Номер патента: 252482

Авторы: Грехов, Крюкова, Шуман

ZIP архив

Текст

(19) (И 1 И 401 К 31 ОПИСАНИЕ ИЗОбРЕТЕНИ ВТОВСИОМУ СВ ТЕ полупро водь тер- ического Н ва с ястимо а при рного слоя, нтакта, выне участка 088.8) ои стру ОСУДАРСТВЕННЬЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) (57) ТИРИСТОР на основе пиковой структуры с участком ного слоя, свободного от металл контакта, о т л и ч а ю щ и тем, что, с целью увеличения до значения скорости нарастания то включении, длина участка эмитте свободного от металлического ко полнена меньшей или равной дл одновременного включения тиристо туры,252482 Корректор Е. Сирохман Техред Т. Дубинчак Редактор С, Титова Заказ 8124/1 Тираж 747ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к области полупроводниковой техники, в частности к по. лупроводниковым структурам тиристора.Допустимая скорость нарастания тока при включении тиристора определяется вели-. чиной энергии, выделяемой в тиристоре при переходном процессе, и величиной площади р.п-р-п-структуры, находящейся во включенном состоянии в течение процесса включения.В настоящее время используют эмиттер с поперечным полем. Особенностью такой конструкции является наличие достаточного протяженного участка И -слоя, свободного от металлического контакта, при этом возможность увеличения д 3(д 1 обосновывается пали чием двух областей включения, т.е. увеличением площади включения.Однако такая конструкция для диффузионного эмиттера не эффективна, так как про. текание достаточно большого тангенциального тока вдоль участка эмиттера, свободного от металлического контакта, приводит к появле нию искрения и постепенной потере запирающих свойств тиристора,Целью изобретения является исключение возможности возникновения тангенциального тока через в -слой эмиттера с большим сопротивлением . и, следовательно, увеличение допустимого значения скорости нарастания тока при включении. 1Для этого в структуре тиристора участок эмиттера у электрода управления вы.полняют так, чтобы включение начиналосьнепосредственно под металлическим контак.5 том.Одним из возможных вариантов такойструктуры является структура с участкомэмиттера, свободным от металлическогоконтакта, меньшим по величине, чем длинаобласти одновременного включения тиристорной структуры.На чертеже показана конструкция предлага.Фемого тиристора,Образец быз изготовлен методом последовательной диффузии в кремнии и типас 1 = 80 Ом см алюминия с поверхност.ной концентрацией Мь сми фосфора с М 10 смИзмерения проводились на прямоутольном импульсе тока 1000 А длительностью200 мкс при комнатной температуре,Время между началом нарастания и максимумом потенциала составляло около0,1 мкс.У образцов с участком эмиттера, свобод.ным от металлического контакта, 0,05 ммискрение не наблюдалось, и допустимыезначения скорости нарастания токаю 104 А/мкс.Такие конструкции можно использовать30при изготовлении многослойных полупровод.никовых структур,

Смотреть

Заявка

1214765, 05.02.1968

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ

ГРЕХОВ И. В, КРЮКОВА Н. Н, ШУМАН В. Б

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: тиристор

Опубликовано: 07.12.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-252482-tiristor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тиристор</a>

Похожие патенты