H01L 21/385 — диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою

Номер патента: 157440

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/385

Метки: 157440

...лишь со стороны, на которой в альпейшем будет образовываться р - и-переход. Образец маскируется рядами круГльх масок, диаметр кот 01 эых равен диаметру р - п-перехода, лишний никель удаляется травление Для удаления масок Образец промывается в толуоле и после суши 1 разрезается на заготовки так, чтооы никелевый пятачок был посредине каждого кристалла.Подготовленные таким ооразом образцы подвергаются импульсной термообработке в атмосфере очищенного водорсда. Выбор параметров .еплового импульса, воздействующего на образцы, определяется вел, - чиной заранее заданноГО коэффициента 72. После этОГО путем травлепп 51 удаляют никелевую пленку и приповерхностный слой кристЛла,Ъв 157440 и затем обычным путем производится вплавление индия,...

Номер патента: 1162352

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Гаврилюк, Гуменюк, Ланская, Мансуров, Чудновский

МПК: H01L 21/385

Метки: пленочных, структур

...интервала температур наблюдается плохая адгезияслоя ЧО к слою оксида переходногометалла. При температуре подложки,25 превышающей 90 С, слой МО получается сильно восстановленным. Этоприводит к возникновению большихнапряжений в слое УО, в результатечего перетекания водорода из сильЗО но напряженного слоя ЫО в слойоксида переходного металла не происходит.Скорость нанесения слоя ИОсоставляет 20-50 А/с. При скоростяхнанесения меньших 20 А/с в слойтрноксида вольфрама захватываетсябольшое количество примесей из остаточной атмосферы технологическоговакуума, что приводит к уменьшениюкоэффициента диффузии водорода вслое ИО и снижению эффективностиего перетекания. При скоростяхнанесения больших 50 А/с атмосферныеЮ получаются сильно напряженными,что...

Номер патента: 897058

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Красножон

МПК: H01L 21/385

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

...в виде трещин и пор тер- змомеханическими напряжениями в слоеокисла, выращенном на сильно развитой,острорельефной матированной поверхности кремния глубиной рельефа одного по- арядка и выше толщины выращенногоокисла,Поскольку образование рельефа на про- Офтравливаемой поверхности кремния опре-,деляется наличием на нейприповерхностных нарушений стРуктуРы имеханическими напряжениями (после различных обработок), то для увеличения равномерности распределения скрытыхдефектов по поверхности схем, пластиныперед матирующим травлением подвергаютвоздействию потока ионов (например, окнавскрывают ионным, ионно-химическим илиплазмохимическим травлением) или допол- - фнительному воздействию электронов (например, электронно-лучевой...