Даненгирш

Номер патента: 1102410

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Даненгирш, Ефремов, Затолока, Пчелинцев

МПК: H01L 21/02

Метки: детекторов, излучений, ионизирующих, полупроводниковых

...300-400 С, а затем резкоохлажденному до комнатной температуры(закалка), возникшие при закалке элек трически активные дефекты отжигаютсяв вакууме полностью за приемлемоевремя, только начиная с температурыо120 С, Минимальная продолжительностьотжига при этой температуре, необходимая для снижения концентрации дефектов закалки до уровня, при котором они не влияют на качество детекторов и ионизирующих излучений (менее10 ф см ), составляет 16-20 ч. При ЗОменьшей температуре продолжительностьотжига дефектов закалки резко возрастает и составляет, например при температуре 110 С, около 200 чПроведение такого длительного отжига в про 35цессе изготовления детекторов является нежелательным, поскольку это резко увеличивает время изготовления...