно упрощается технология изготовления охладителя. Кроме того, предлагаемый охладитель позволяет осуществить оптимальное...

Номер патента: 213121

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Агаев, Исмаилов, Мосанов

МПК: F25B 21/00, H01L 37/00, H01L 43/00 ...

Метки: холодильный, элемент

...оски 4, сос ами 5, зак абоена, ние смент ПНЕ 1 ипя Холла ведспсратур. т изоо однльныи элемент Эттингсгаузена,целью расширения эффективного охл ння э.д. с. Холла,соединены металл ми. На чертеже изобрго устройства, Холодильный элемпускается ток через В известных холодильных элементах, р тающих на основе эффекта Эттингсгауз отрицательное влияние оказывает появле э. д, с, Холла,Предложенный холодильный элемент выполнен с боковыми гранями, которые соединены металлическими проводниками, что создает закорачивание э. д. с. Холла. Это дает возможность изготовлять его из полупроводника или полуметалла, имеющих лучшие выходные параметры по сравнснию с другими материалажена схема описываемо нт 1, по которому проэлектроды 2, помещен и магнитное...

Номер патента: 411526

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: H01F 21/00, H01L 43/00

Метки: 411526

...сопротивления,подключена параллельно входным зажимам трансформатора и конденсатору, выполняющему роль компенсирующего, через входное сопротивление горизонтальной ветви четырех полюсника.На чертеже приведена электрическая блоксхема описываемого полупроводниковоготрансформатораЧетырехполюсник Т-образного типа, в вер тикальную ветвь которого входит отрицательное сопротивление 1, а в горизоптальную -- входное 2 и выходное 3 сопротивления, подключе параллельно входным зажимам 4 и 5 и конденсатору 6. В активную шину транс форматора на выходе включен гиратор 7, связанный с выходными зажимами 8 и 9 и источником 10 управляющего напряжения. Гиратор выполнен на полевом гальваномагниторекомбинационном датчике, а конденсатор 6 служит 20...

Номер патента: 507906

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Волга, Демин, Котосонов, Никольская, Остронов, Положихин

МПК: H01L 43/00

Метки: активного, магниторезистора, материал, элемента

...АКТИВНОЮ ЭЛЕМЕНТА МАГНРГГОРЕЗИСТОРА уИЗОбРИеНБЭ МНОСИТСН К намерению Мд-д Целью изобретения является посвышщдо БИТВЫ полей. с ПОМОЩЬЮ мапиггорезисторов, рабочей температуры магнъггорэзвстороа; известны магниторезисторы, чувствя- . это достигдется применением грдфд-д тельный элемент которых изготовлен из эв- в качестве мат-ершика для изготовления ахтектического сплава антимонида индия пни-5 тиыюго элемента макинтошем-гора. хедд Е арсенида Индия И др д н Рабочая температура магнитореапстораИзвестные типы магняторезисторов об- повышаю при этом д 50 Скоэффициентом. Однако максимальная рабо- ю . Применение графита в качестве материичая температуре, этих магниторезиторов ге ела для изготовления активного элемента превышает 150 С; что...

Номер патента: 606475

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Вул, Петросян, Сайдашев, Шмарцев

МПК: H01L 31/08, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...полупроводника (например п-типа), помещеннойв магнитное поле, со стороны широкозонной области на контактах, располо 5 женных в плоскости, перпендикулярнойнаправлению изменения ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитнаяЭДС,Использование в качестве фотогальваномагнитного датчика пластиныполупроводника с переменной ширинойзапрещенной зоны расширяет функциональные возможности датчика, поскольку в этом случае амплитуда и знак фотомагнитной ЭДС зависят от длины волны падающего света,Действительно, при варизоннойструктуре датчика свет разных частотпоглощается в разных точках полупроводниковой пластины. Так, например,свет с энергией фотонов Ь), 3 Ео(Е, - максимальная ширина запрещенной зоны полупроводниковой пластиныу передней,...

Номер патента: 644211

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Вул, Петросян, Фистуль, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 31/00, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...к освещаемой поверхности, контакты которого расположены вплоскости, перпендикулярной направлению градиента.Фотогальваномагнитный датчик работает следующим образом.При,помещении пластины полупроводника в магнитное поле, перпендикулярное направлениюосвещения датчика,наконтактах, расположенных в плоскости, перпендикулярной направлению градиента ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитная ЭДС, величинакоторой зависит от,напряженности магнитного поля,Известные фотогальваномагнитныедатчики не позволяют измерять величину магнитного поля с достаточновысокой чувствительностью.Цель изобретения - повышение чувствительности к магнитному полю.Это достигается тем, что градиентширины запрещенной зоны дЕ выбраниз условия: 2Т "...

Номер патента: 1728903

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Горбачук

МПК: H01L 43/00, H01L 43/08

Метки: магниторезистор, полупроводниковый

...1) содержит подложку 1, изготовленную из полуизолирующего арсенида галлия, магниточувствительную пленку 2, изготовленную из германия р-типа проводимости, контактные площадки 3, изготовленные из индия, и измерительные выводы 4, изготовленные из медной проволоки диаметром 0,1 мм, Размеры магниторезистора 0,03 х 1,0 х 4,0 мм. Величина электрического сопротивления магниторезистора, изготовленного из образца 1 (см. табл.) при Т=300 К равно 360,0 Ом.На фиг. 2 представлены магнитополевые зависимости сопротивления при Т.2 К для пленок толщиной 5 мкм, полученных при Тп = 713 К (кривые 1,2), Тп = 733 К (3,4) и Тп = 683 К (5,6). Концентрация дефектов в пленках, МС которых изображено кривыми 1-4, составляет 6 10 см, а в пленках 5 и 6 10 см . Кривые...